www.viniti.ru Всероссийский Институт Научной и Технической Информации
 

База данных PEIS-V больше не обновляется с 1 июня 2018г.

The PEIS-V database is no longer updated from June 1, 2018


Physics Electronic Information Service by VINITI

PEIS-V | Help

   Electrical properties of solids.
      Semiconductors.
         Optical phenomena in semiconductors.
            X-ray optics.
               X-ray spectroscopy.
Electronic structure of boron doped diamond: An x-ray spectroscopic study
P.-A. Glans,T. Learmonth,K. E. Smith,S. Ferro,A. De Battisti,M. Mattesini,J.-H. Guo
Appl. Phys. Lett. , Vol: 102, No: 16 , published: 03 April 2013
Электронная структура и спектральные характеристики Zn-замещенных клатратных силицидов
Борщ Н.А., Переславцева Н.С., Курганский С.И.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 45, No: 6 , published: 06 June 2011
Рентгеновская и инфракрасная спектроскопия слоев, полученных совместным распылением разнесенных в пространстве источников SiO2 и Si
Шамин С.Н./Галахов В.Р./Аксенова В.И./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 4 , published: 16 September 2010
Мягкие рентгеновские эмиссионные спектры и ферромагнетизм в широкозонных легированных полупроводниках
Суркова Т.П./Галахов В.Р./Курмаев Э.З.
Физ. низ. температур, Vol: 35, No: 1 , published: 11 December 2009
Реконструкция полноэлектронных орбиталей из одноэлектронных псевдоволновых функций и расчеты интенсиностей рентгеновских эмиссионных спектров Si в кристаллах Si, b-SiC, стишовита, b-кристобалита
Пономарев Л.С./Тупицын И.И./Шулаков А.С.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 2 , published: 10 December 2009
Электронная структура и рентгеновские спектры сульфидов переходных металлов NiS, CuS и ZnS
Павлов Н.С./Галкин В.А./Некрасов И.А./Курмаев Э.З.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 11 , published: 17 November 2009
Electronic structure, optical and X-ray emission spectra in FeS[2]
Antonov V.N./Germash L.P./Shpak A.P./Yaresko A.N.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 2 , published: 16 April 2009
Submicron resolution X-ray diffraction from periodically patterned GaAs nanorods grown onto Ge_(111_)
Davyodok Anton/Biermanns Andreas/Pietsch Ullrich/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
In situ X-ray investigation of SiGe/Si islands grown by liquid phase epitaxy
Dieter S./Hanke M./Eisenschmidt C./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Influence of quantum-dots density on average in-plane strain of optoelectronic devices investigated by high-resolution X-ray diffraction
Freitas Raul O./Diaz Beatriz/Abramof Eduardo/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
A combined X-ray, ellipsometry and atomic force microscopy study on thin parylene-C films
Flesch Heinz-Georg/Werzer Oliver/Weis Martin/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Ripple structures on surfaces and underlying crystalline layers in ion beam irradiated Si wafers
Grenzer J./Biermanns A./M~:ucklich A./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Anomalous X-ray scattering study of the local structure in Ge_-Se glasses
Hosokawa S./Oh I./Sakurai M./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Interfacial roughness of Fe[3]Si/GaAs(001) films studied by X-ray crystal truncation rods
Kaganer Vladimir/Jenichen Bernd/Shayduk Roman/Braun Wolfgang
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Sensitivity of triple-crystal X-ray diffractometers to microdefects in silicon
Molodkin V.B./Olikhovskii S./Len E.G./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Elliptical micropipes in SiC revealed by computer simulating phase contrast images
Argnova Tatiana/Kohn Victor/Jung Ji-Won/Je Jung-Ho
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 8 , published: 30 March 2009
Влияние размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения на электрические параметры полупроводникового SmS
Шаренкова Н.В./Каминский В.В./Романова М.В./и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 50, No: 7 , published: 14 December 2008
Рентгеновская эмиссионная спектроскопия твердых тел с разрешением по глубине: исследование нанослоев a-Si/Al/c-Si
Шулаков А.С./Букин С.В./Зданчук Е.В./Тверьянович С.Ю.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 72, No: 4 , published: 20 April 2008
Исследования пористого InP методами рентгеновской дифракции, ИК-спектроскопии, УМРЭС, XANES и ФД
Домашевская Э.П./Кашкаров В.М./Середин П.В./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 72, No: 4 , published: 20 April 2008
Exciton spectroscopy of hexagonal boron nitride using nonresonant x-ray Raman scattering
Yejun Feng, J. A. Soininen, A. L. Ankudinov, J. O. Cross, G. T. Seidler, A. T. Macrander, J. J. Rehr, and E. L. Shirley
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 77, No: 16 , published: 08 April 2008
Особенности стационарной имплантации кристаллического кремния молекулярным кислородно-азотным пучком: рентгеновские Si L2.3-эмиссионные спектры
Зацепин Д.А./Шеин И.Р./Курмаев Э.З./и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 50, No: 1 , published: 15 January 2008
Абсолютная интенсивность и фаза резонансного рассеяния рентгеновских лучей в кристалле германия
Мухамеджанов Э.Х./Борисов М.М./Морковин А.Н./и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 86, No: 11-12 , published: 30 December 2007
Effects of annealing on the properties and structure of electrodeposited semiconducting Cu-O thin films
R. P. Wijesundera, M. Hidaka, K. Koga, M. Sakai, W. Siripala, Jae-Young Choi, Nark Eon Sung
Phys. Status Solidi B, Vol: 244, No: 12 , published: 01 December 2007
Экспериментальное обнаружение гибридизации электронных состояний примеси и полосы проводимости в системе HgSe:Fe
Окулов В.И.\Сабирзянов Л.Д.\Курмаев Э.З.\и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 81, No: 1-2 , published: 05 November 2007
Электронное состояние кобальта в пленках ZnO:Co
Лашкарев Г.В.\Карпина В.А.\Добровольский В.Д.\и др.
Укр. фiз. ж., Vol: 51, No: 5 , published: 09 September 2007
Electronic states and local structures of Cu ions in electrodeposited thin films of Cu and Cu[2]O from X-ray absorption spectra
Wijesundera R.P.\Hidaka M.\Siripala W.\et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 243, No: 8 , published: 03 September 2007
Анализ поляризационной зависимости тонкой структуры рентгеновского поглощения K-края азота в InN
Солдатов А.В.\Кравцова А.Н.
Оптика и спектроскопия, Vol: 101, No: 2 , published: 08 July 2007
Применение XAFS-спектроскопии для исследования микроструктуры и электронного строения квантовых точек
Эренбург С.Б.\Бауск Н.В.\Двуреченский А.В.\и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: 2007, No: 1 , published: 01 January 2007
Синхротронные исследования электронного строения нанокристаллов кремния в матрице SiO[2]
Терехов В.А.\Турищев С.Ю.\Кашкаров В.М.\и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: 2007, No: 1 , published: 01 January 2007
Сужение ультрамягких рентгеновских спектров и изменение зонной энергии электронов вследствие диспергирования порошков рутилоподобного TiO[2] до наноразмеров
Фоя А.А.\Зауличный Я.В.\Зарко В.И.\Бекенев В.Л.
Доп. Нац. АН Украïни, Vol: 2007, No: 2 , published: 01 January 2007
Моделирование рентгеновских спектров поглощения разбавленных магнитных полупроводников GaN:Mn, GaAs:Mn и Ge:Mn
Титов А.А.\Кулатов Э.Т.\Успенский Ю.А.\и др.
Кpатк. сообщ. по физ. ФИAН, Vol: 2006, No: 4 , published: 01 January 2006
X-ray powder diffraction study of the semiconducting alloy Cu[2]Cd[0.5]Mn[0.5]GeSe[4]
Delgado G.E./Quintero E./Tovar R./Quintero M.
Cryst. Res. Technol., Vol: 39, No: 9 , published: 07 May 2005
Рассеяние синхротронного излучения на InGaN-наноструктурах: эксперимент и численное моделирование
Пунегов В.И.\Казаков Д.В.\Павлов К.М.\и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: 2005, No: 8 , published: 01 January 2005
Application of Monte Carlo simualtion to structural analysis by soft X-ray emission spectroscopy for a silicide/Si-bulk system
Kinoshita Akimasa, Hirai Masaaki, Kusaka Masahiko, Iwami Motohiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 11 , 1999
Elimination of self-absorption in fluorescence hard-x-ray absorption spectra
Pfalzer P., Urbach J.-P., Klemm M., Horn S., denBoer Marten L., Frenkel Anatoly I., Kirkland J. P.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 13 , 1999
Geometric and electronic structure effects in polarized V K-edge absorption near-edge structure spectra of V[2]O[5]
Bocharov S., Kirchner Th., Drager G.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 20 , 1999
Combined EXAFS and first-principles theory study of Pb[1-x]Ge[x]Te
Ravel B., Cockayne E., Newville M., Rabe K. M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 21 , 1999
Soft-X-ray photoelectron, X-ray absorption, and autoionization spectroscopy of 1,5-cyclooctadiene on Si(001)-2 × 1
Jolly Florence, Bournel Fabrice, Rochet Francois, Dufour Georges, Sirotti Fausto, Taleb Amina
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 4 , 1999
High-pressure X-ray absorption study of InSe
Pellicer-Porres J., Segura A., Munoz V., Miguel A. San
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 6 , 1999
Theoretical and experimental analysis of the near-edge x-ray absorption structure in MnTe and Cd[1 - x]Mn[x]Te alloys
Oleszkiewicz J., Podgorny M., Kisiel A., Burattini E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 7 , 1999
Electronic density of empty states of Ge/Si(111) epitaxial layers: Theory and experiment
Castrucci P., Gunnella R., Crescenzi M. De, Sacchi M., Dufour G., Rochet F.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 8 , 1999
Электронная структура AgGaS[2]: анализ рентгеновских K-спектров поглощения серы
Яловега Г.Э., Солдатов А.В.
Оптика и спектроскопия, Vol: 86, No: 4 , 1999
X-ray spectroscopy thermally distorted electronic states in crystals
Dmitrienko V.E., Ovchinnikova E.N., Ishida K.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 69, No: 11-12 , 1999
Вплив дефектiв структури GaAs на характер лауе-дифракцii рентгенiвських променiв з довжинами хвиль, близькими до K-краiв поглинання атомiв пiдграток
Кладько В.П., Даценко Л.I., Мачулiн В.Ф.
Укр. фiз. ж., Vol: 44, No: 9 , 1999
Оже- и эмиссионные спектры углеродных нанотрубок
Бржезинская М.М., Байтингер Е.М., Кормилец В.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 41, No: 8 , 1999
О возможности исследования дисперсии энергетических зон кристалла по спектрам резонансной рентгеновской эмиссии
Бунин М.А.
Физ. тверд. тела, Vol: 41, No: 9 , 1999
Role of lone-pair electrons in reversible photostructural changes in amorphous chalcogenides
Kolobov A., Oyanagi H., Roy A., Tanaka K.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
X-ray absorption spectroscopy on light emitting porous silicon by XEOL and TEY
Dalba G., Daldosso N., Fornasini P., Graziola R., Grisenti R., Rocca F.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 232-2, No: , 1998
Electronic structure of VO[2] studied by X-ray photoelectron and X-ray emission spectroscopies
Kurmaev E.Z., Cherkashenko V.M., Yarmoshenko Yu M., Bartowski St, Postnikov A.V., Neumann M., Duda L.-C., Guo J.H., Nordgren J., Perelyaev V.A., Reichelt W.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 10, No: 18 , 1998
Full-multiple-scattering approach to L[3] X-ray absorption near edge structures of amorphous germanium
Yanagisawa O., Fujikawa T., Naoe Sh.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 1 , 1998
Characterization of ZnSe/GaAs(001) heteroepitaxial interfaces by X-ray reflectivity measurement
Takase A., Kuribayashi M., Ishida K. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 6A , 1998
X-ray characterization of an Esaki-Tsu superlattice and transport properties
Grenzer J., Schomburg E., Ignatov A.A., Renk K.F., Pietsch U., Zeimer U. et al.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 7 , 1998
Эффективность генерации рентгеновского SiL[2,3] излучения электронным ударом в системе SiO[2]/Si
Шулаков А.С., Брайко А.П., Мороз Н.В., Фомичев В.А.
Физ. тверд. тела, Vol: 40, No: 10 , 1998
Определение параметра решетки и одноэлектронного модельного потенциала соединения CdS с помощью спектров поглощения мягкого рентгеновского излучения
Мигаль Ю.Ф., Лаврентьев А.А., Габрельян Б.В., Никифоров И.Я.
Физ. тверд. тела, Vol: 40, No: 12 , 1998
Determination pf anomalous scattering factor by using transmitted rocking curves near the absorption edge
Zhou Sh., Yoshizawa M., Fukamachi T., Negishi R., Kawamura T., Nakajima T., Zhao Z.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 36, No: 10 , 1997
Excitation energy dependence of SL[2,3] X-ray fluorescent emission of BaNiS[2] near the S 2p threshold
Kurmaev E.Z., Stadler S., Ederer D.L., Hase I., Yarmoshenko Yu.M., Neumann M., Zatsepin D.A., Fujimori A., Sato M., Perera R.C.C., Grush M.M., Calcott T.A.
Phys. Lett. A, Vol: 235, No: 2 , 1997
III-V diluted magnetic semiconductor: Substitutional doping of Mn in InAs
Soo Y.L., Huang S.W., Ming Z.H., Kao Y.H., Munekata H., Chang L.L.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 53, No: 8 , 1996
Observation of coherent bremsstrahlung in quasicrystalline Al-Cu-Co-Si
Sigle W., Carstanjen H.D.
Phil. Mag. B, Vol: 66, No: 4 , 1992
Site of Mn in Mn delta-doped GaAs: X-ray absorption spectroscopy
d`Acapito F., Smolentsev G., Boscherini F., Piccin M., Bais G., Rubini S., Martelli F., Franciosi A.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 73, No: 3
Compton scattering study of ZnSe
Vyas V., Purvia V., Sharma Y.C., et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 243, No: 6
Compton scattering study of ZnSe
Vyas V., Purvia V., Sharma Y.C., et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 243, No: 6
Рентгеновские спектpы и электpонная стpуктуpа алюминия в вюpцитных кpисталлах AlN и B[x]Al[1-x]N
Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоpов И.Я.
Физ. тверд. тела, Vol: 48, No: 2
Эффект больших доз в pентгеновских эмиссионных спектpах кpемния, имплантиpованного ионами железа
Зацепин Д.А., Яненкова Е.С., Куpмаев Э.З., и дp.
Физ. тверд. тела, Vol: 48, No: 2
Электpонная энеpгетическая стpуктуpа и pентгеновские спектpы кpисталлов GaN и B[x]Ga[1-x]N
Илясов В.В., Жданова Т.П., Никифоpов И.Я.
Физ. тверд. тела, Vol: 48, No: 4
Direct observation of a neutral Mn acceptor in Ga[1-x]Mn[x]As by resonant x-ray emission spectroscopy
Ishiwata Y., Takeuchi T., Eguchi R., Watanabe M., Harada Y., Kanai K., Chainani A., Taguchi M., Shin S., Debnath M. C., Souma I., Oka Y., Hayashi T., Hashimoto Y., Katsumoto S., Iye Y.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 71, No: 12
X-ray absorption spectroscopic study on Ti/n-GaN
Senthil Kumar M., Suresh Kumar V., Asokan K., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 202, No: 14
Thermal annealing effect in GaInNAs thin films estimated by fluorescence X-ray absorption fine structure spectroscopy
Lee Seung-Chul, Her Jin-Cherl, Han Sang-Myeon, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
Thermal annealing effect in GaInNAs thin films estimated by fluorescence X-ray absorption fine structure spectroscopy
Uno Kazuyuki, Yamada Masako, Takizawa Toshiyuki, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
Electronic structure studies of V[6]O[13] by soft x-ray emission spectroscopy: Band-like and excitonic vanadium states
Schmitt T., Duda L.-C., Matsubara M., Mattesini M., Klemm M., Augustsson A., Guo J.-H., Uozumi T., Horn S., Ahuja R., Kotani A., Nordgren J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 69, No: 12
Nitrogen local electronic structure in Ga(In)AsN alloys by soft-x-ray absorption and emission: Implications for optical properties
Strocov V. N., 1 , Nilsson P. O., Schmitt T., Augustsson A., Gridneva L., Debowska-Nilsson D., Claessen R., Egorov A. Yu., Ustinov V. M., Alferov Zh. I.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 69, No: 3
Band structure effects in nitrogen K-edge resonant inelastic X-ray scattering from GaN
Strocov V.N., Schmitt T., Rubensson J.-E., et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 241, No: 7
Влияние пpостpанственной анизотpопии одноосных кpисталлов на отpажение pентгеновских лучей; оpиентационные зависимости К-спектpов отpажения гексагональных BN в CdS
Филатова Е.О., Таpачева Е.Ю., Андpе Ж.-М.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 68, No: 4
Вклад амоpфной фазы в нанокомпозитные пленки геpмания и аpсенида галлия по данным EXAFS-спектpоскопии
Валеев Р.Г., Деев А.Н.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: 00, No: 11
Grazing incidence small-angle X-ray scattering study of defects in deuterium implanted monocrystalline silicon
Dubcek P., Pivac B., Bernstorff S., et al.
J. Appl. Crystallogr. , Vol: 3, No: 1
In situ of the formation of CdS nanoparticles by small-angle scattering
Meneau F., Cristol S., Sankar G., et al.
J. Appl. Crystallogr. , Vol: 3, No: 1
Оптичнi i стpуктуpнi дослiдження пpотоноопpомiненого монокpисталiчного кpемнiю
Ваpнiна В.I., Гpоза А.А., Литовченко П.Г., и дp.
Укр. фiз. ж., Vol: 48, No: 3
Синхротронные исследования энергетического спектра электронов в наноструктурах на основе A{III}B{V}
Домашевская Э.П., Терехов В.А., Кашкаров В.М., и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 8
High-pressure x-ray-absorption study of GaSe
Pellicer-Porres J., Segura A., Ferrer Ch., Munoz V., Miguel A. San, Polian A., Itie J. P., Gauthier M., Pascarelli S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 17
Spatial distribution of photoelectrons participating in formation of x-ray absorption spectra
Sipr O.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 20
Band-gap evolution, hybridization, and thermal stability of In[x]Ga[1-x]N alloys measured by soft X-ray emission and absorption
Ryan Philip, McGuinness Cormac, Downes James E., Smith Kevin E., Doppalapudi Dharanipal, Moustakas Theodore D.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 20
Electronic states in Ga[1-x]Mn[x]As: Substitutional versus interstitial position of Mn
Maca F., Masek J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 23
Lateral composition modulation in (InAs)[n]/(AlAs)[m] short-period superlattices investigated by high-resolution x-ray scattering
Li J. H., Holy V., Meduna M., Moss S. C., Norman A. G., Mascarenhas A., Reno J. L.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 11
Atomic structure and chemical order in Ge-As selenide and sulfoselenide glasses: An x-ray absorption fine structure spectroscopic study
Sen S., Aitken B. G.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 13
Phonon-electron interaction and vibration correlations in germanium within a broad temperature interval
Kirfel A., Grybos J., Dmitrienko V. E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 16
Inelastic x-ray scattering from 6H-SiC
Montano P. A., Price D. L., Macrander A. T., Cooper B. R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 16
Epitaxy and strain in the growth of GaN on AlN: A polarized x-ray absorption spectroscopy study
d`Acapito F., Boscherini F., Mobilio S., Rizzi A., Lantier R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 20
Local structure of Ge quantum dots self-assembled on Si(100) probed by x-ray absorption fine-structure spectroscopy
Kolobov Alexander V., Oyanagi Hiroyuki, Wei Shiqiang, Brunner Karl, Abstreiter Gerhard, Tanaka Kazunobu
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 7
Bulk Band Gaps in Divalent Hexaborides
Denlinger J. D., Clack J. A., Allen J. W., Gweon G.-H., Poirier D. M., Olson C. G., Sarrao J. L., Bianchi A. D., Fisk Z.
Phys. Rev. Lett., Vol: 89, No: 15
Электронная структура ErS и PrS: анализ рентгеновских К-спектров поглощения серы
Яловега Г.Э., Солдатов А.В.
Оптика и спектроскопия, Vol: 93, No: 1
Thin films and deposition processes studied by soft X-ray spectroscopy
Galnander B.
Acta univ. upsal. Compr. Summ. Uppsala Diss. Fac. Sci. and Technol., Vol: , No: 622
Study of the Si(111) "5×5"-Cu surface structure by X-ray diffraction and scanning tunneling microscopy
Nakatani Shinichiro, Kuwahara Yuji, Kuramochi Hiromi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 7A
Formation of cobalt disilicide films on (sqrt(3)×sqrt(3))6H-SiC(0001)
Platow W., Wood D. K., Tracy K. M., Burnette J. E., Nemanich R. J., Sayers D. E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 11
Zn incorporation in CdS nanoparticles in glass
Persans P. D., Lurio L. B., Pant J., Lian G. D., Hayes T. M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 11
Lattice distortion in In[x]Ga[1-x]As/InP epitaxial films: A second- and third-shell XAFS study
Tormen M., Salvador D. De, Drigo A. V., Romanato F., Boscherini F., Mobilio S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 11
X-ray absorption spectroscopy study of diluted magnetic semiconductors: Zn[1-x]M[x]Se (M=Mn, Fe, Co) and Zn[1-x]Mn[x]V (Y=Se, Te)
Cho K., Koh H., Park J., et al.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 15
Optical properties of δ-doped ZnSe:Te grown by molecular beam epitaxy: The role of tellurium
Kuskovsky I.L., Tian C., Neumark G.F., et al.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 15
Electric-field-induced charge-density variations in covalently bonded binary compounds
Stahn J., Pietsch U., Blaha P., Schwarz K.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 16
Interface bonding for Fe thin films on GaAs surfaces of differing morphology
Freeland J.W., Coulthard I., Antel W.J., Jr.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 19
Evidence of quantum size effect in nanocrystalline silicon by opticla absorption
Matsumoto T., Suzuki J., Ohnuma M., et al.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 19
Sift X-ray magnetic circular dichroism study of the ferromagnetic spinel-type Cr chalcogenides
Kimura A., Matsuno J., Okabayashi J., et al.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 22
Local lattice distortion in Si[1-x-y]Ge[x]C[y] epitaxial layers from x-ray absorption fine structure
Salvador D. De, Tormen M., Berti M., Drigo A. V., Romanato F., Boscherini F., Stangl J., Zerlauth S., Bauer G., Colombo L., Mobilio S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 4
Structural-relaxation-induced bond length and bond angle changes in amorphized Ge
Glover C. J., Ridgway M. C., Yu K. M., Foran G. J., Desnica-Frankovic D., Clerc C., Hansen J. L., Nylandsted-Larsen A.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 7
Theoretical study of the near-edge Cu L x-ray absorption spectrum of copper phthalocyanine
Carniato S., Luo Y., Agren H.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 8
Ge and As x-ray absorption fine structure spectroscopic study of homopolar bonding, chemical order, and topology in Ge-As-S chalcogenide glasses
Sen S., Ponader C. W., Aitken B. G.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 10
Electronic structure of ultrathin Ge layers buried in Si(100)
Nilsson P. O., Mankefors S., Guo J., Nordgren J., Debowska-Nilsson D., Ni W.-X., Hansson G. V.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 11
Resonant scattering in germanium
Lee T. L., Felici R., Hirano K., Cowie B., Zegenhagen J., Colella R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 20
Temperature-induced distortions of electronic states observed via forbidden Bragg reflections in germanium
Kokubun Jun, Kanazawa Masayuki, Ishida Kohtaro, Dmitrienko Vladimir E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 7
Phonon Dispersion Curves in Wurtzite-Structure GaN Determined by Inelastic X-Ray Scattering
Ruf T., Serrano J., Cardona M., Pavone P., Pabst M., Krisch M., D`Astuto M., Suski T., Grzegory I., Leszczynski M.
J. Electron. Mater., Vol: 86, No: 5
Исследование электронной структуры аморфного кремния и силицина методом рентгеновской спектроскопии
Машин А.И., Хохлов А.Ф., Домашевская Э.П. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 8
Природа селективного максимума BK-края поглощения и электронная энергетическая структура кристалла 3C BN[0.99]
Илясов В.В., Никифоров И.Я.
Физ. тверд. тела, Vol: 43, No: 2
Valence band density of states of transition metal silicides studied by soft X-ray emission spectroscopy
Wang Jin-liang, Wang Tian-min
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 21, No: 8
Compton profile study of bonding in ZnTe
Sharma Y., Asawat S.S., Ramesh T. et al.
Ind. J. Eng. and Mater. Sci, Vol: 7, No: 5-6
High-pressure x-ray absorption study of GaTe including polarization
Pellicer-Porres J., Segura A., Mu&ntilde, oz V., Miguel A. San
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 1
Calculation of X-ray-absorption spectra of strongly correlated systems
Mahadevan Priya, Sarma D. D.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 11
Local atomic structure of CdTe:In at high In concentrations
Espinosa F. J., Leon J. Mustre de, Conradson S. D., Pena J. L., Zapata-Torres M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 11
Electronic structure of silicon nanowires: A photoemission and X-ray absorption study
Zhang Y. F., Liao L. S., Chan W. H., Lee S. T., Sammynaiken R., Sham T. K.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 12
Ge/Si(001)[c](4×2) interface formation studied by high-resolution Ge 3d and Si 2p core-level spectroscopy
Larciprete R., Padova P. De, Quaresima C., Ottaviani C., Perfetti P., Peloi M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 23
Effects of electron-hole interaction on the dynamic structure factor: Application to nonresonant inelastic X-ray scattering
Soininen J. A., Shirley Eric L.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 24
X-ray scattering study of the Ge(001):Te(1×1) surface structure
Sakata Osami, Lyman P. F., Tinkham B. P., Walko D. A., Marasco D. L., Lee T.-L., Bedzyk M. J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 24
Layer perfection in ultrathin InAs quantum wells in GaAs(001)
Gupta J. A., Watkins S. P., Crozier E. D., Woicik J. C., Harrison D. A., Jiang D. T., Pickering I. J., Karlin B. A.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 3
Electronic structure and X-ray bands of CoSi[2]
Simunek Antonin, Vackar Jiri, Polcik Martin, Drahokoupil Jiri, Wolf Walter, Podloucky Raimund
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 7
Theoretical investigation of the thickness dependence of soft-X-ray emission from thin AlAs(100) layers buried in GaAs
Mankefors S., Nilsson P. O., Kanski J., Andersson T., Karlsson K., Agui A., Sathe C., Guo J.-H., Nordgren J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 8
Evidence of x-ray absorption-edge shift as a function of luminescence wavelength in porous silicon
Dalba G., Daldosso N., Fornasini P., Grimaldi M., Grisenti R., Rocca F.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 15
Density, sp{3} fraction, and cross-sectional structure of amorphous carbon films determined by x-ray reflectivity and electron energy-loss spectroscopy
Ferrari A. C., Libassi A., Tanner B. K., Stolojan V., Yuan J., Brown L. M., Rodil S. E., Kleinsorge B., Robertson J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 16
Local structure of (Ge[4]Si[4])[5] monolayer strained-layer superlattice probed by fluorescence x-ray absorption fine structure
Wei Shiqiang, Oyanagi Hiroyuki, Sakamoto K., Takeda Y., Pearsall T. P.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 3
Auxiliary particle theory of threshold singularities in photoemission and X-ray absorption spectra: Test of a conserving T-matrix approximation
Schauerte Thomas, Kroha Johann, Wolfle Peter
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 7
Структура и электрические свойства твердых растворов InTe[1-x]Se[x], In[1-x]Ga[x]Te и In[1-x]Tl[x]Te
Лебедев А.И., Мичурин А.В., Случинская И.А. и др.
Кристаллография, Vol: 47, No: 4
Электронно-энергетическая структура полупроводниковых шпиенелей In[2]S[3] и CdIn[2]S[4] по данным рентгеновской спектроскопии и теоретических расчетов
Лаврентьев А.А., Сафонцева Н.Ю., Дубейко В.А. и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 42, No: 11
XANES and XPS analyses of silicon irradiated by deuterium ions
Yoshida Tomoko, Tanabe Tetsuo, Yoshida Hisao et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 1, No: Suppl
Soft X-ray absorption study of III-V nitrides
Fukui Kazutoshi, Hirai Ryousuke, Yamamoto Akio et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 1, No: Suppl
Fluorescence EXAFS study on local structures around Bi atoms in InAs[1-x]Bi[x] grown by low-pressure MOVPE
Ofuchi Hironori, Kubo Toshihiko, Tabuchi Masao et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 1, No: Suppl
Characterisation of ion-implantation-induced disorder in GaAs by EXAFS
Glover C.J., Yu K.M., Ridgway M.C., Foran G.J.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 1, No: Suppl
Angular dependence of Al-2p X-ray yield spectra of GaAs/AlAs/GaAs heterostructures
Inoue Koichi, Agui Akane, Shin Shik
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 1, No: Suppl