www.viniti.ru Всероссийский Институт Научной и Технической Информации
 

Physics Electronic Information Service by VINITI

PEIS-V | Help

   Electrical properties of solids.
      Semiconductors.
         Static dielectrical properties of semiconductors.
Диэлектрические характеристики и фазовые переходы в твердых растворах Tl(InS2)1-x(FeSe2)x
Шелег А.У., Гуртовой В.Г., Мустафаева С.Н., Керимова Э.М., Шевцова В.В.
Физ. тверд. тела, Vol: 54, No: 3 , published: 26 March 2012
Диэлектрические свойства и фазовые переходы в кристаллах твердых растворов TlInSx Se2-x
Шелег А.У., Гуртовой В.Г., Шевцова В.В., Алиев В.А.
Физ. тверд. тела, Vol: 54, No: 3 , published: 26 March 2012
Гигантская диэлектрическая релаксация в кристаллах TlGaTe2
Сардарлы Р.М., Самедов О.А., Абдуллаев А.П., Салманов Ф.Т.
Физ. тверд. тела, Vol: 53, No: 8 , published: 16 August 2011
Диэлектрические свойства кристаллов ZnSe, выращенных из расплава
Чугай О.Н.,Герасименко А.С.,Комарь В.К. et al.
Физ. тверд. тела, Vol: 52, No: 12 , published: 01 December 2010
Дисперсия диэлектрических параметров в модифицированных слоях триселенида мышьяка
Кастро Р.А., Бордовский В.А., Грабко Г.И.
Письма в ЖТФ, Vol: 36, No: 17 , published: 12 September 2010
Электрофизические свойства твердых растворов Zn[2](Ti[a]Sn[b])[1_-x]Zr[x]O[4]
Григорян Р.А./Григорян Л.А.
Неорган. матер., Vol: 46, No: 1 , published: 16 August 2010
Оптические и диэлектрические характеристики окисла редкоземельного металла Lu2O3
Ордин С.В./Шелых А.И.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 44, No: 5 , published: 10 February 2010
Кажущаяся низкочастотная зарядовая емкость полупроводникового бора
Цагарейшвили О.А./Чхартишвили Л.С./Габуния Д.Л.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 43, No: 1 , published: 11 December 2009
Time-dependent dielectric behaviour in incommensurate TlInS[2] crystal
Mikailov F.A.
Cryst. Res. and Technol., Vol: 44, No: 1 , published: 20 November 2009
Влияние gamma-облучения на диэлектрические свойства и проводимость монокристалла TiInS2
Мустафаева С.Н./Асадов М.М./Исмайлов А.А.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 11 , published: 17 November 2009
Диэлектрические свойства модифицированных слоев As[2]Se[3][x]
Кастро Р.А./Анисимова Н.И./Бордовский В.А./Грабко Г.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 6 , published: 02 February 2009
Оценки значений спонтанной поляризации и диэлектрических проницаемостей кристаллов AlN, GaN, InN и SiC
Давыдов С.Ю.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 6 , published: 02 February 2009
Reduced static dielectric constant estimated from exciton binding energy in dilute nitride semiconductors
Kondow Masahiko/Uchiyama Masayuki/Morifuji Masato/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 4 , published: 23 January 2009
Investigation on the mechanical, dielectric and photoconductivity properties of N-Methyl urea NLO single crystals
Janarthanan S./Kumar T. Kishore/Pandi S./et al.
Indian J. Phys., Vol: 82, No: 10 , published: 02 November 2008
Лазерно-стимулированная модификация примесного энергетического спектра селенида галлия, интеркалированного кобальтом
Грыгорчак И.И./Пелехович А.И./Волынская Н.В.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 42, No: 4 , published: 27 April 2008
Анализ низкочастотной дисперсии диэлектрических параметров в аморфных слоях As[x]Se[1_-x]
Бордовский В.А.\Грабко Г.И.\Кастро Р.А.\Татуревич Т.В.
Физ. и химия стекла, Vol: 32, No: 5 , published: 05 April 2008
Структура и параметры диэлектрического спектра полиаценхинона при низких температурах
Мухаева Л.В./Афанасьев Н.В./Ермакова Т.Г./Воронков М.Г.
Докл. РАН, Vol: 418, No: 6 , published: 21 February 2008
Refractive index, static dielectric constant, energy band gap and oscillator parameters of Ga[2]SeS single crystals
Qasrawi A.F.\Gasanly N.M.
Phys. status solidi. A, Vol: 204, No: 9 , published: 03 February 2008
Growth and characterization of pure and doped nonlinear optical L-arginine acetate single crystals
Gulam Mohamed M.\Vimulan M.\Jesudurai J.G.M.\et al.
Cryst. Res. and Technol., Vol: 42, No: 10 , published: 03 February 2008
Диэлектрические свойства FeGa[2]Se[4] в переменном электрическом поле
Нифтиев Н.Н./Тагиев О.Б./Мурадов М.Б./и др.
Trans. Nat. Acad. of Sci. of Azerb. Ser. Phys.-Techn. and Math. Sci., Vol: 27, No: 2 , published: 25 January 2008
Влияние газостатической обработки на упругие и оптические свойства поликристаллического CVD-ZnS
Щуров А.Ф.\Гаврищук Е.М.\Иконников В.Б.\и др.
Неорган. матер., Vol: 40, No: 4 , published: 13 January 2008
Оценки величины спонтанной поляризации в карбиде кремния
Давыдов С.Ю.\Трошин А.В.
Физ. тверд. тела, Vol: 49, No: 4 , published: 28 December 2007
Диэлектрические характеристики Al[1.1]Be[0.6]B[22]
Шелых А.И.\Гурин В.Н.\Никаноров С.П.\Деркаченко Л.И.
Письма в ЖТФ, Vol: 32, No: 22 , published: 09 December 2007
Получение и свойства орторомбической модификации TlInS[2]
Наджафов А.И.\Алекперов О.З.\Гусейнов Г.Г.
Неорган. матер., Vol: 41, No: 2 , published: 26 November 2007
Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника с прыжковой электропроводностью (на примере p-Si:B)
Поклонский Н.А.\Вырко С.А.\Забродский А.Г.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 41, No: 1 , published: 17 November 2007
Выращивание и свойства монокристаллов _b-CdP[2]
Трухан В.М.\Сошников Л.Е.\Маренкин С.Ф.\Голякевич Т.В.
Неорган. матер., Vol: 41, No: 9 , published: 03 November 2007
Диэлектрические свойства FeGa[2]S[4]
Нифтиев Н.Н./Тагиев О.Б/Мурадов М.Б./и др.
Trans. Nat. Acad. of Sci. of Azerb. Ser. Phys.-Techn. and Math. Sci., Vol: 27, No: 5 , published: 18 October 2007
К расчету линейной и квадратичной диэлектрических восприимчивостей гексагонального карбида кремния
Давыдов С.Ю.
Физ. тверд. тела, Vol: 48, No: 10 , published: 05 September 2007
Синтез и некоторые свойства GdMCr[2]O[5] (M _- Na, K, Cs)
Касенов Б.К.\Давренбеков С.Ж.\Мустафин Е.С.\и др.
Неорган. матер., Vol: 42, No: 1 , published: 12 July 2007
Диэлектрические свойства монокристаллов TlGa[1_-x]Mn[x]S[2] (0 _< x _< 0.03)
Мустафаева С.Н.
Неорган. матер., Vol: 42, No: 5 , published: 12 July 2007
Диэлектрические свойства поликристаллического ZnS
Шеваренков Д.Н.\Щуров А.Ф.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 40, No: 1 , published: 03 July 2007
High dielectric constant and wide band gap inverse silver oxide phases of the ordered ternary alloys of SiO2, GeO2, and SnO2
C. Sevik and C. Bulutay
Phys. Rev. B., Vol: 74, No: 19 , published: 15 November 2006
Electrical transport properties of Pr[2](MoO[4])[3] single crystal
Yadava U.S.P., Ansari T.H., Singh R.A.
Indian J. Phys. A., Vol: 73, No: 4 , 1999
Effects of pressure and temperature on the dielectric constant of GaS, GaSe, and InSe: Role of the electronic contribution
Errandonea D., Segura A., Munoz V., Chevy A.
Phys. Rev. B., Vol: 60, No: 23 , 1999
Про вплив швидкостi змiни температури на дiелектирчну проникнiсть кристалiв пруститу та пiрарприту
Гололобов Ю.Н.
Укр. фiз. ж., Vol: 44, No: 5 , 1999
Broadband dielectric spectroscopy of conducting polyaniline
Youngs I.J., Lawrence C.R., Treen A.S. et al.
IEE Proc. Sci., Meas. and Technol., Vol: 145, No: 4 , 1998
Capacitance-voltage behaviour in p-type ε-GaSe single crystal||c at different temperatures
Anis M.K., Zaidi S.H.
Nuovo cim. D, Vol: 20, No: 2 , 1998
Low frequency dielectric characterization of semi-insulating iron-doped InP
Green P.W.
Semicond. Sci. and Technol, Vol: 13, No: 1 , 1998
О зависимости диэлектрических и оптических свойств широкозонных полупроводников от давления
Давыдов С.Ю., Тихонов С.К.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 32, No: 9 , 1998
Research in the LATGS-PVDF pyroelectric composite films
Zhang H., Xu P., Feng Ch., Liu X., Wei J., Wu Z.
J. Infrared and Millimeter Waves, Vol: 16, No: 2 , 1997
Characteristics of the electric capacitance and dielectric loss of the thermal oxide of porous silicon formed using highly phosphorus diffused silicon
Arita Y., Kuranari K.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 36, No: 3A , 1997
Диэлектрическая релаксация в кристаллах Bi[12]Si[O[20]
Панченко Т.В.
Физ. тверд. тела, Vol: 39, No: 7 , 1997
Structures and dielectric properties of thin polyimide films with nano-foam morphology
Cha H.J., Hedrick J., DiPietro R.A., Blume T., Beyers R., Yoon D.Y.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 14 , 1996
Highly coupled dielectric behavior of porous ceramics embedding a polymer
Alvarez-Arenas T.E.G., Montero de Espinosa F.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 2 , 1996
Correlation between two dielectric breakdown mechanisms in ultra-thin gate oxides
Satake H., Yasuda N., Takagi Sh., Toriumi A.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 69, No: 8 , 1996
Pressure-dependent dynamical and dielectric properties of cubic SiC
Karch K., Bechstedt F., Pavone P., Strauch D.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 8, No: 17 , 1996
Thomas-Fermi-type dielectric screening of statistical atomic models of donor-specific impurities in a semiconductor-like valence electron gas at zero temperature
Scarfone L.M.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 8, No: 30 , 1996
A modified harmonic oscillator approximation scheme for the dielectric of GaAs, InP and GaP
Yu G., Soga T., Jimbo T., et al.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 35, No: 3 , 1996
Time-dependent dielectric breakdown of interlevel dielectrics for copper metallization
Miyazaki H., Hinode K., Homma Y., et al.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 35, No: 3 , 1996
Comparative study of C-V and transconductance of a Si δ-doped GaAs FET structure
Suzuki T., Katsuno M., Goto H., et al.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 35, No: 4A , 1996
Contribution of quantum and thermal fluctuations to the elastic moduli and dielectric constants of covalent semiconductors
Karch K., Dietrich T., Windl W., et al.
Phys. Rev. B., Vol: 53, No: 11 , 1996
Effect of spatial dispersion of the dielectric on the binding energy of D{-} ion in Si and Ge
Gayathri V., Balasubramanian S.
Physica. B, Vol: 226, No: 4 , 1996
Аномалии пирокоэффициента и диэлектрические свойства в кристаллах дигидроарсената и дигидрофосфата рубидия при 80-300 K
Гаврилова Н.Д., Лотонов А.М., Мукина О.В., Павлов С.В., Новик В.К.
Неорган. матер., Vol: 32, No: 8 , 1996
Temperature dependent hole fluence to breakdown in thin gate oxides under Fower-Nordheim electron tunneling injection
Satake H., Toriumi A.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 66, No: 25 , 1995
Thin dielectric degradation during silicon selective epitaxial growth process
Shih Y.-Ch., Zhang G., Hu Ch., et al.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 67, No: 14 , 1995
Two different micromodels of zinc oxide varistors
Wang L., Wu W., Li X.-G., Zhang Y.
J. Appl. Phys. , Vol: 77, No: 11 , 1995
Effect of oxidation on localized heat generation and dielectric breakdown of low-density polyethylene film
Tsurimoto T., Nagao M., Kosaki M.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 34, No: 12A , 1995
Effect of SC1 process on silicon surface microroughness and oxide breakdown characteristics
Akiyama K., Naito N., Nagamori M., Koya H., Morita E., Sassa K., Suga H.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 34, No: 2A , 1995
Вплив мiкровключень легкоплавких металiв на дiелектричнi властивостi кристалiв A{3}B{5}
Василенко М.Д., Горбатюк О.Я.
Укр. фiз. ж., Vol: 39, No: 11-12 , 1994
Electronic polarizabilities of cations and anions in II-VI compounds
Sohn Sang Ho, Hamakawa Yoshihiro
J. Phys. Soc. Jap., Vol: 61, No: 7 , 1992
Electrical and optical properties of CdS nanocrystalline semiconductors
Tiwari Shikha, Tiwari Sanjay
Cryst. Res. and Technol., Vol: 41, No: 1
Ac conductivity and dielectric properties of TlIn[0.975]Y[0.025]S[2] single crystal
El-Nahass M.M., El-Barry A.M.A., Abd el Rahman S.
Phys. status solidi. A, Vol: 203, No: 2
Эффект pаспpеделения вpемени pелаксации в диэлектpических спектpах семиэлектpиков
Афанасьев Н.В., Мухаева Л.В., Максимов А.А., и дp.
Докл. РАН, Vol: 401, No: 6
Dielectric response of interacting oxygen defects in germanium
Shima Hiroyuki, Nakayama Tsuneyoshi
Phys. status solidi. C, Vol: 1, No: 11
Влияние баpьеpных механизмов поляpизации на опpеделение паpаметpов семиэлектpиков полиаценхинонов
Афанасьев Н.В., Мухаева Л.В., Еpмакова Т.Г., и дp.
Докл. РАН, Vol: 395, No: 6
Теплоемкость и электpофизические свойства хpомита GdCaCr[2]O[5.5]
Давpенбеков С.Ж., Касенов Б.К., Мустафин Е.С.
Теплофиз. высок. температур, Vol: 42, No: 4
Частотная диспеpсия диэлектpических коэффициентов слоистых монокpисталлов TlGaS[2]
Мустафаева С.Н.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 6
Temperature dependence of the dielectric constant and resistivity of diluted magnetic semiconductors
Lopez-Sancho M. P., Brey L.
Phys. Rev. B., Vol: 68, No: 11
Origin of photoemission final-state effects in Bi[2]Sr[2]CaCu[2]O[8] by very-low-energy electron diffraction
Strocov V. N., Claessen R., Blaha P.
Phys. Rev. B., Vol: 68, No: 14
Influence of iron content on the electrical and dielectric properties of La[0.7]Ba[0.3]Co[1-y]Fe[y]O[3]
Khalil M.Sh.
Z. phys. Chem., Vol: 217, No: 11
Температурные и концентрационные зависимости модулей упругости и диэлектрических свойств кристаллов твердых растворов (Zn[1-x]Cd[x])[3](P[1-y]As[y])[2]
Сошников Л.Е., Трухан В.М., Маренкин С.Ф.
Неорган. матер., Vol: 39, No: 4
Кристаллы CeAlO[3]: получение, электрические и оптические характеристики
Шелых А.И., Мелех Б.Т.
Физ. тверд. тела, Vol: 45, No: 2
Fabrication and electrical properties of titanium oxide by thermally oxidizing titanium on silicon
Zhu H., Zhao B., Liu X., et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 23, No: 4
Determination of the parameters of semiconducting CdF[2]:In with Schottky barriers from radio-frequency measurements
Ritus A. I., Pronin A. V., Volkov A. A., Lunkenheimer P., Loidl A., Shcheulin A. S., Ryskin A. I.
Phys. Rev. B., Vol: 65, No: 16
Properties of strained wurtzite GaN and AlN: Ab initio studies
Wagner J.-M., Bechstedt F.
Phys. Rev. B., Vol: 66, No: 11
Обобщенный характер диэлектрического отклика кристаллов CdTe, выращенных из расплава
Клименко И.А., Мигаль В.П.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 36, No: 4
Electrical properties of amorphous Te[38+y]As[40-y]Ge[10]Si[12]
Hegab N.A.
Indian J. Pure and Appl. Phys., Vol: 39, No: 9
Low dielectric constant 3MS α-SiC:H as Cu diffusion barrier layer in Cu dual damascene process
Lee Soo Geun, Kim Yun Jun, Lee Seung Pae et al.
Jap. J. Appl. Phys. Pt 1, Vol: 40, No: 4B
Effect of photoexcitation on dielectric constant of nanocrystalline TiO[2] studied by microwaves
Kytin V.G., Konstantinova E.A., Porteanu H.E., et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 000, No: 11-12
Accurate calculation of polarization-related quantities in semiconductors
Bernardini Fabio, Fiorentini Vincenzo, Vanderbilt David
Phys. Rev. B., Vol: 63, No: 19
Nonlinear macroscopic polarization in III-V nitride alloys
Bernardini Fabio, Fiorentini Vincenzo
Phys. Rev. B., Vol: 64, No: 8
Диэлектрические свойства кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te, выращенных из расплава
Комарь В.К., Мигаль В.П., Наливайко Д.П. и др.
Неорган. матер., Vol: 37, No: 5
Релаксационный характер диэлектрического отклика кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te, выращенных из расплава
Клименко И.А., Комарь В.К., Мигаль В.П. и др.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 35, No: 4
Molecular and solid-state properties of tris-(8-hydroxyquinolate)-aluminum
Martin Richard L., Kress Joel D., Campbell I. H., Smith D. L.
Phys. Rev. B., Vol: 61, No: 23
Pressure dependence of the dielectric and lattice-dynamical properties of GaN and AlN
Wagner J.-M., Bechstedt F.
Phys. Rev. B., Vol: 62, No: 7
Влияние условий синтеза полиаценхинонов на параметры их диэлектрических спектров и доменной структуры
Афанасьев Н.В., Мухаева Л.В., Воронков М.Г. и др.
Докл. РАН, Vol: 371, No: 5
Особливостi температурноi залежностi провiдностi базисноi S(Se)-гранi гексагональних кристалiв CdS, CdSe
Булах Б.М., Маркевич I.В., Шкриль Г.В., Шейнкман М.К.
Укр. фiз. ж., Vol: 45, No: 6
Диэлектрические свойства соединений Cd[1-x]Fe[x]Se
Жуковский П.В., Партыка Я., Венгерэк П. и др.
Физ. и техн. полупровод., Vol: 34, No: 10