www.viniti.ru Всероссийский Институт Научной и Технической Информации
 

База данных PEIS-V больше не обновляется с 1 июня 2018г.

The PEIS-V database is no longer updated from June 1, 2018


Physics Electronic Information Service by VINITI

PEIS-V | Help

   Electrical properties of solids.
      Semiconductors.
         Luminescence.
            Electroluminescence.
Green electroluminescence from an n-ZnO: Er/p-Si heterostructured light-emitting diode
Pages 2721-2724
Physica B, Vol: 407, No: 14 , published: 15 July 2012
Ultraviolet electroluminescence from ordered ZnO nanorod array/p-GaN light emitting diodes
J. J. Dong, X. W. Zhang, Z. G. Yin, J. X. Wang, S. G. Zhang, F. T. Si, H. L. Gao, X. Liu
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 17 , published: 23 April 2012
Electroluminescence properties of organic nanostructures studied by scanning tunnelling microscopy
Klaus Kuhnke, Alexander Kabakchiev, Theresa Lutz and Klaus Kern
Phys. Status Solidi B, Vol: 249, No: 4 , published: 16 April 2012
Electroluminescence from One-Dimensionally Self-Aligned Si-Based Quantum Dots with High Areal Dot Density
Katsunori Makihara, Hidenori Deki, Mitsuhisa Ikeda, and Seiichi Miyazaki
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 51, No: 4S , published: 12 April 2012
Study of droop phenomena in InGaN-based blue and green light-emitting diodes by temperature-dependent electroluminescence
Dong-Soo Shin, Dong-Pyo Han, Ji-Yeon Oh, Jong-In Shim
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 15 , published: 09 April 2012
Electroluminescence from strained germanium membranes and implications for an efficient Si-compatible laser
Donguk Nam, David Sukhdeo, Szu-Lin Cheng, Arunanshu Roy, Kevin Chih-Yao Huang, Mark Brongersma, Yoshio Nishi, Krishna Saraswat
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 13 , published: 26 March 2012
A device with two kinds of functions —Ultraviolet photodetector and electroluminescence: Fabrication and carrier transport mechanism
Hai Zhou, Guojia Fang, Yongdan Zhu, Nishuang Liu, Haoning Wang, Huihui Huang, Songzhan Li and Xingzhong Zhao
Europhys. Lett. , Vol: 97, No: 6 , published: 22 March 2012
Evidence for different origins of the magnetic field effect on current and electroluminescence in organic light-emitting diodes
Andreas Buchschuster, Tobias D. Schmidt, Wolfgang Brütting
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 12 , published: 19 March 2012
Terahertz electroluminescence from 6Н-SiC structures with natural superlattice
V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zakhar`in, A. G. Petrov
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 11 , published: 12 March 2012
Dominant ultraviolet electroluminescence from p-ZnO:As/n-SiC(6H) heterojunction light-emitting diodes
Zhifeng Shi, Xiaochuan Xia, Wei Yin, Shikai Zhang, Hui Wang, Jin Wang, Long Zhao, Xin Dong, Baolin Zhang, Guotong Du
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 10 , published: 05 March 2012
High brightness alternating current electroluminescence with organic light emitting material
Ajay Perumal, Björn Lüssem, Karl Leo
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 10 , published: 05 March 2012
Optimum strain configurations for carrier injection in near infrared Ge lasers
O. Aldaghri, Z. Ikonić, R. W. Kelsall
J. Appl. Phys. , Vol: 111, No: 5 , published: 01 March 2012
Strong visible and near-infrared electroluminescence and formation process in Si-rich polymorphous silicon carbon
Junzhuan Wang, Linwei Yu, Sergey Abolmasov, Ka Hyun Kim, Pere Roca i Cabarrocas
J. Appl. Phys. , Vol: 111, No: 5 , published: 01 March 2012
Numerical simulation of optical feedback on a quantum dot lasers
Al-Khursan Amin H., Ghalib Basim Abdullattif, Al-Obaidi Sabri J.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 46, No: 2 , published: 24 February 2012
Неравномерность пространственного распределения отрицательной люминесценции в фотодиодах на основе InAsSb(P) (длинноволновая граница lambda 0.1=5.2 мкм)
Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Мжельский И.В., Половинкин В.Г., Ременный М.А., Рыбальченко А.Ю., Стусь Н.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 46, No: 2 , published: 24 February 2012
White Polarized Electroluminescence Devices by Dye Deposition on Oriented Polyfluorene Films
Claire Heck, Toshiko Mizokuro, and Nobutaka Tanigaki
Appl. Phys. Express, Vol: 5, No: 2 , published: 15 February 2012
Tunable electroluminescence from low-threshold voltage LED structure based on electrodeposited Zn1−xCdxO-nanorods/p-GaN heterojunction
Th. Pauporté, O. Lupan and B. Viana
Phys. Status Solidi A, Vol: 209, No: 2 , published: 11 February 2012
Ultraviolet electroluminescence from colloidal ZnO quantum dots in an all-inorganic multilayer light-emitting device
T. Omata, Y. Tani, S. Kobayashi, K. Takahashi, A. Miyanaga, Y. Maeda, S. Otsuka-Yao-Matsuo
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 6 , published: 06 February 2012
Поляризационные зависимости электролюминесценции и поглощения вертикально-коррелированных InAs/GaAs-квантовых точек
Соболев М.М., Гаджиев И.М., Бакшаев И.О., Неведомский В.Н., Буяло М.С., Задиранов Ю.М., Золотарева Р.В., Портной Е.Л.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 46, No: 1 , published: 21 January 2012
Low-voltage driven visible and infrared electroluminescence from light-emitting device based on Er-doped TiO2/p+-Si heterostructure  
Yang Yang,Lu Jin,Xiangyang Ma,Deren Yang
Appl. Phys. Lett. , Vol: 100, No: 3 , published: 18 January 2012
Electroluminescence of molecules in a scanning tunneling microscope: Role of tunneling electrons and surface plasmons
Guangjun Tian and Yi Luo
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 84, No: 20 , published: 14 November 2011
Improved III-nitrides based light-emitting diodes anti-electrostatic discharge capacity with an AlGaN/GaN stack insert layer
Li Zhicong, Li Panpan, Wang Bing, Li Hongjian, Liang Meng, Yao Ran, Li Jing, Deng Yuanming, Yi Xiaoyan, Wang Guohong,  Li Jinmin
J. Semicond., Vol: 32, No: 11 , published: 11 November 2011
Интерфейсная электролюминесценция в изотипном гетеропереходе II типа InAs/InAsSbP при комнатной температуре
Григорьев М.М., Иванов Э.В., Моисеев К.Д.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 45, No: 10 , published: 15 October 2011
Molecular beam epitaxy growth of InGaSb/AlGaAsSb strained quantum well diode lasers
Zhang Yu, Wang Guowei, Tang Bao, Xu Yingqiang, Xu Yun, Song Guofeng
J. Semicond., Vol: 32, No: 10 , published: 14 October 2011
Сравнительный анализ спектров поглощения и излучения порошков оксида цинка
М. М. Михайлов, В. В. Нещименко, Чундун Ли
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: 2011, No: 8 , published: 22 August 2011
Development of Novel System Combining Scanning Tunneling Microscope-Based Cathodoluminescence and Electroluminescence Nanospectroscopies
Kentaro Watanabe, Yoshiaki Nakamura, Shigeyuki Kuboya, Ryuji Katayama, Kentaro Onabe, and Masakazu Ichikawa
Jpn. J. Appl. Phys., Part 4 , Vol: 50, No: 8S3 , published: 14 August 2011
Green/Red Electroluminescence from Metal–Oxide–Semiconductor Devices Fabricated by Spin-Coating of Rare-Earth Organic Compounds on Silicon
Takashi Ohzone, Toshihiro Matsuda, Souta Hase, Shingo Nohara, and Hideyuki Iwata
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 50, No: 6R , published: 27 June 2011
Характеристики излучения тонкопленочных электролюминесцентных источников на базе нанокомпозитных пленок ZnSe
Валеев Р.Г., Бельтюков А.Н., Ветошкин В.М., Романов Э.А., Елисеев А.А.
Ж. техн. физ., Vol: 81, No: 6 , published: 18 June 2011
Transient electroluminescence spikes in small molecular organic light-emitting diodes
Rui Liu, Zhengqing Gan, Ruth Shinar, and Joseph Shinar
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 83, No: 24 , published: 03 June 2011
Терагерцовое излучение, вызванное ванье-штарковской локализацией электронов в естественной сверхрешетке карбида кремния
Санкин В.И., Андрианов А.В., Захарьин А.О., Петров А.Г.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 94, No: 5 , published: 24 May 2011
UV and Visible Electroluminescence From a  Sn:Ga2O3/n+-Si Heterojunction by Metal–Organic Chemical Vapor Deposition
Jun Liang Zhao Xiao Wei Sun Hyukhyun Ryu Swee Tiam Tan
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 58, No: 5 , published: 14 May 2011
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
Слипченко С.О., Подоскин А.А., Пихтин Н.А., et al.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 45, No: 5 , published: 11 May 2011
Электролюминесцентные характеристики светодиодов среднего ИК-диапазона на основе гетероструктур InGaAsSb/GaAlAsSb при высоких рабочих температурах
Петухов А.А., Журтанов Б.Е., Молчанов С.С., et al.
Ж. техн. физ., Vol: 81, No: 4 , published: 17 April 2011
Excited State Bilayer Quantum Dot Lasers at 1.3 μm
Mohammed A. Majid, David T. D. Childs, Hifsa Shahid, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 50, No: 4S , published: 06 April 2011
Effects of the Hole Tunneling Barrier Width on the Electrical Characteristic in Silicon Quantum Dots Light-Emitting Diodes
Tae-Youb Kim, Nae-Man Park, Cheol-Jong Choi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 50, No: 4S , published: 06 April 2011
Direct Observation of Carrier Behavior Leading to Electroluminescence in Tetracene Field-Effect Transistor
Yuki Ohshima, Hideki Satou, Nobuaki Hirako, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 50, No: 4S , published: 06 April 2011
Influence of as on the Morphologies and Optical Characteristics of GaSb/GaAs Quantum Dots
Chi-Che Tseng, Shu-Cheng Mai, Wei-Hsun Lin, Shung-Yi Wu, Bang-Ying Yu, Shu-Han Chen, Shih-Yen Lin,Jing-Jong Shyue, Meng-Chyi Wu
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 47, No: 3 , published: 20 March 2011
Green Gap Spectral Range Light-Emitting Diodes with Self-Assembled InGaN Quantum Dots Formed by Enhanced Phase Separation
Il-Kyu Park and Seong-Ju Park
Appl. Phys. Express, Vol: 4, No: 4 , published: 18 March 2011
Optical and Electrical Properties of µ-Slice InGaN/GaN Light Emitting Diodes Shaped by Focused Ion Beam Process
Che-Kang Hsu, Jinn-Kong Sheu, Jia-Kuen Wang, Ming-Lun Lee, Kuo-Hua Chang, Shang-Ju Tu, and Wei-Chih Lai
Appl. Phys. Express, Vol: 4, No: 3 , published: 17 March 2011
Determination of the exciton singlet-to-triplet ratio in single-layer organic light-emitting diodes
M. Carvelli, R. A. J. Janssen, and R. Coehoorn
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 83, No: 7 , published: 23 February 2011
Optical phonon scattering of cavity polaritons in an electroluminescent device
A. Delteil, A. Vasanelli, P. Jouy, D. Barate, J. C. Moreno, R. Teissier, A. N. Baranov, and C. Sirtori
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 83, No: 8 , published: 09 February 2011
Electric Field Induced Carrier Sweep-Out in Tandem InGaN Multi-Quantum-Well Self-Pulsating Laser Diodes
Yoshinobu Kawaguchi, Yoshihiko Tani, Pablo O. Vaccaro et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 50, No: 2 , published: 07 February 2011
Characterization of the InGaN/GaN Multi-Quantum-Wells Light-Emitting Diode Grown on Patterned Sapphire Substrate with Wide Electroluminescence Spectrum
Ah Reum Lee, Hunsoo Jeon, Gang-Seok Lee, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 50, No: 1S1 , published: 19 January 2011
Solution-Processed Small Molecular Organic Light-Emitting Devices with a Mixed Single Layer
Zhaokui Wang, Shigeki Naka, Hiroyuki Okada
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Highly Efficient Green Phosphorescent Organic Light-Emitting Diodes with High Electron Mobility
Eun Young Choi, Ji Hyun Seo, Heo Min Kim, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Fabrication of Organic Light-Emitting Diodes Using Photosynthetic Pigments Extracted from Spinach
Naoki Ohtani, Natsuko Kitagawa, Takashi Matsuda
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Self-Aligned Organic Light-Emitting Diodes with Color Changing by Ink-Jet Printing Dots
Ryu-ichi Satoh, Shigeki Naka, Miki Shibata, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Enhancement of Electron Injection in Organic Light-Emitting Diodes with Photosensitive Charge Generation Layer
Yuta Okawa, Shigeki Naka, Hiroyuki Okada
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Double-Faced Organic Light-Emitting Device Using Laminate Method
Takahiro Minani, Ryu-ichi Satoh, Hiroyuki Okada, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 3, Vol: 50, No: 1S2 , published: 18 January 2011
Efficiency dependence on degree of localization states in GaN-based asymmetric two-step light-emitting diode with a low indium content InGaN shallow step
Kuo C.-H./Fu Y.K./Chi G.C./Chang S.-J.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 46, No: 3 , published: 16 December 2010
Электролюминесценция на длине волны 1.5 мкм в диодных структурах Si : Er/Si, легированных акцепторами Al, Ga, B
Кузнецов В.П., Шмагин В.Б., Марычев М.О., et al.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 12 , published: 12 December 2010
An AlN sacritficial buffer layer inserted into the GaN/patterned sapphire substrate for a chemical lift-off process
Lin Chia-Feng/Dai Jing-Jie/Lin Ming-Shiou/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 26 November 2010
Marked enhancement in the efficiency of deep-ultraviolet AlGaN light-emitting diodes by using a multiquantum-barrier electron blocking layer
Hirayama Hideki/Tsukada Yusuke/Maeda Tetsutoshi/Kamata Norihiko
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 26 November 2010
Effect of growth temperature on the electron-blocking performance of InAlN layers in green emitting diodes
Fischer Alec M./Sun Kewei W./Juday Reid/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 26 November 2010
222 nm deep-ultraviolet AlGaN quantum well light-emitting diode with vertical emission properties
Hirayama Hideki/Noguchi Norimichi/Kamata Norihiko
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 26 November 2010
ZnO:Sb/ZnO:Ga light emitting diode on c-plane sapphire by molecular beam epitaxy
Yang Zheng/Chu Sheng/Chen Winnie V./et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 26 November 2010
High power blue-violet superluminescent light emitting diodes with InGaN quantum wells
Rossetti Marco/Dorsaz Julien/Rezzonico Raffaele/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 6 , published: 26 November 2010
High-Efficiency Blue and True-Green-Emitting Laser Diodes Bases on Non-c-Plane Oriented GaN Substrates
James W.Raring/Mathew C.Schmidt/Cristiane Poblenz/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 11 , published: 15 November 2010
Energy Barrier Reduction and Exciton Confinement Using an Intermediate Blocking Layer in Organic Light-Emitting Diodes
Jin Woo Park\Jin Young Oh\Hyeon Seok Hwang\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 11R , published: 05 November 2010
Formation of TiO2 Nano Pattern on GaN-Based Light-Emitting Diodes for Light Extraction Efficiency
Joong-Yeon Cho/Kyeong-Jae Byeon/Hyoungwon Park/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 10R , published: 25 October 2010
Low-Voltage, Simple-Structure, High-Efficiency p–i–n-Type Electrophosphorescent Blue Organic Light-Emitting Diodes
Jae Hyung Yu/Woo Sik Jeon/Jung Soo Park/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 10R , published: 20 October 2010
Ligh-current characteristics of vertical-cavity surface-emitting lasers with external optical feedback
Zhang Xing/Ning Yongqiang/Sun Yanfang/et al.
J. Semicond., Vol: 31, No: 3 , published: 13 October 2010
Investigation of Remote-Phosphor White Light-Emitting Diodes with Multi-Phosphor Layers
Yiting Zhu/Nadarajah Narendran
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 10R , published: 10 October 2010
Initial rise of transient electroluminescence in doped Alq3 films
Uddin A./Lee C.B./Andersson T.G.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 10 , published: 08 October 2010
545 nm Room-Temperature Continuous-Wave Operation of BeZnCdSe Quantum-Well Green Laser Diodes with Low Threshold Current Density
Jun-ichi Kasai, Ryouichi Akimoto, Haruhiko Kuwatsuka, et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 9 , published: 25 September 2010
Anomalous light emission from metal phthalocyanine films on Au(111) acitvated by tunneling-current-induced surface plasmon
Okada Arifumi/Kanazawa Ken/Hayashi Kiwamu/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 1 , published: 24 September 2010
Structure and Ultraviolet Electroluminescence of n -ZnO/SiO2-ZnO Nanocomposite/ p -GaN Heterostructure Light-Emitting Diodes
Miin-Jang Chen, Ying-Tsang Shih, Mong-Kai Wu, et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 57, No: 9 , published: 19 September 2010
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик_-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т./Сабитов О.Ю./Афанасьев А.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 4 , published: 16 September 2010
Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик_-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т./Сабитов О.Ю./Афанасьев А.М.
Письма в ЖТФ, Vol: 36, No: 1 , published: 14 September 2010
Optical properties of modulation-doped InGaAs vertically coupled quantum dots
K.Y. Chuang, T.E. Tzeng, David J.Y. Feng, T.S. Lay
Physica E, Vol: 42, No: 10 , published: 01 September 2010
(In)AlGaN deep ultraviolet light emitting diodes with optimized quantum well width
Kolbe Tim/Sembdner Toni/Knauer Arne/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 9 , published: 01 September 2010
Codoped spacer ratio effect on electroluminescence characteristics of hybrid white organic light-emitting diodes for reduced efficiency roll-off
Seo Ji Hoon, Park Jung Sun, Lee Seok Jae et al.
J. Supercomput., Vol: 49, No: 9R , published: 01 September 2010
Enhanced optical output power of tunnel junction GaN-based light emitting diodes with transparent conducting Al and Ga-codoped ZnO thin films
Kim Tae Hoon, Ju Young-Gu, Park Lee Soon et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 9R , published: 01 September 2010
High Quality InGaN/AlGaN Multiple Quantum Wells for Semipolar InGaN Green Laser Diodes
You-Da Lin, Shuichiro Yamamoto, Chia-Yen Huang, et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 8 , published: 24 August 2010
Electroluminescence From Ferromagnetic Fe-Doped ZnO Nanorod Arrays on p-Si
Bo Ling, Jun Liang Zhao, Xiao Wei Sun, et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 57, No: 8 , published: 22 August 2010
Диодные структуры Si:Er/Si для наблюдения электролюминесценции на длине волны 1.5 мкм при 300 К
Кузнецов В.П./Кузнецов М.В./Красильник З.Ф.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 3 , published: 10 August 2010
Green Electroluminescence from Metal–Oxide–Semiconductor Devices Fabricated by Spin Coating of Terbium Organic Compounds on Silicon
Takashi Ohzone, Toshihiro Matsuda, Souta Hase, Shingo Nohara, and Hideyuki Iwata
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 8R , published: 01 August 2010
Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией
Соболев Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 1 , published: 27 July 2010
Электролюминесценция в гетероструктурах II типа p-InAs/AlSb/InAsSb/AlSb/0(n)-GaSb с глубокими квантовыми ямами на гетерогранице
Михайлова М.П./Иванов Э.В./Моисеев К.Д./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 1 , published: 27 July 2010
Electroluminescence Characterization of (2021) InGaN/GaN Light Emitting Diodes with Various Wavelengths
Roy B. Chung, You-Da Lin, Ingrid Koslow, Nathan Pfaff, Hiroaki Ohta, Junseok Ha, Steven P. DenBaars, and Shuji Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 7R , published: 25 July 2010
Reduction of the threading edge dislocation density in AlGaN epilayers by GaN nucleation for efficient 350 nm light emitting diodes
Gutt Richard/Kirste Lutz/Passow Thorsten/et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 247, No: 7 , published: 12 July 2010
Enhancent in light extraction efficiency from GaN based LEDs with nanopores ITO p-contact grown on patterned sapphire substrate
Soh C.B./Dai K.H./Liu W./et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 247, No: 7 , published: 12 July 2010
Ultraviolet electroluminescence emission from n-type ZnO/p-type Si corssed nanowire light-emitting diodes
Kim Kwangeun/Kang Jeongmin/Lee Myeongwon/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 6S , published: 03 June 2010
Laterally overgrown GaN/InGaN multi-quantum well heterostructures: electrical and optical properties
Polyakov Alexander/Govorkov Anatoliy/Smirnov Nikolay/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
Electroluminescence properties of Eu-doped GaN-based red light-emitting diode by OMVPE
Nishikawa Atsushi/Kawasaki Takashi/Furukawa Naoki/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
Fabrication of blue and green non-polar InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes on LiAlO2 (100) substrates
Liu Bin/Han Ping/Xie Zili/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
Electroluminescence from isolated single indium gallium nitride quantum dots up to 150 K
Kalden J./Tessarek C./Sebald K./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
Effect of depp-level states on current-voltage characteristics and electroluminescence of blue and UV light-emitting diodes
Nana R./Gnanachchelvi P./Awaah M.A./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
Effect of buffer thickness on DC and microwave performance of AlGaN/GaN heterojunction field-effect transistors
Chevtchenko Serguei/Brunner Frank/Wurfl Joachim/Trankle Gunther
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 6 , published: 03 June 2010
New twists in LEDs and HFETs based on nitride semiconductors
Leach J.H./Ni X./Lee J./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 5 , published: 06 May 2010
Thermal analysis of InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes with different mesa sizes
Lee Hee Kwan/Yu Jae Su
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 4S , published: 19 April 2010
Indium-doped MgxZn1—xO films for ZnO-based heterojunction diodes
Tsuboi Takako/Yamamoto Kenji/Nakamura Atsushi/Temmyo Jiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 4S , published: 19 April 2010
Enhanced room-temperatrue 1.6 μm electroluminescence from Si-based double-heterostructure light-emitting diodes using iron disilicide
Suzuno Mitsushi/Koizumi Tomoaki/Kawakami Hideki/Suemasu Takashi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 4S , published: 19 April 2010
Ratio effect of codoped spacer on electroluminescent characteristics of hybrid white organic light-emitting diodes
Seo Jin Hoon/Park Jung Sun/Koo Ja Ryong/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 4R , published: 15 April 2010
Дифференциальный метод анализа спектров люминесценции полупроводников
Емельянов А.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 9 , published: 25 March 2010
Исследование бызызлучательной рекомбинации в кремниевых светодиодах с краевой люминесценцией методом наведенного тока (EBIC)
Якимов Е.Б./Соболев Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 9 , published: 25 March 2010
High-brightness 350 nm ultraviolet InAlGaN light emitting diodes on Si(111) substrate with transparent AlN/AlGaN buffer structure
Fukushima Yasuyuki/Ueda Tetsuzo
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 3R , published: 18 March 2010
Electrolumenescence analysis by tilt polish technique of InP-based semiconductor lasers
Ichikawa Hiroyuki/Sasaki Kouichi/Hamada Kotaro/Yamaguchi Akira
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 3R , published: 18 March 2010
Исследование механизмов фото- и электролюминесценции в квантово-размерных гетероструктурах InSb/InAs
Терентьев Я.В./Мухин М.С./Соловьев В.А./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 8 , published: 03 March 2010
Интерференционные эффекты в спектрах электроотражения и электролюминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN
Авакянц Л.П./Боков П.Ю./Червяков А.В./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 44, No: 8 , published: 03 March 2010
Структурные и электролюминесцентные свойства гетеропереходов n-ZnO/p-GaN:Mg
Рогозин И.В./Георгобиани А.Н./Котляревский М.Б./Дацкевич Н.П.
Неорган. матер., Vol: 46, No: 11 , published: 21 February 2010
Повышение яркости электролюминофора плазмохимическим модифицированием сырья
Огурцов К.А./Сычев М.М./Ерузин А.А./и др.
Неорган. матер., Vol: 46, No: 11 , published: 21 February 2010
Dual-color emission in hybrid III-nitride/ZnO light emitting diodes
Namkoong Gon/Trybus Elaissa/Cheung Maurice C./et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 2 , published: 16 February 2010
High-efficiency InGaN-based Yellow-Green light-emitting diodes
Lai Mu-Jen/Jeng Ming-Jer/Chang Liann-Be
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 2R , published: 14 February 2010
Double photonic quasi-crystal structure effect on GaN-based vertical-injection light-emitting diodes
Huang Hung-Wen/Lin Chung-Hsiang/Huang Zhi-Kai/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 2R , published: 14 February 2010
Demonstration of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on high-quality AlN templates
Sakai Yusuke/Zhu Youhua/Sumiya SHigeaki/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 49, No: 2R , published: 14 February 2010
222 nm deep-ultraviolet AlGaN quantum well light-emitting diode with veritcal emission properties
Hirayama Hideki/Noguchi Norimichi/Kamata Norihiko
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 3 , published: 14 February 2010
Polarization properties of columnar quantum dots: effects of aspect ratio and compositional contrast
Ridha Philipp/Li Lianhe H./Mexis Meletios/et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 46, No: 1-2 , published: 10 February 2010
Characteristics of an AlGaInP-based light emitting diode with an indium-tin-oxide (ITO) direct ohmic contact structure
Liu Yi-Jung/Yen Chih-Hung/Yu Kuo-Hui/et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 46, No: 1-2 , published: 10 February 2010
UV electroluminescence and structure of n-ZnO/p-GaN heterojunction LEDs grown by atomic layer deposition
Chen Hsing-Caho/Chen Miin-Jang/Wu Mong-Kai/et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 46, No: 1-2 , published: 10 February 2010
AlGaN-cladding free green semipolar GaN based laser diode with a lasing wavelength of 506.4 nm
Tyagi Anurag/Farrell Robert M./Kelchner Kathryn M./et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 1 , published: 24 January 2010
Optical polarization characteristics of InGaN quantum wells for green laser diodes on semi-polar {20‾21} GaN substrates
Kyono Takashi/Yoshizumi Yusuke/Enya Yohei/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 3, No: 1 , published: 24 January 2010
Degradation of InGaN-based laser diodes due to increased non-radiative recombination rate
Trivellin N./Meneghini M./Zanoni E./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 207, No: 1 , published: 16 January 2010
Evaluation of reliability in rubrene-based organic light emitting devices with a mixed single layer
Wang Zhaokui/Okada Hiroyuki/Naka Shigeki
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 1S , published: 05 January 2010
Organic light-emitting field-effect transistor with channel waveguide structure
Shigee Yuki/Yanagi Hisao/Terasaki Kohei/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 49, No: 1S , published: 05 January 2010
n-ZnO/n-GaAs heterostructured white light-emitting diode: nanoscale interface analysis and electroluminescences studies
Tan S.T./Zhao J./Iwan S./et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 57, No: 1 , published: 02 January 2010
Enhancement of Light Extraction from GaN-Based Light-Emitting Diodes by Coating Surface with Al2O3 Powder
Kim Tae Ki/Kim Seung Hwan/Yang Seong Seok/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 2R , published: 19 December 2009
Излучательные свойства квантовых ям GaAs/InGaAs с барьером GaAs, _d-легированным атомами Mn
Вихрова О.В./Данилов Ю.А./Демина П.Б./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 73, No: 1 , published: 11 December 2009
Электролюминесценция горячих носителей заряда в режиме спонтанного и стимулированного излучения из лазерных наноструктур и поглощение ИК-излучения горячими электронами в квантовых ямах
Воробьев Л.Е./Зерова В.Л./Фирсов Д.А./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 73, No: 1 , published: 11 December 2009
Влияние сегрегационных эффектов на спектры электролюминесценции квантово-размерных гетероструктур InGaAs/GaAs, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии
Акчурин Р.Х./Андреев А.Ю./Берлинер Л.Б./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 1 , published: 11 December 2009
Краевая электролюминесценция монокристаллического кремния при температуре 80 К: структуры на основе высокоэффективного солнечного элемента
Емельянов А.М.
Физ. тверд. тела, Vol: 51, No: 2 , published: 10 December 2009
Светодиоды "теплового" белого свечения на основе p_-n-гетероструктур типа InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминоформами из иттрий-гадолиниевых гранатов
Сощин Н.П./Гальчина Н.А./Коган Л.М./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 5 , published: 10 December 2009
Температурная зависимость внутренних параметров дисковых лазерных диодов InAs/InAsSbP
Кабанов В.В./Лебедок Е.В./Рябцев А.Г./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 4 , published: 09 December 2009
Светоизлучающая диодная линейка (_l=3.7 мкм) на основе InGaAsSb
Закгейм А.Л./Зотова Н.В./Ильинская Н.Д./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 4 , published: 09 December 2009
Мощные лазеры (_l=808 нм) на основе гетероструктур раздельного ограничения AlGaAs/GaAs
Андреев А.Ю./Зорина С.А./Лешко А.Ю./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 4 , published: 09 December 2009
Исследование особенностей рабочих характеристик многокомпонентных гетероструктур и светоизлучающих диодов на основе AlInGaN
Рабинович О.И./Сушков В.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 4 , published: 09 December 2009
GaInAs/GaIn(AlGaInP-лазеры, излучающие на длине волны 808 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии
Алуев А.В./Лешко А.Ю./Лютецкий А.В./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 4 , published: 09 December 2009
Влияние параметров Ge(Si)/Si(001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре
Лобанов Д.Н./Новиков А.В./Кудрявцев К.Е./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 3 , published: 09 December 2009
Light-emitting characteristics of organic light-emitting diodes with Ba/Al cathode and effect of Ba thickness by measuring their built-in potential
Lim Jong Tae/Yeom Geun Young
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 12R , published: 01 December 2009
Growth of GaN layer and characterization of light-emitting diode using random-cone patterned sapphire substrate
Okada Narihito/Murata Tohru/Tadatomo Kazuyuki/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 12R , published: 01 December 2009
Relationship between current transport and electroluminescence in Si+-implanted SiO2 thin films
Liang Ding/Chen T.P./Ming Yang/et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 56, No: 11 , published: 11 November 2009
InGaN/GaN light-emitting diode on concave-hexagonal-patterned sapphire substrate
Han Nam/Kim Hyung Gu/Kim Hee Yun/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 11R , published: 01 November 2009
Spectrum study of top-emitting organic light-emitting devices with micro-cavity structure
Liu Xiang/Wei Fuxiang/Liu Hui
J. Semicond., Vol: 30, No: 4 , published: 29 October 2009
Enhancement of electrical and optical properties of silicon quantum dot light-emitting diodes with ZnO doping layer
Kim Baek Hyun/Davis Robert F./Cho Chang-Hee/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 10R , published: 02 October 2009
Al2O3 Powder Coating and Surface Texturing for High Efficiency GaN-Based Light Emitting Diodes
Kim Seung Hwan/Kim Tae Ki/Yang Seong Seok/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 9R , published: 25 September 2009
280 nm deep ultraviolet light emitting diode lamp with an AlGaN multiple quantum well activr region
Adivarahan Vinod/Heidari Ahamd/Zhang Bin/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 10 , published: 08 September 2009
Quantitative Analysis of Dopant Distribution and Activation Across p-n Junctions in AlGaAs/GaAs Light-Emitting Diodes Using Off-Axis Electron Holography
Suk Chung; Johnson, S.R.; Ding Ding; Yong-Hang Zhang; Smith, D.J.; McCartney, M.R.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 56, No: 9 , published: 01 September 2009
Особенности рекомбинационных процессов в светодиодах на основе InGaN/GaN при больших плотностях инжекционного тока
Аверкиев Н.С./Левиштейн М.Е./Петров П.В./и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 35, No: 19 , published: 16 August 2009
Enhanced light output from ZnTe light emitting diodes by utilizing thin film structure
Tanaka Tooru/Saito Katsuhiko/Nishio Mitsuhiro/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 12 , published: 10 August 2009
Different interfaces to crystalline ZnO nanorods and their applications
Willander M./Asif M.H./Zaman S./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 12 , published: 05 August 2009
High-power MWIR cascaded InAs-GaSb superlattice LEDs
Koerperick Edwin J./Olesberg Jonathon T./Hicks James L./et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 45, No: 7-8 , published: 10 July 2009
Evaluation of performance of InGaN/GaN light-emitting diodes fabricated using NH3 with intentionally added H2O
Okada Narihito/Ishida Fumio/Mitsui Yasutomo/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 6R , published: 25 June 2009
Влияние электрического поля на интенсивность и спектр излучения квантовых ям InGaN/GaN
Бочкарева Н.И./Богатов А.Л./Горбунов Р.И./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 11 , published: 09 June 2009
Features of erbium nonradiative deexcitation and electroluminescence temperature quenching in sublimation MBE-grown Si:Er/Si diode structures
K.E. Kudryavtsev, V.P. Kuznetsov, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Correlation between electroluminescence and charge trapping in multi-color Eu implanted Si-based light-emitting diodes
A.N. Nazarov, I.P. Tyagulskyy, S.I. Tyagulskiy, L. Rebohle, W. Skorupa, J. Biskupek, U. Kaiser
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Silicon based light emitters utilizing radiation from dislocations; electric field induced shift of the dislocation-related luminescence
T. Arguirov, T. Mchedlidze, M. Kittler, M. Reiche, T. Wilhelm, T. Hoang, J. Holleman, J. Schmitz
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Light emitting devices based on nanocrystalline-silicon multilayer structure
M. Wang, A. Anopchenko, A. Marconi, E. Moser, S. Prezioso, L. Pavesi, G. Pucker, P. Bellutti, L. Vanzetti
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Rapid color-switching micro-LEDs from silicon MIS diodes
S. Kuai, A. Meldrum
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Enhanced electroluminescence of silicon-rich silicon nitride light-emitting devices by NH3 plasma and annealing treatment
Dongsheng Li, Jianhao Huang, Deren Yang
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Electrically driven luminescence of nanocrystalline Si/SiO2 multilayers on various substrates
T. Wang, D.Y. Wei, H.C. Sun, Y. Liu, D.Y. Chen, G.R. Chen, J. Xu, W. Li, Z.Y. Ma, L. Xu, K.J. Chen
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Si-based emissive microdisplays
P. Jaguiro, P. Katsuba, S. Lazarouk, M. Farmer, A. Smirnov
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Stable electroluminescence of nanostructured silicon embedded into anodic alumina
P. Katsuba, P. Jaguiro, S. Lazarouk, A. Smirnov
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Electroluminescence and photoconductivity of GeSi heterostructures with self-assembled islands in the wavelength range 1.3–1.55 μm
D.N. Lobanov, A.V. Novikov, K.E. Kudryavtsev, A.N. Yablonskiy, A.V. Antonov, Yu.N. Drozdov, D.V. Shengurov, V.B. Shmagin, Z.F. Krasilnik, N.D. Zakharov, P. Werner
Physica E, Vol: 41, No: 6 , published: 01 May 2009
Light emission from ion-implanted silicon
Sun J.M./Helm M./Skorupa W./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 3 , published: 23 April 2009
Performance enhancement of a-plane light-emitting diodes using InGaN/GaN superlattices
Ling Shih-Chun/Wang Te-Chung/Chen Jun-Rong/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 48, No: 4S , published: 16 April 2009
Transient electroluminescence of white organic light-emitting diodes with blue phosphorescent and red fluorescent emissive layers
Kajii Hirotake/Takahota Noriyoshi/Sekimoto Yasuhiro/Ohmori Yutaka
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 48, No: 4S , published: 16 April 2009
Electrical spin-injection and depolarization mechanisms in forward biased ferromagnetic Schottky diodes
Zaitsev S.V./Dorokhin M.V./Demina P.B./et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 5 , published: 16 April 2009
Probing the impact of microstructure on the electroluminescence properties of Ge-nanocrystal enriched Er-doped SiO2 layers
A. Kanjilal, L. Rebohle, N. K. Baddela, S. Zhou, M. Voelskow, W. Skorupa, and M. Helm
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 79, No: 16 , published: 14 April 2009
Vertical injection thin film deep ultraviolet light emitting diodes with AlGaN multiple-quantum wells active region
Adivarahan Vinod/Heidari Ahmad/Zhang Bin/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 9 , published: 09 April 2009
Проявление инжекционного механизма падения эффективности светодиодов на основе AlInGaN в температурной зависимости внешнего квантового выхода
Павлюченко А.С./Рожанский И.В./Закгейм Д.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 10 , published: 07 April 2009
Влияние температуры на ампер-яркостные характеристики светодиодной структуры на основе InGaN
Грушко Н.С./Вострецова Л.Н./Амброзевич А.С./Кагарманов А.С.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 10 , published: 07 April 2009
Room-temperature electroluminescence of p-Zn[x]Mg[1_-x]O:Na/n-ZnO p_-n junction light emitting diode
Ye Zhizhen/Zhang Liqiang/Huang Jingyun/et al.
J. Semicond., Vol: 30, No: 8 , published: 07 April 2009
Electroluminescence characterization of AlGaN/GaN HEMTs
Lossy Richard/Glowacki Arkadiusz/Boit Christian/W~:urfl Joachim
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 6 , published: 01 April 2009
Efficiency and non-thermal roll-over of violet emitting GaInN light-emitting diodes grown on substrates with different dislocation densities
Maier Markus/Passow Throsten/Kunzer Michael/et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 6 , published: 01 April 2009
Electroluminescence analysis of 1.3_-1.5 _mm InAs quantum dot LEDs with (Ga,In)(N,As) capping layers
Montes M./Hierro A./Ulloa J.M./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 6 , published: 01 April 2009
Electrical injection of spin-polarized electrons into single quantum dots
K~:ummell T./Arians R./Huang J./et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 4 , published: 31 March 2009
Electroluminescence from monolayer of quantum dots formed by multiple dip-coating processes
Lee Chang-Lyoul/Nam Sung-Wook/Kim Viena/et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 4 , published: 31 March 2009
White light generation through yellow nanophosphor and blue organic light-emitting diode
Park Je Hong/Jang Nak Won/Kim Jong Su/Jeong Yong Seok
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 4 , published: 31 March 2009
Weak coupling effects in high-Q electrically driven micropillars
Kistner C./Reitzenstein S./B~:ockler C./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 2 , published: 31 March 2009
Electrical spin injection into InGaS quantum dots: single dot devices and time-resolved studies
Hetterich M./L~:offler W./Asshoff P./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 2 , published: 31 March 2009
Spin-controlled optoelectronic devices
H~:ovel S./Gerhardt N.C./Hofmann M.R./et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 2 , published: 31 March 2009
Electroluminescence in quantum well heterostructures p-Al[x]Ga[1_-x]As/GaAs[1_-y]P[y]/n-Al[x]Ga[1_-x]As under uniaxial stress
Berman Irina V./Bogdanov Evgeniy V./Kissel Heiko/et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 3 , published: 31 March 2009
Band anti-crossing and carrier recombination in dilute nitride phosphide based lasers and light emitting diodes
Chamings James.Ahmed Sucheta/Adams Alfred R./et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 246, No: 3 , published: 31 March 2009
Injection current-dependent quantum efficiency of InGaN-based light-emitting diodes on sapphire and GaN substrates
Yang Y./Cao X.A./Yan C.H.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 2 , published: 31 March 2009
Highly efficient borad-area blue and white light-emitting diodes on bulk GaN substrates
Vampola Kenneth J./Fellows Natalie N./Masui Hisashi/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 2 , published: 31 March 2009
Recent progress in nonpolar LEDs as polarized light emitters
Masui Hisashi/Schmidt Mathew/Fellows Natalie/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 2 , published: 31 March 2009
Strain effect on plarized optical properties of c-plane GaN and m-plane GaN
Tao Renchun/Yu Tongjun/Jia Chuanyu/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 2 , published: 31 March 2009
Optimization of InGaN(In,Al,Ga)N based near UV-LEDs by MQW strain balancing with in-situ wafer bow sensor
Knauer A./Kolbe T./Einfeldt S./et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 2 , published: 31 March 2009
Influence of co-deposited active layers on carrier transport and luminescent properties in organic light emitting diodes
Murata Masaya/Yamamoto Takayuki/Haishi Motoki/et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 6, No: 1 , published: 30 March 2009
Comparison of ITO prepared by capacitive RF magnetorn sputtering and DC facing target sputtering as an anode on the organic light emitting diode
Kim Sang Ho/Yoon Chul
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 9 , published: 30 March 2009
Enhancing the light extraction efficiency of blue sempipolar (1011) nitride-based light emitting diodes through surface patterning
Zhong Hong/Tyagi Anurag/Pfaff Nathan/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 3R , published: 25 March 2009
On the large threshold voltage shifts of nano-structured thin film electroluminescent devices
Sohn Sahgho/Choi Seokcheol/Toyama Toshihiko/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 3R , published: 25 March 2009
Comparison between polar (0001) and semipolar (1122) nitride blue-green light-emitting diodes grown on c- and m-plane sapphire substrates
Meirre Phillippe De/Guehne Tobias/Nemoz Maud/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 3R , published: 25 March 2009
Electroluminescence from modulation-doped pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
K. Gopalakrishna Naik, K.S.R.K. Rao
Physica B, Vol: 404, No: 2 , published: 28 February 2009
Fabrication of asymmetric GaN/InN/InGaN/GaN quantum-well light emitting diodes for reducing the quantum-confined stark effect in the blue-green region
Che Songbek/Yuki Akihiko/Watanabe Hiroshi/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 2 , published: 25 February 2009
Continuous-wave operation of InGaN/GaN laser diodes on semipolar (11‾22) plane gallium nitirdes
Asamizu Hirokuni/Saito Makoto/Fujito Kenji/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 2 , published: 25 February 2009
Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS:Mn при электролюминесценции
Буланый М.Ф./Коваленко А.В./Полежаев Б.А./Прокофьев Т.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 6 , published: 05 February 2009
Влияние релаксации напряжений на формирование активной области гетероструктур InGaN/(Al)GaN для светодиодов зеленого диапазона
Сахаров А.В./Лундин В.В./Заварин Е.Е./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 43, No: 6 , published: 05 February 2009
Multi-section quantum dot superluminescent diodes for spectral shape engineering
Judson P.D.L./Groom K.M./Childs D.T.D./et al.
IET Optoelectron, Vol: 3, No: 2 , published: 04 February 2009
ZnTe-based light-emitting diodes fabricated by solid-state diffusion of Al through Al oxide layer
Tanaka Tooru/Nishio Mitsuhiro/Guo Qixin/Ogawa Hiroshi
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 48, No: 2R , published: 01 February 2009
Monolithic white LED based on Al[x]Ga[1_-x]N/In[y]Ga[1_-y]N DBR resonant-cavity
Chen Yu/Huang Lirong/Zhu Shanshan
J. Semicond., Vol: 30, No: 1 , published: 27 January 2009
Reliability of AlGaInP light emitting diodes with an ITO current spreading layer
Gao Wei/Guo Wiling/Zhu Yanxu/et al.
J. Semicond., Vol: 30, No: 6 , published: 25 January 2009
New developments in green LEDs
Peter Matthias/Laubsch Ansgar/Bergbauer Werner/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 6 , published: 23 January 2009
222-282 nm AlGaN and InAlGaN-based deep-UV LEDs fabricated on high-quality AlN on sapphire
Hirayama Hideki/Fujikawa Sachie/Noguchi Norimichi/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 6 , published: 23 January 2009
High-performance UV emitter grown on high-crystalline-quality AlGaN underlying layer
Tsuzuki Hirotoshi/Mori Fumiaki/Takeda Kenichiro/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 6 , published: 23 January 2009
Recent advances in GaN transistors for future emerging applications
Yamagihara Manabu/Uemoto Yasuhiro/Ueda Tetsuzo/et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 206, No: 6 , published: 23 January 2009
m-Plane GaIN light emiting diodes grown on patterned a-plane sapphire substrates
Saito Yoshiki/Okuno Koji/Boyama Shinya/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 2, No: 4 , published: 23 January 2009
Dependence of the Electroluminescence on the Spacer Layer Growth Temperature of Multilayer Quantum-Dot Laser Structures
Hasbullah, N.F.; Jo Shien Ng; Hui-Yun Liu; Hopkinson, M.; David, J.; Badcock, T.J.; Mowbray, D.J.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 45, No: 1 , published: 01 January 2009
Organic light-emitting diodes by doping Liq into and electron transport layer
Xu Wei/Lu Fuhan/Jiang Xueyin/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 2008, No: 29 , published: 15 December 2008
Електрооптичнi властивостi вихiдних та опромiнених фосфiдогалiевих p_-n-переходiв
Гришин Ю.Г./Друзенко Н.В./Конорева О.В./и др.
Металлофиз. и нов. технол., Vol: 30, No: сп. в , published: 14 December 2008
Краевая электролюминесценция эффективного точечного кремниевого светодиода в области температур 80_-300 К
Емельянов А.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 11 , published: 10 December 2008
Оптические свойства голубых светодиодов в системе InGaN/GaN при высокой плотности тока
Бочкарева Н.И./Горбунов Р.И./Клочков А.В./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 11 , published: 10 December 2008
Излучение пластин селенида цинка при возбуждении импульсным электрическим полем
Бережной К.В./Насибов А.С./Шапкин П.В./и др.
Квант. электрон., Vol: 38, No: 9 , published: 04 December 2008
Релаксация параметров тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn при выключении
Гурин Н.Т./Сабитов О.Ю.
Письма в ЖТФ, Vol: 34, No: 7 , published: 04 December 2008
Blue Electroluminescence From Metal/Oxide/6H-SiC Tunneling Diodes
Sun-Rong Jan; Tzu-Huan Cheng; Tzer-An Hung; Ping-Sheng Kuo; Ming Han Liao; Yu Deng; Chee Wee Liu
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 12 , published: 01 December 2008
Room-Temperature Visible Electroluminescence From Aluminum Nitride Thin Film Embedded With Aluminum Nanocrystals
Ming Yang; Chen, T.P.; Liu, Y.; Ding, L.; Wong, J.I.; Liu, Z.; Zhang, S.; Zhang, W.; Zhu, F.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 12 , published: 01 December 2008
Active Region Cascading for Improved Performance in InAs–GaSb Superlattice LEDs
Koerperick, E.J.; Olesberg, J.T.; Hicks, J.L.; Prineas, J.P.; Boggess, T.F.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 44, No: 12 , published: 01 December 2008
Источники спонтанного излучения на основе арсенида индия
Зотова Н.В./Ильинская Н.Д./Карандашев С.А./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 6 , published: 01 December 2008
Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных AlInGaAs/InP гетероструктур (λ1.1-1.2 mm)
Мурашова А.В./Пихтин Н.А./Фетисова Н.В./и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 34, No: 13 , published: 01 December 2008
InGaAlN гетероструктуры для светодиодов, выращенные на профилированных сапфировых подложках
Лундин В.В./Заварин Е.Е./Синицын М.А./и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 34, No: 21 , published: 16 November 2008
Spin-dependent kinetics of polaron pairs in organic light-emitting diodes studied by electroluminescence detected magnetic resonance dynamics
C. G. Yang, E. Ehrenfreund, F. Wang, T. Drori, and Z. V. Vardeny
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 78, No: 20 , published: 12 November 2008
Continous-wave operation of blue laser diodes based on nonpolar m-plane gallium nitiride
Kubota Masashi/Okamoto Kuniyoshi/Tanaka Taketoshi/Ohta Hiroaki
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 1 , published: 29 October 2008
Monolithic polychromatic light-emitting diodes based on InGaN microfacet quantum wells toward Tailor-Made solid-stte lighting
Funato Mitsuru/Kondou Takeshi/Hayashi Keita/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 1 , published: 29 October 2008
227 nm AlGaN light-emitting diode with 0.15 mW output power realized using a thin quantum well and AlN buffer with reduced threading dislocation density
Hirayama Hideki/Noguchi Norimichi/Yatabe Tohru/Kamata Norihiko
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 5 , published: 29 October 2008
Room-temperature 1.6 _mm electroluminescence from p{+}-Si/_b-FeSi[2]/n{+}-Si diodes on Si(001) without high-temperature annealing
Koizumi Tomoaki/Murase Shigemitsu/Suzuno Mitsushi/Suemasu Takashi
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 5 , published: 29 October 2008
Compositional dependence of nonpolar m-plane In[x]Ga[1_-x]N/GaN light emitting diodes
Yamada Hisashi/Iso Kenji/Saito Makoto/Masui Hisashi/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 4 , published: 29 October 2008
Blue (Ga,In)N/GaN light emitting diodes on Si(110) substrate
Damilano Benjamin/Natali Franck/Brault Julien/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 12 , published: 29 October 2008
Study on injection efficiency in InGaN/GaN multiple quantum wells blue light emitting diodes
Wang Lai/Wang Jiaxing/Li Hongtao/et al.
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 2 , published: 29 October 2008
Improved room-temperature 1.6 _mm electroluminescence from p-Si/_b-FeSi[2]/In-Si double heterostructures light-emitting diodes
Suzuno Mitsushi/Murase Shigemitsu/Koizumi Tomoaki/Suemasu Takashi
Appl. Phys. Express, Vol: 1, No: 2 , published: 29 October 2008
Increased Polarization Ratio on Semipolar (1122) InGaN/GaN Light-Emitting Diodes with Increasing Indium Composition (Communication)
Natalie Fellows, Hitoshi Sato, Hisashi Masui, Steven P. DenBaars, and Shuji Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 10R , published: 25 October 2008
Visible Electroluminescence from Spherical-Shaped Silicon Nanocrystals
Hea Jeong Cheong, Atsushi Tanaka, Daihei Hippo, Kouichi Usami, Yoshishige Tsuchiya, Hiroshi Mizuta, and Shunri Oda
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 10R , published: 25 October 2008
Широкополосные суперлюменсцентные диоды ближнего ИК диапазона спектра на основе двуслойных квантоворазмерных гетероструктур
Андреева Е.В./Волков Н.А./Костин Ю.О./и др.
Квант. электрон., Vol: 38, No: 8 , published: 15 October 2008
Room temperature bluc-UV electroluminescence from ZnO light-emitting diodes involving Na-doped p-type ZnO and ZnO/ZnMgO multi-quantum wells
Ye Zhizhen/Lin Shisheng/He Haiping/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 29, No: 8 , published: 12 October 2008
An electroluminescence and emission mechanism for small molecular doped polymer light-emitting diodes
Nie Hai/Tang Xianzhong/Chen Zhu/Wu Lijuan
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 29, No: 8 , published: 12 October 2008
MgZnO/ZnO p-n heterojunction fabricated by MOCVD
Dong Xin/Zhao Wang/Zhang Yuantao/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 29, No: 7 , published: 09 October 2008
Thermal and nonthermal factors affecting the quantum efficiency of deep-ultraviolet light-emitting diodes
Guo H./Yang Y./Cao X.A.
Phys. Status Solidi A, Vol: 205, No: 12 , published: 09 October 2008
High-performance AlGaInP/GaAs light-emitting diodes with a carbon-doped GaP/indium-tin oxide contact layer
Hsu Shun-Cheng/Wuu Dong-Sing/Zheng Xinhe/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Effect of p-n junction location on characteristics of InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
Wang Lai/Li Hongtao/Xi Guangyi/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Electroluminescence phenomena in InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes with electron tunneling layer
Nee Tzer-Een/Wang Jen-Cheng/Chen Hui-Yui/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Luminescence properties of amorphous carbon films formed using supermagnetron plasma
Sakurai Katsutoshi/Kinoshita Haruhisa/Ohna Genji/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Transient electroluminescence in organic light-emitting diode with optical microcavity structure
Takada Noriyuki/Kamata Toshihide
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Efficiency enhancement of top emission organic light-emitting diodes with Ni/Au periodic anode
Huang Jian-Ji/Su Yan-Kuin/Wang Shun-Hsi/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Roll-off characteristics of electroluminescence efficiency of organic blue electrophosphorescence diodes (communication)
Son Kyung Soo/Yahiro Masayuki/Imai Toshiro/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Enhanced hole injection in a hybrid organic-inorganic light-emitting diode (communication)
Morii Katsuyuki/Omoto Masayuki/Ishida Masaya/et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 47, No: 9R , published: 12 September 2008
Investigation of the Nonthermal Mechanism of Efficiency Rolloff in InGaN Light-Emitting Diodes
Yi Yang; Xian An Cao; Chunhui Yan
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 7 , published: 01 July 2008
Люминесценция и генерация лазерного излучения в монокристаллах селенида цинка и сульфида кадмия под действием субнаносекундных импульсов высокого напряжения
Месяц Г.А./Насибов А.С./Шпак В.Г./и др.
Ж. эксперим. и теор. физ., Vol: 133, No: 6 , published: 09 June 2008
Spontaneous Emission and Characteristics of Staggered InGaN Quantum-Well Light-Emitting Diodes
Arif, R.A.; Hongping Zhao; Yik-Khoon Ee; Tansu, N.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 44, No: 6 , published: 01 June 2008
Электрические и оптические свойства композитов на основе производных карбазола и частиц кремния
Алешин А.Н./Александрова Е.Л./Щербаков И.П.
Физ. тверд. тела, Vol: 50, No: 5 , published: 20 May 2008
Электролюминесценция и фототриггерный эффект в монокристаллах твердых растворов GaS[x]Se[1_-x]
Кязым-заде А.Г./Салманов В.М./Мохтари А.Г./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 5 , published: 20 May 2008
Design and characteristics of staggered InGaN quantum-well light-emitting diodes in the green spectral regime
Zhao H.P./Liu G.Y./Li X.-H./et al.
IET Optoelectron, Vol: 3, No: 6 , published: 20 May 2008
Усиление электролюминесценции кристаллов ZnSe(Te,O) после _g-облучения
Эльмуротова Д.Б.\Ибрагимова Э.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 10 , published: 19 May 2008
Характеристики туннелирования и ударной ионизации в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т.\Сабитов О.Ю.\Афанасьев А.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 10 , published: 19 May 2008
A novel AlGaInP thin-film light emitting diode with omni directional reflector
Zhang Jian-Ming\Zou De-Shu\Liu Si-Nan\et al.
Acta phys. sin., Vol: 56, No: 6 , published: 07 May 2008
Magnetic field effects on organic electroluminescence
Wang Zhen\He Zheng-Hong\Tan Xing-Wen\et al.
Acta phys. sin., Vol: 56, No: 6 , published: 07 May 2008
High T0 operation of 1590 nm GaInAsP/InP quantum-wire distributed feedback lasers by Bragg wavelength detuning
Nishimoto Yoshifumi\Yagi Hideki\Miura Koji\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 17-19 , published: 04 May 2008
Characteristics of organic light emitting diodes with tetrakis(ethylmethylamino) hafnium treated indium tin oxide
Sohn Sunyoung\Park Keunhee\Jung Donggeun\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 17-19 , published: 04 May 2008
Электролюминесценция наноструктурированного кремния в матрице анодного оксида алюминия
Лазарук С.К.\Сасинович Д.А.\Кацуба П.С.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 9 , published: 04 May 2008
Спектры электролюминесценции ультрафиолетовых светодиодов на основе p_-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN, покрытых люминофорами
Гальчина Н.А.\Коган Л.М.\Сощин Н.П.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 9 , published: 04 May 2008
Highly strained InGaAs/GaAs quantum well vertical-cavity surface-emitting lasers
Yang Hung-Pin D.\Chen I-Liang\Lee Chen-Hong\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 20-24 , published: 03 May 2008
1.1-µm-Range Low-Resistance InGaAs Quantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with a Buried Type-II Tunnel Junction
Yashiki Kenichiro\Suzuki Naofumi\Fukatsu Kimiyoshi\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 20-24 , published: 03 May 2008
A Method for Current Spreading Analysis and Electrode Pattern Design in Light-Emitting Diodes
Sungmin Hwang; Jongin Shim
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 5 , published: 01 May 2008
Electrolumnescence of In[0.53]Ga[0.47]As[0.99]N[0.01]/GaAs[0.5]Sb[0.5] type-~I~I quantum well light-emitting diodes grown on InP substrates by molecular beam epitaxy (brief communication)
Kawamura Yuichi\Inoue Naohisa
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 46, No: 6A , published: 25 April 2008
High-current injection and transport on order of kA/cm2  in organic light-emitting diodes having mixed organic/organic heterojunction interfaces
Matsushima Toshinori\Adachi Chihaya
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 33-35 , published: 25 April 2008
Radiative recombination efficiency of InGaN-based light-emitting diodes evaluated at various temperatures and injection currents
Masui Hisashi\Sato Hitoshi\Asamizu Hirokuni\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 25-28 , published: 25 April 2008
Элктролюминесценция p_-i_-n-структур на основе ZnO, изготовленных методом ультразвукового распыления
Хабибуллаев П.К.\Юлдашев Ш.У.\Нусретов Р.А.\Хван И.В.
Докл. РАН, Vol: 414, No: 4 , published: 25 April 2008
Люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев и гетероструктур на основе GaN, выращенных на подложках пористого SiC
Мынбаев К.Д.\Мынбаева М.Г.\Зубрилов А.С.\Середова Н.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 33, No: 2 , published: 24 April 2008
On the evolution of carrier distribution and wavelength switching in asymmetric multiple quantum-well lasers
Wang Huiling\Bruce Douglas M.\Cassidy Daniel T.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 43, No: 3 , published: 24 April 2008
High-performance top-emitting white organic light-emitting devices
Zhu Xiuling\Sun Jiaxin\Yu Xiaoming\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 46, No: 7А , published: 18 April 2008
Формирование и некоторые свойства гетеропереходов ZnO/A{~I~I~I}N
Атаев Б.М.\Мамедов В.В.\Махмудов С.Ш.\и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 71, No: 5 , published: 11 April 2008
Development and behavior study of a ZnO nanowire-based electroluminescence device with double insulating-layer structure
Chang Yan-Ling\Zhang Qi-Feng\San Hui\Wu Jin-Lei
Acta phys. sin., Vol: 56, No: 4 , published: 10 April 2008
The semiconductor diode as a rectifier, a light source, and a solar cell: a simple explanation
Herrmann F.\W~:urfel P.
Am. J. Phys , Vol: 74, No: 7 , published: 10 April 2008
Liminescence characteristics of a blue-green emission thin film electroluminescence device based on a ZnSe emitting layer
Jiang Weiwei/Zhao Suling/Zhang Fujun/Xu Zheng
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 29, No: 4 , published: 02 April 2008
Electrically confined aperture formed by ion implantation and its effect on device optoelectronic characteristics
Liu Cheng/Cao Chunfang/Lao Yanfeng/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 29, No: 4 , published: 02 April 2008
Примесный пробой и люминесценция терагерцового диапазона в электрическом поле в микроструктурах p-GaAs и p-GaAsN
Воробьев Л.Е.\Фирсов Д.А.\Шалыгин В.А.\и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 32, No: 9 , published: 01 April 2008
Optoelectronic Characteristics of Direct-Current and Alternating-Current White Thin-Film Light-Emitting Diodes Based on Hydrogenated Amorphous Silicon Nitride Film
Rong-Hwei Yeh; Tai-Rong Yu; Te-Cheng Chung; Shih-Yung Lo; Jyh-Wong Hong
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 4 , published: 01 April 2008
Особенности электролюминесценции эрбия в неупорядоченных полупроводниках, обусловленные различием заряда локализованных состояний
Шмелькин А.Б.\Цэндин К.Д.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 7 , published: 31 March 2008
Высокоэффективные светодиоды на основе тиристорной гетероструктуры ~I~I типа n-GaSb/p-GaSb/n-GaInAsSb/p-AlGaAsSb
Стоянов Н.Д.\Журтанов Б.Е.\Именков А.Н.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 7 , published: 31 March 2008
Light emission form silicon: some perspectives and applications
Fiory A.T.\Ravindra N.M.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 10 , published: 31 March 2008
Preparation of undoped and indium doped ZnO thin films by pulsed laser deposition method
Kotlyarchuk B.\Savchuk V.\Oszwaldowski M.
Cryst. Res. Technol., Vol: 40, No: 12 , published: 31 March 2008
Сравнительный анализ фото- и электролюминесценции многослойных структур с самоформирующимися островками Ge(Si)/Si(001)
Дроздов Ю.Н./Красильник З.Ф./Кудрявцев К.Е./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 3 , published: 24 March 2008
Кремниевые светодиоды с большой мощностью излучения краевой люминесценции
Емельянов А.М./Соболев Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 42, No: 3 , published: 24 March 2008
Characterization of AlGaN/InGaN/AlGaN heterostructure with selective area growth of Te-doped AlGaN cladding layer grown by mixed-source HVPE
Jang K.S.\Kim K.H.\Hwang S.L.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Carrier transport studies of dichromatic InGaN-based LEDs with spacer bandgap dependence
Feng Shih-Wei\Pan C.C.\Chyi Jen-Inn\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
GaN/air gap based micro-opto-electro-mechanical (MOEM) Fabry-P~1erot filters
Cho E.\Pavidis D.\Sillero E.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Significance of vertical carrier capture for electroluminescence efficiency in InGaN multiple-quantum well diodes
Inada T.\Satake A.\Fujiwara K.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Temperature dependence of the quantum efficiency in green light emitting diode dies
Li Y.\Zhao W.\Xia Y.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Inhomogeneity of InGaN quantum wells in GaN-based blue laser diodes
Lee Sung-Nam\Ryu H.Y.\Paek H.S.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Investigation of local tunneling phenomena in green InGaN-based LEDs
Onushkin Grigory\Lee Jinhyun\Yang Jung-Ja\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Improvement of quantum efficiency and thermal stability by using Si delta doping in blue InGaN/GaN multiple quantum well light-emitting diodes
Wu Gwo-Mei\Chung Ta-Jen\Nee Tzer-En\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Electroluminescence uniformity in green LEDs and dual color blue/green stacking LEDs
Onushkin Grigory\Lee Jinhyun\Yang Jung-Ja\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Micro-analysis of light emission properties of GaN-based laser diodes
Godlewski M.\Bo~.zek R.\Miasojedovas S.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 7 , published: 21 March 2008
Получение p_-n-перехода в ZnO путем ионной имплантации мышьяка и последующего отжига по методу радикало-лучевой геттерирующей эпитаксии
Роголин И.В.\Георгобиани А.Н.\Котляревский М.Б.
Неорган. матер., Vol: 43, No: 7 , published: 20 March 2008
The growth of high quality GaMnAs layers and heterostructures by molecular beam epitaxy
Campion R.P.\Grant V.A.\Edmonds K.W.\et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 244, No: 8 , published: 03 March 2008
Stabilization of nano-crystalline porous silicon electroluminescence by high pressure water vapor annealing
Gelloz B.\Shibata T.\Koshida N.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 6 , published: 03 March 2008
Acoustic emission on the relaxation of local thermomechanical stresses in the process of degradation of light-emitting heterostructures on the basis of InGaN and GaAsP
Veleshchuk V.P./Vlasenko I.I./Lyashenko O.V./et al.
Укр. фiз. ж., Vol: 53, No: 3 , published: 02 March 2008
Thermal and non-thermal saturation effects in the output characteristic of UV-to-violet emitting (AlGaIn)N LEDs
Baeumler M.\Kunzer M.\Schmidt R.\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 4 , published: 01 March 2008
Мощные кремниевые светодиоды с краевой люминесценцией
Емельянов А.М./Соболев Н.А.
Письма в ЖТФ, Vol: 34, No: 4 , published: 27 February 2008
Исследование эффектов спиновой инжекции носителей заряда из ферромагнитного контакта Шоттки Ni(Co)/GaAs в гетероструктурах с квантовой ямой
Дорохин М.В./Зайцев С.В./Байдусь Н.В./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 72, No: 2 , published: 16 February 2008
Люминесцентные и электрофизические свойства диодных гетероструктур Si/SiGe:Er/Si
Спиваков А.Г./Красильникова Л.В./Степихова М.В./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 72, No: 2 , published: 16 February 2008
Поглощение и эмиссия излучения терагерцевого диапазона в легированных квантовых ямах GaAs/AlGaAs
Фирсов Д.А./Воробьев Л.Е./Шалыгин В.А./и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 72, No: 2 , published: 16 February 2008
Белая электролюминесценция структуры ZnO/GaN
Титков И.Е.\Зубрилов А.С.\Делимова Л.А.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 5 , published: 10 February 2008
Аномальное спиновое расщепление электронов в InAs в условиях инжекционной накачки
Терентьев Я.В.\Люблинская О.Г.\Торопов А.А.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 5 , published: 10 February 2008
Influence of neutron irradiation on reverse currents in gallium-phosphide light-emitting diodes
Dubovyj V.\Kochkin V.\Opylat V.\et al.
Укр. фiз. ж., Vol: 52, No: 2 , published: 10 February 2008
Spontaneous emission enhancement in quantum cascade structures in the TeraHertz domain
Todorov Yanko\Sagnes Isabelle\Gennser Ulf\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 2 , published: 02 February 2008
Analytical Evaluation of the Ratio Between Injection and Space-Charge Limited Currents in Single Carrier Organic Diodes
Alvarez, A.L.; Arredondo, B.; Romero, B.; Quintana, X.; Gutierrez-Llorente, A.; Mallavia, R.; Oton, J.M.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 55, No: 2 , published: 01 February 2008
The quantum efficiency of green GaInN/GaN light emitting diodes
Zhao W.\Li T.\Detchprohm T.\Wetzel C.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Quantum well-free nitride-based UV LEDs emitting at 380 nm
De Mierry Philippe\Tinjod Frank\Chenot S~1ebastien\Lancefield David
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
High brightness GaN vertical light emitting diodes on metal alloyed substrate for general lighting application
Chu Chen-Fu\Cheng Chao-Chen\Liu Wen-Huan\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Fabrication and optical properties of blue LEDs with silica microsphere coating
Kusakabe K.\Funazaki S.\Okamoto K.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Fabrication of SAG-AlGaN/InGaN/AlGaN LEDs by mixed-source HVPE with multi-sliding boat system
Kim K.H.\Jang K.S.\Hwang S.L.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Improvement of surface light extraction from flip-chip GaN-based LED by embossing of thermosetting polymers
Bao Kui\Zhang Bei\Wang ZhiMin\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Analysis of the relation between leakage current and dislocations in GaN-based light-emitting devices
Lee S.W.\Oh D.C.\Goto H.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Blue light emitting diodes on Si(001) grown by MOVPE
Schulze F.\Dadgar A.\Bertram F.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Current spreading and thermal effects in blue LED dice
Bulashevich K.A.\Evstratov I.Yu.\Mymrin V.F.\Karpov S.Yu.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Efficiency enhancement of 400 nm violet LEDs utilizing island-like GaN thick film by HVPE technology
Tsay Jenq-Dar\Liu Po Chun\Guo Yih-Der\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Fabrication of GaN-based electroluminescence devices on Al substrates and their application to red, green and blue pixels for flat-panel displays
Sugimoto Koichi\Egawa Shinichi\Arai Masatoshi\Honda Tohru
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Monolithic white light emitting diodes with a broad emission spectrum
Dussaigne A.\Brault J.\Damilano B.\Massies J.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
GaN-based Schottky-type UV light-emitting diodes and their integration for flat-panel displays
Kobayashi Toshiaki\Egawa Shinichi\Sawada Masaru\Honda Tohru
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Sol-gel YAG:Ce{3+} powders for applications in LED devices
Potdevin A.\Chadeyron G.\Boyer D.\Mahiou R.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Negative characteristic temperature of InGaN blue multiple-quantum-well laser diodes
Ryu H.Y.\Ha K.H.\Lee S.N.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Homoepitaxial laser diodes emitting at 390 nm and the influence of substrate quality
Figge Stephan\Dennemarck Jens\Hommel Detlef
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Deep ridge GaN cw-laser diodes
Dennemarck J.\Tessarek C.\Figge S.\Hommel D.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Spatial mapping on surface light extraction from 2D photonic quasicrystals patterned GaN-based light emitters
Zhang ZhenSheng\Zhang Bei\Dai Tao\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
ZnO films fabricated by spin coating and their application to UV electroluminescent devices
Yoshioka K.\Egawa S.\Kobayashi T.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 1 , published: 28 January 2008
Spin injection with three terminal device based on (Ga,Mn)As/n{+}-GaAs tunnel junction
Kita T.\Kohda M.\Ohno Y.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 12 , published: 27 January 2008
Investigation of polarization-induced electric field screening in InGaN light emitting diodes by means of hydrostatic pressure
Franssen G.\Suski T.\Perlin P.\et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 244, No: 1 , published: 27 January 2008
InAsSbP/InAs гетероструктуры для термофотовольтаических преобразователей: получение и свойства
Геворкян В.А./Арутюнян В.М./Гамбарян К.М./и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 34, No: 2 , published: 22 January 2008
Analysis of processes limiting quantum efficiency of AlGaInN LEDs at high pumping
Rozhansky I.V.\Zakheim D.A.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 1 , published: 20 January 2008
Injection level dependent luminescence characteristics of UV_-violet emitting (AlGaIn)N LED structures
Kunzer M.\Baeumler M.\K~:ohler K.\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 1 , published: 20 January 2008
Hybrid ZnO/~I~I~I-nitride light-emitting diodes: modelling analysis of operation
Bulashevich K.A.\Evstratov I.Yu.\Karpov S.Yu.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 1 , published: 20 January 2008
Characteristics of InGaN light-emitting diodes on GaN substrates with low threading dislocation densities
Akita Katsushi\Kyono Takashi\Yoshizumi Yusuke\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 1 , published: 20 January 2008
Length dependence of polarization in spontaneous edge emissions from InGaN/AlGaN MQWs laser diodes
Jia Chuanyu\Yu Tongjun\Hu Xiaodong\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 1 , published: 20 January 2008
Optical properties of TlInGaAs/TlInP/InP laser diodes
Fujiwara A.\Matsumoto T.\Krishnamurthy D.\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 203, No: 11 , published: 13 January 2008
Ultraviolet InAlGaN light emitting diodes grown on hydride vapor phase epitaxy AlGaN/sapphire templates
Kneissl Michael\Yang Zhihong\Teepe Mark\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 5А , published: 13 January 2008
Enhanced luminesence and reduced junction temperature in n-type modulation-doped AlGaInP multiquantum-well light-emitting diodes (brief communication)
Lee Chong-Yi\Yen Chih-Hung\Su Juh-Yuh\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 5А , published: 13 January 2008
Светодиоды на основе твердых растворов Ga[1_-x]In[x]As[y]Sb[1_-y], выращенных из содержащих свинец растворов-расплавов
Пархоменко Я.А.\Астахова А.П.\Гребенщикова Е.А.\и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 30, No: 13 , published: 12 January 2008
Luminescence of Si/SiO[2]/Si structure formed by oxygen implantation
Shen Zhonghan\Wu Changliang\Lu Qian\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 12 , published: 23 December 2007
Growth and optical characteristics of 408nm InGaN/GaN MQW LED
Wang Xiaohua\Zhan Wang\Liu Guojun
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 28, No: 1 , published: 16 December 2007
Влияние импульсного магнитного поля на люминесценцию легированного CuCl, In и MnS сульфида цинка
Бачериков Ю.Ю.\Кицюк Н.В.\Константинова Т.Е.\Дорошкевич А.С.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 74, No: 3 , published: 10 December 2007
Электролюминесценция в изотипных гетероструктурах n-GaSb/n-AlGaAsSb/n-GaInAsSb, обусловленная ударной ионизацией
Баженов Н.Л./Журтанов Б.Е./Мынбаев К.Д./и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 33, No: 23 , published: 09 December 2007
Current and Temperature Dependent Characteristics of Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
Cao, X.A.; LeBoeuf, S.F.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 54, No: 12 , published: 01 December 2007
Precise Analysis of Surface Recombination Velocity in Crystalline Silicon Solar Cells Using Electroluminescence
Yu Takahashi, Hayato Kondo, Tsutomu Yamazaki, Yukiharu Uraoka, and Takashi Fuyuki
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 45-49 , published: 30 November 2007
Magnetic field dependence of electroluminescence properties of metal_-insulator_-metal devices consisting of Au/GaAs junctions
Manago Takashi\Sun Zhi-Gang\Akinaga Hiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 7 , published: 26 November 2007
Спектры электролюминесценции и коэффициент полезного действия светодиодов на основе твердого раствора InGaN
Грушко Н.С./Потанахина Л.Н.
Прикл. физ., Vol: 2007, No: 6 , published: 26 November 2007
Электролюминесцентные переключатели на основе монокристаллов твердых растворов GaS[x]Se[1_-x]
Кязым-заде А.Г./Салманов В.М./Дадашова В.В.
Прикл. физ., Vol: 2007, No: 4 , published: 26 November 2007
Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p{++}/n{+}/n-Si:Er/n{++}
Кузнецов В.П./Ремизов Д.Ю./Шмагин В.Б./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 11 , published: 21 November 2007
Nonlinear current-voltage characteristics and electroluminescence of cBN crystal
Dou Qingping\Chen Zhanguo\Jia Gang\et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 27, No: 4 , published: 19 November 2007
Energy transfer probability between host and guest in doped organic electrophosphorescent devices
Li Hongjian\Oujang Jun\Dai Guozhang\et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 27, No: 4 , published: 19 November 2007
Квантовая эффективность и формирование линии излучения в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN
Бочкарева Н.И.\Тархин Д.В.\Ребане Ю.Т.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 41, No: 1 , published: 17 November 2007
Spin-controlled LEDs and VCSELs (invited)
H~:ovel S.\Gerhardt N.C.\Brenner C.\et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 2 , published: 12 November 2007
780 nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs high power semiconductor laser
Cao Yulian\Lian Peng\Wang Qing\et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 27, No: 9 , published: 12 November 2007
Structural and electroluminescence characteristics of nonpolar light-emitting diodes fabricated on lateral epitaxially ovegrown a-plane GaN (biref communication)
Chakraborty Arpan\Kim Kwang Choong\Wu Feng\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 11 , published: 10 November 2007
GaN-based indium-tin-oxide light emitting diodes with nanostructured silicon upper contacts
Kuo C.H./Chang S.J./Kuan H.
IET Optoelectron, Vol: 1, No: 3 , published: 07 November 2007
Влияние промежуточного окисного слоя в гетероструктурах металл_-квантово-размерный полупроводник In(Ga)As/GaAs на эффективность электролюминесценции
Байдусь Н.В.\Демина П.Б.\Дорохин М.В.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 1 , published: 05 November 2007
Электролюминесцентные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaInNAs
Мурель А.В.\Данильцев В.М.\Дроздов Ю.Н.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 1 , published: 05 November 2007
Инфракрасное тушение электролюминесценции тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т.\Рябов Д.В.
Ж. техн. физ., Vol: 75, No: 1 , published: 05 November 2007
Characteristics of Polarized Electroluminescence from m-plane InGaN-based Light Emitting Diodes
Hiroki Tsujimura, Satoshi Nakagawa, Kuniyoshi Okamoto, and Hiroaki Ohta
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 41-44 , published: 26 October 2007
Investigation of InAs quantum dot growth for electrical spin injection devices
Passow T.\Li S.\Litvinov D.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 11 , published: 21 October 2007
Влияние состояний на границах раздела на емкость и эффективность электролюминесценции InGaN/GaN-светодиодов
Бочкарева Н.И.\Жирнов Е.А.\Ефремов А.А.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 7 , published: 15 October 2007
Влияние джоулева разогрева на квантовую эффективность и выбор теплового режима мощных голубых InGaN/GaN светодиодов
Ефремов А.А.\Бочкарева Н.И.\Горбунов Р.И.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 5 , published: 12 October 2007
Вертикально-излучающие лазеры на основе массивов субмонослойных квантовых точек InGaAs
Блохин С.А.\Малеев Н.А.\Кузьменков А.Г.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 5 , published: 12 October 2007
Электро- и фотолюминесценция соединений на основе легированного сульфида цинка в диапазоне 500_-750 нм
Бачериков Ю.Ю.\Кицюк Н.В.\Оптасюк С.В.\и др.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 72, No: 1 , published: 12 October 2007
ZnSe-based organic-inorganic heterostructure diodes
Jiang Yan\Yang Sheng-Yi\Zhang Xiu-Long\et al.
Acta phys. sin., Vol: 55, No: 9 , published: 27 September 2007
Исследование генерационных характеристик лазеров с вертикальным резонатором на основе In[0.2]Ga[0.8]As квантовых ям
Гайслер В.А.\Торопов А.И.\Бакаров А.К.\и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 68, No: 1 , published: 24 September 2007
Электролюминесценция диодов Шоттки на основе гетероструктур с квантовыми точками InAs/GaAs в диапазоне 1.3_-1.5 мкм
Байдусь Н.В.\Звонков Б.Н.\Мокеева П.Б.\и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 68, No: 1 , published: 24 September 2007
Temperature effect on current_-voltage characteristics of molecular organic tris(8-hydroxyquinoline) aluminium complex
Kumar Pankaj\Misra Aparna\Kamalasanan M.N.\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 10A , published: 18 September 2007
Electroluminescent and electrical characteristics of polar and nonpolar InGaN/GaN light-emitting diodes at low temperature
Masui Hisashi\Schmidt Mathew C.\Chakraborty Arpan\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 10A , published: 18 September 2007
Lifetime and electric characteristics of encapsulated organic light-emitting devices
Yang Yong Suk\Chu Hye Yong\Lee Jeong-Ik\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 10A , published: 18 September 2007
Semiconductor light-emitting diodes with separated current-injection and light-emitting areas
Kuo Hao-Chung\Chi Jim Y.\Wang Xue-Lun
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 45, No: 33-36 , published: 18 September 2007
First-moment analysis of polarized light emission from InGaN/GaN light-emitting diodes prepared on semipolar planes
Masui Hisashi\Baker Troy J.\Sharma Rajat\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 45, No: 33-36 , published: 18 September 2007
Inductively coupled plasma mesa etched InGaN/GaN light emitting diodes using Cl[2]/BCl[3]/Ar plasma
Wang Tzong-Bin\Hsu Wei-Chou\Che Yen-Wei\Chen Yeong-Jia
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 9A , published: 14 September 2007
Spin injection into organic light-emitting devices with ferromagnetic cathode and effects on their luminescence properties
Shikoh Eiji\Fujiwara Akihiko\Ando Yasuo\Miyazaki Terunobu
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 9A , published: 14 September 2007
Temperature characteristics of high modulation rate platinum-diffused AlGaInP resonant-cavity light-emitting diodes (brief communication)
Hsieh Li-Zen\Yeh Der-Hwa\Chang Liann-Be\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 9A , published: 14 September 2007
Температурная зависимость фото- и электролюминесценции кристаллов ZnS:Mn
Полежаев Б.А.\Прокофьев Т.А.\Коваленко А.В.\Буланый М.Ф.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 73, No: 5 , published: 14 September 2007
Линейно поляризованное терагерцовое излучение в одноосно деформированном Ge(Ga) при пробое примеси электрическим полем
Андрианов А.В.\Захарьин А.О.\Яссиевич И.Н.\Зиновьев Н.Н.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 83, No: 7-8 , published: 07 September 2007
Estimation of luminescence lifetime in frequency domain
Zhang Fu-Jun\Xu Zheng\Zhao Su-Ling\et al.
Chin. Phys., Vol: 15, No: 3 , published: 07 September 2007
Электролюминесценция слоев SiO[2] с избыточным кремнием
Барабан А.П.\Егоров Д.В.\Петров Ю.В.\Милоглядова Л.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 30, No: 2 , published: 03 September 2007
Broad-band superluminescent light emitting diodes incorporating quantum dots in compositionally modulated quantum wells
Ray S.K.\Groom K.M.\Liu H.Y.\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 4A , published: 31 August 2007
Туннелирование электронов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т.\Рябов Д.В.\Сабитов О.Ю.\Афанасьев А.М.
Письма в ЖТФ, Vol: 31, No: 3 , published: 30 August 2007
Electroluminescence studies of chemically deposited (Zn-Cd)S:Cu,F films
Khare Ayush\Bhushan Shashi
Cryst. Res. Technol., Vol: 41, No: 7 , published: 28 August 2007
Influence of ITO surface treatment on performance of organic light-emitting devices
Wang Jing/Jiang Wenlong/Wang Guangde/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 28, No: 8 , published: 25 August 2007
Ultrathin electron injection layer on indium-tin oxide bottom cathode for highly efficient inverted organic light-emitting diodes
Chu Ta-Ya\Chen Szu-Yi\Chen Jenn-Fang\Chen Chin H.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 6A , published: 23 August 2007
Growth and doping of AlGaN and electroluminescence of SAG-InGaN/AlGaN heterostructure by mixed-source HVPE
Kim K.H.\Ahp H.S.\Yang M.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Degradation of blue LEDs related to structural disorder
Kamanin A.V.\Kolmakov A.G.\Kop'ev P.S.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Fabrication and characterization of InGaN resonant-cavity light-emitting diodes on silicon substrates
Huang Shih-Yung\Horng Ray-Hua\Wang Wei-Kai\Wuu Don-Sing
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
InGaN-based light-emitting diodes grown on grooved sapphire substrates
Wang Wei-Kai\Wuu Don-Sing\Lin Shu-Hei\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Micro-EL studying of high power blue LEDs
Onushkin G.A.\Zakgeim A.L.\Zakgeim D.A.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Nitride-based light emitting diodes with quaternary p-AlInGaN surface layers
Kuo C.H.\Chang S.J.\Chi G.C.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Analysis of dependence of electroluminescence efficiency of AlInGaN LED heterostructures on pumping
Rozhansky I.V.\Zakheim D.A.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Imrovement of luminous intensity of InGaN light emitting diodes grown on hemispherical patterned sapphire
Lee Jae-Hoon\Oh Jeong-Tak\Park Jin-Sub\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Comparison of high quality GaN-based light-emitting diodes grown on alumina-rich spinel and sapphire substrates
Tinjod Frank\De Mierry Philippe\Lancefield David\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Optical studies of MOCVD-grown GaN-based ferromagnetic semiconductor epilayers and devices
Kane M.H.\Strassburg M.\Fenwick W.E.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Screening of polarization induced electric fields in blue/violet InGaN/GaN laser diodes by Si doping in quantum barriers revealed by hydrostatic pressure
Franssen G.\Suski T.\Perlin P.\et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 6 , published: 16 August 2007
Эффективность электролюминесценции кремниевых диодов
Бреслер М.С.\Гусев О.Б.\Захарченя Б.П.\Яссиевич И.Н.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 1 , published: 15 August 2007
Краевая электролюминесценция кремния: гетероструктура аморфный кремний_-кристаллический кремний
Бреслер М.С.\Гусев О.Б.\Теруков Е.И.\и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 1 , published: 15 August 2007
Влияние температуры постимплантационного отжига на свойства кремниевых светодидодов, полученных имплантацией ионов бора в n-Si
Соболев Н.А.\Емельянов А.М.\Шек Е.И.\Вдовин В.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 1 , published: 15 August 2007
Кремниевые светодиоды, излучающие в области зона-зонных переходов: влияние температуры и величины тока
Емельянов А.М.\Соболев Н.А.\Шек Е.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 1 , published: 15 August 2007
Влияние характера пробоя p_-n-перехода на интенсивность и эффективность возбуждения электролюминесценции ионов Er{3+} в эпитаксиальных слоях Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Шмагин В.Б.\Ремизов Д.Ю.\Красильник З.Ф.\и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 1 , published: 15 August 2007
Электрические свойства и спектры люминесценции светодиодов на основе гетеропереходов InGaN/GaN с модулированно-легированными квантовыми ямами
Мамакин С.С.\Юнович А.Э.\Ваттана А.Б.\Маняхин Ф.И.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 9 , published: 12 August 2007
Influence of dislocation loops on the near-infrared light emission from silicon diodes
Hoang T.\Holleman J.\LeMinh P.\et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 54, No: 8 , published: 03 August 2007
Undoped and rare-earth doped GaN quantum dots on AlGaN
Hori Yuji\Andreev Thomas\Florian Thomas\et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 243, No: 7 , published: 02 August 2007
Spatially resolved cathodoluminescence, photoluminescence, electroluminescence, and reflectance study of GaInN quantum wells on non-(0001) GaN facets
Feneberg M.\Schirra M.\Neubert B.\et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 243, No: 7 , published: 02 August 2007
Спектры люминесценции, эффективность и цветовые характеристики светодиодов белого свечения на основе p_-n-гетероструктур InGaN/GaN, покрытых люминофорами
Бадгутдинов М.Л.\Коробов Е.В.\Лукьянов Ф.А.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 6 , published: 02 August 2007
Origins of double emission peaks in electroluminescence spectrum from InGaN/GaN MQW LED
Chen Zhizhong/Xu Ke/Qin Zhixin/et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 28, No: 7 , published: 27 July 2007
Characteristics of flip-chip InGaN-based light-emitting diodes on patterned sapphire substrates
Wang Wei-Kai\Wuu Dong-Sing\Lin Shu-Hei\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
GaN-based green resonant cavity light-emitting diodes
Huang Shih-Yung\Horng Ray-Hua\Wang Wei-Kai\Wuu Dong-Sing
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Effect of surface treatment on the performance of vertical-structure GaN-based high-power light-emitting diodes with electroplated metallic substrates
Uang Kai-Ming\Wang Shui-Jinn\Chen Shiue-Lung\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Enhanced light output in InGaN/GaN light emitting diodes with excimer laser etching surfaces
Huang Hung-Wen\Chu Jung-Tang\Kao Chih-Chiang\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Fabrication and characteristics of GaN-based microcavity light-emitting diodes with high reflectivity AlN/GaN distributed Bragg reflectors (Brief Communication)
Peng Yu-Chun\Kao Chih-Chiang\Huang Hung-Wen\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Emission properties of InGaAsSbN quantum well laser diodes in 2 _mm wavelength region grown on InP substrates
Kawamura Yuichi\Nakagawa Tomokatsu\Inoue Naohisa
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Highly enhanced efficiency and stability of photo- and electroluminescence of nano-crystalline porous silicon by high-pressure water vapor annealing
Gelloz Bernard\Sohida Nobuyoshi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Effects of thickness of organic and multilayer anode on luminance efficiency in top-emission organic light emitting diodes
Lin Shin-Ju\Ueng Han-Yi\Juang Fuh-Shyang
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Study of transient electroluminescence process using organic light-emitting diode with partial doping layer
Kajii Horitake\Takahashi Kazuya\Kim Ju-Seung\Ohmori Yutaka
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Characteristics of electroluminescence based on Zn complexes
Jang Yoon-Ki\Kim Dong-Eun\Kim Won-Sam\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Improvement in luminance efficiency by insertion of buffer layers in flexible organic light-emitting diodes
Yang Tsung-Hsien\Juang Fuh-Shyang\Tsai Yu-Sheng\et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 4B , published: 25 July 2007
Электролюминесценция структур Si_-SiO[2], последовательно имплантированных кремнием и углеродом
Барабан А.П.\Петров Ю.В.
Физ. тверд. тела, Vol: 48, No: 5 , published: 24 July 2007
Characterization and modeling of broad spectrum InAs_-GaAs quantum-dot superluminescent diodes emitting at 1.2_-1.3 _mm
Rossetti Marco/Li Lianhe/Markus Alexander/et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 43, No: 7-8 , published: 24 July 2007
Лазерная генерация на длине волны 1.5 мкм в структурах с квантовыми точками на подложках GaAs
Жуков А.Е.\Васильев А.П.\Ковш А.Р.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 12 , published: 20 July 2007
Свойства светодиодов на основе GaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов
Гребенщикова Е.А.\Именков А.Н.\Журтанов Б.Е.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 12 , published: 20 July 2007
Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs_-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами зоны проводимости
Герчиков Л.Г.\Мамаев Ю.А.\Субашиев А.В.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 11 , published: 19 July 2007
Анализ причин падения эффективности электролюминесценции светодиодных гетероструктур AlGaInN при большой плотности тока накачки
Рожанский И.В.\Закгейм Д.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 7 , published: 16 July 2007
Электролюминесценция на длине волны 1.54 мкм в структурах Si:Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Кузнецов В.П.\Ремизов Д.Ю.\Шабанов В.Н.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 7 , published: 16 July 2007
Электролюминесценция в области межзонных переходов эффективного кремниевого светодиода с малой площадью выпрямляющего контакта
Емельянов А.М.\Забродский В.В.\Забродская Н.В.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 7 , published: 16 July 2007
Спектры электролюминесценции структур на основе твердого раствора InGaN
Грушко Н.С.\Потанахина Л.Н.\Хайрулина А.С.
Оптика и спектроскопия, Vol: 101, No: 3 , published: 08 July 2007
Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний/монокристаллический кремний
Евтух А.А.\Каганович Э.Б.\Манойлов Э.Г.\Семененко Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 2 , published: 03 July 2007
Электролюминесценция в пористом кремнии при обратном смещении барьера Шоттки
Берашевич Ю.А.\Лазарук С.К.\Борисенко В.Е.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 2 , published: 03 July 2007
Механизм излучательной рекомбинации в твердых растворах Si_-Ge в области межзонных переходов
Емельянов А.М.\Соболев Н.А.\Мельникова Т.М.\Абросимов Н.В.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 10 , published: 03 July 2007
Терагерцовая электролюминесценция за счет пространственно непрямых межподзонных переходов в квантово-каскадной структуре GaAs/AlGaAs
Глинский Г.Ф.\Андрианов А.В.\Сресели О.М.\Зиновьев Н.Н.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 10 , published: 03 July 2007
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе p-Si, подвергнутых деформации
Соболев Н.А.\Емельянов А.М.\Шек Е.И.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 10 , published: 03 July 2007
Неоднородность инжекции носителей заряда и деградация голубых светодиодов
Бочкарева Н.И.\Ефремов А.А.\Ребане Ю.Т.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 1 , published: 03 July 2007
Электролюминесценция варизонных структур с антизапорным и омическим контактами
Соколовский Б.С.\Иванов-Омский В.И.\Ильчук Г.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 12 , published: 03 July 2007
Luminescence of dislocation network in directly bonded silicon wafers
X. Yu, M. Kittler, O. F. Vyvenko, W. Seifert, T. Arguirov, T. Wilhelm, M. Reich
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 8 , published: 01 July 2007
Surface photovoltaic effect in CdTe as influenced by recombination in the space-charge region
J. Touscaronek, J. Touscaronková, E. Belas, L. Votoccaronek
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 7 , published: 01 July 2007
Дальнаяя инфракрасная электролюминесценция в каскадных гетероструктурах ~I~I рода
Васильев Ю.Б.\Соловьев В.А.\Мельцер Б.Я.\и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 75, No: 7-8 , published: 29 June 2007
Fabrication of surface-oxidized GaN crystallites for UV electroluminescent devices
Tohru Honda, Taichi Baba, Makiko Watanabe, Takashi Okuhata
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 6 , published: 01 June 2007
Blue-green-red LEDs based on InGaN quantum dots grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Tao Xu, A. Yu Nikiforov, Ryan France, Christos Thomidis, Adrian Williams, T. D. Moustakas
Phys. Status Solidi A, Vol: 204, No: 6 , published: 01 June 2007
Photoluminescence and electrolminescence properties of ZnO films on p-type silicon wafers
Wang Fei-Fei\Cao Li\Liu Rui-Bin\et al.
Chin. Phys., Vol: 16, No: 6 , published: 01 June 2007
Molecular Beam Epitaxial Growth of High Power Quantum Dot Super-Luminecent Diodes
Sumon K. Ray, Hui Y. Liu, Tom L. Choi, Kristian M. Groom, San L. Liew, Mark Hopkinson, and Richard A. Hogg
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 46, No: 4B , published: 24 April 2007
Суперлюминесцентные диоды повышенной эффективности на основе гетероструктуры с квантовыми точками
Андреева Е.В./Лапин П.И./Прохоров В.В./Якубович С.Д.
Квант. электрон., Vol: 37, No: 4 , published: 16 April 2007
Color Control and White Emission of Organic Light-Emitting Device by External Light
Koichi Sakaguchi, Masayuki Chikamatsu, Yuji Yoshida, Reiko Azumi, and Kiyoshi Yase
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 12-16 , published: 06 April 2007
Room temperature Sb-based mid-infrared VCSELs
F. Genty, L. Cerutti, A. Garnache, A. Ouvrard, A. Pérona, P. Grech, D. Romanini, F. Chevrier
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 5 , published: 01 April 2007
InGaN/GaN nanopillar-array light emitting diodes
C. J. Neufeld, C. Schaake, M. Grundmann, N. A. Fichtenbaum, S. Keller, U. K. Mishra
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 5 , published: 01 April 2007
GaN films deposited on (111)Si by CS-MBD with re-evaporation enhancement technique for UV light-emitting devices
Masatoshi Arai, Koichi Sugimoto, Shinichi Egawa, Taichi Baba, Tohru Honda
Phys. Status Solidi C, Vol: 4, No: 5 , published: 01 April 2007
Low-Threshold Current-Injection Single-Mode Lasing in T-shaped GaAs/AlGaAs Quantum Wires
Shu-man Liu, Masahiro Yoshita, Makoto Okano, Toshiyuki Ihara, Hirotake Itoh, Hidefumi Akiyama, Loren Pfeiffer, Ken West, and Kirk Baldwin
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 12-16 , published: 30 March 2007
AlGaN-Cladding-Free Nonpolar InGaN/GaN Laser Diodes
Daniel F. Feezell, Mathew C. Schmidt, Robert M. Farrell, Kwang-Choong Kim, Makoto Saito, Kenji Fujito, Daniel A. Cohen, James S. Speck, Steven P. DenBaars, and Shuji Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 12-16 , published: 23 March 2007
Effective Suppression of Surface Recombination of AlGaInP Light-Emitting Diodes by Sulfur Passivation
Ming-Jer Jeng, Yuan-Hsiao Chang, Liann-Be Chang, Mei-Jiau Huang, and Jia-Chuan Lin
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 12-16 , published: 23 March 2007
247 nm Ultra-Violet Light Emitting Diodes
Jianyu Deng, Yuriy Bilenko, Alex Lunev, Xuhong Hu, Thomas M. Katona, Jianping Zhang, Michael S. Shur, and Remis Gaska
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 12-16 , published: 16 March 2007
High Power and High External Efficiency m-Plane InGaN Light Emitting Diodes
Mathew C. Schmidt, Kwang-Choong Kim, Hitoshi Sato, Natalie Fellows, Hisashi Masui, Shuji Nakamura, Steven P. DenBaars, and James S. Speck
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 4-7 , published: 09 February 2007
High Brightness Violet InGaN/GaN Light Emitting Diodes on Semipolar (10\bar1\bar1) Bulk GaN Substrates
Anurag Tyagi, Hong Zhong, Natalie N. Fellows, Michael Iza, James S. Speck, Steven P. DenBaars, and Shuji Nakamura
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 46, No: 4-7 , published: 09 February 2007
Electroluminescence materials ZnS:Cu,Cl and ZnS:Cu,Mn,Cl studied by EXAFS spectroscopy
M. Warkentin, F. Bridges, S. A. Carter, and M. Anderson
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 75, No: 7 , published: 01 February 2007
Tuning magnetoresistance and magnetic-field-dependent electroluminescence through mixing a strong-spin-orbital-coupling molecule and a weak-spin-orbital-coupling polymer
Yue Wu, Zhihua Xu, Bin Hu, and Jane Howe
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 75, No: 3 , published: 26 January 2007
Определение параметров и характеристик электролюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т./Сабитов О.Ю.
Ж. техн. физ., Vol: 76, No: 8 , published: 22 August 2006
Параметр излучательной рекомбинации и внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремнии
Саченко А.В./Горбань А.П./Костылев В.П./Соколовский И.О.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 8 , published: 21 August 2006
Туннелирование и ударная ионизация в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т./Афанасьев А.М./Сабитов О.Ю./Рябов Д.В.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 8 , published: 21 August 2006
Флип-чип светодиоды на основе InAs с буферными слоями из InGaAsSb
Зотова Н.В./Ильинская Н.Д./Карандашев С.А./и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 8 , published: 21 August 2006
Recombination width and external quantum efficiency in organic electro-phosphorescent devices
Dai Guozhang\Li Hogjian\Dai Xiaoyu\et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 27, No: 5 , published: 30 May 2006
Гамма- и электронно-лучевое модифицирование цинкосульфидных люминофоров
Сычев М.М.\Комаров Е.В.\Григорьев Л.В.\и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 40, No: 9 , published: 12 May 2006
Механизмы электролюминесценции в кремниевых наноструктурах на основе композитных слоев SiOxNy(Si)
Бару В.Г.\Житов В.А.\Захаров Л.Ю.\и др.
Микроэлектроника, Vol: 35, No: 2 , published: 10 April 2006
Сечения возбуждения и девозбуждения излучающих нанокластеров в кремнии, легированном редкоземельными элементами
Кривелевич С.А.\Маковийчук М.И.\Селюков Р.В.
Физ. тверд. тела, Vol: 47, No: 1 , published: 04 January 2005
Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si
Максимов Г.А.\Красильник З.Ф.\Филатов Д.О.\и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 47, No: 1 , published: 04 January 2005
Эффективное сечение возбуждения и время жизни ионов Er3+ в светодиодах на основе Si:Er, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Ремизов Д.Ю.\Шмагин В.Б.\Антонов А.В.\и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 47, No: 1 , published: 04 January 2005
Электролюминесценция ионов Er3+ в режиме пробоя диодной структуры p+-Si/n-Si:Er/n+-Si
Шмагин В.Б.\Ремизов Д.Ю.\Оболенский С.В.\и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 47, No: 1 , published: 04 January 2005
Современные полупроводниковые лазеры на квантовых точках
Максимов М.В.\Ковш А.Р.\Леденцов Н.Н.
Петербург. ж. электрон., Vol: 2003, No: 4 , published: 01 January 2003
Electroluminescence from quantum dots in n-type porous silicon
Babanov Yu.E., Buchin E.Yu., Prokaznikov A.V. et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 1999, No: 7-8 , published: 01 January 1999
ZnS:Sm, Cl red thin film electroluminescent devices with ceramic thick film as insulator layer
Chunjin Tang et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 19, No: 10 , 1999
Dynamical study on the behavior of electroluminescent polymers under applied electric-fields
Fu Rou-Li, Zhao Er-Hai, Sun Xin
J. Infrared and Millimeter Waves = Hongwai Yu Haomibo Xuebao, Vol: 18, No: 3 , 1999
Voltage and frequency dependence of electroluminescence in some ZnS mixed CaS and CaS mixed ZnS phosphors
Dewangan P.K., Bhushan S.
Indian J. Phys. A., Vol: 73, No: 2 , 1999
Spatially resolved spectrscopy on single self-assembled quantum dots
Zrenner A., Markmann M., Beham E. et al.
J. Electron. Mater., Vol: 28, No: 5 , 1999
Electroluminescence properties of PbTe pn junctions fabricated under controlled Te vapor pressures
Tamura W., Itoh O., Nugraha, et al.
J. Electron. Mater., Vol: 28, No: 7 , 1999
Room-temperature operation of In[0.5]Ga[0.5] as quantum dot lasers grown on misoriented GaAs substrates by molecular beam epitaxy
Nee Tzer-En, Yeh Nien-Tze, Shiao Po-Wen et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 18 , 1999
Electronic properties and electroluminescence of monosubstituted polyacetylenes and their mixtures with disubstituted polyacetylene
Hidayat Rahmat, Hirohata Masaharu, Fujii Akihiko et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 2A , 1999
Light-emitting substituted polyacetylenes
Sun Runguang, Zheng Qianbing, Zhang Xianmin et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4A , 1999
Electroluminescence in undoped GaAs/AlAs superlattice due to avalanche breakdown
Domoto Chiaki, Ohtani Naoki, Kuroyanagi Kazuyoshi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4B , 1999
Characteristics of InGaN-based UV/blue/green/amber/red light-emitting diodes
Mukai Takashi, Yamada Motokazu, Nakamura Shuji
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 7A , 1999
Collective resonance and form-factor of homogeneous broadening in semiconductors
Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Karachinsky L.Ya., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8 , 1999
Collective resonance and form-factor of homogeneous broadening in semiconductors
Zaitsev S.V., Gordeev N.Yu., Karacginsky L.Ya., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8 , 1999
High power GaInAsP/InP strained quantum well superluminescent diode with tapered active region
Yamatoya Takeshi, Mori Shota, Koyama Fumio, Iga Kenichi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 9A , 1999
Highly efficient room temperature spin injection in a metal-insulator-semiconductor light-emitting diode
Van Dorpe P., Motsnyi V.F., Nuboer M., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 31, No: 7B , 1999
Low-voltage dc thin-film electroluminescence with an indium-tin-oxide/GaS:Pb/ZnS/Al structure
Kim Y.S., Park S.-H.K., Yun S.J.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 31, No: 7B , 1999
Crossover energy where cathodoluminescence becomes comparable to electroluminescence in p-type GaAs observed by injecting tunneling electrons
Sasaki Susumu, Murashita Tooru
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 1A-1B , 1999
Impact ionization in InAlAs/InP single channel heterojunction field effect transistors
Gautier-Levine Astrid, Teissier Roland, Nezzari Amar et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 5B , 1999
Effect of slight misorientation of sapphire substrate on metalorganic chemical vapor deposition growth of GaN
Yuasa Takayuki, Ueta Yoshihiro, Tsuda Yuhzoh et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 7A , 1999
Visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in single-crystalline CaF[2]/Si(111) with rapid thermal anneal
Maruyama Takeo, Nakamura Naoto, Watanabe Masahiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8B , 1999
Improved quantum efficiency for electroluminescence in semiconducting polymers
Cao Y., Parker I.D., Yu G. et al.
Nature, Vol: 397, No: 6718 , 1999
Electroluminescence in conjugated polymers
Friend R.H., Gymer R.W., Holmes A.B. et al.
Nature, Vol: 397, No: 6715 , 1999
Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode
Fiederling R., Keim M., Reuscher G. et al.
Nature, Vol: 402, No: 6763 , 1999
Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure
Ohno Y., Young D.K., Beschoten B. et al.
Nature, Vol: 402, No: 6763 , 1999
Excitonic singlet-triplet ratio in a semiconducting organic thin film
Baldo M. A., O`Brien D. F., Thompson M. E., Forrest S. R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 20 , 1999
Concepts of light emission from a silicon MOS tunnel emitter Auger transistor
Grekhov I.V., Shulekin A.F., Vexler M.I., Zimmermann H.
Solid-State Electron., Vol: 43, No: 2 , 1999
The effect of mode guiding in edge emitting electroluminescent GaInAsP/InP diodes
Starosta K., Zavadil J.
Solid-State Electron., Vol: 43, No: 2 , 1999
Liquid-phase epitaxial growth of InGaP and InGaAsP on GaAs[0.69]P[0.31] substrates with application to visible light-emitting diodes
Chen L.-C., Hsu T.-C., Wu M.-C.
Solid-State Electron., Vol: 43, No: 4 , 1999
1.55 μm Er-doped GaN LED
Shen H., Pamulapati J., Taysing M. et al.
Solid-State Electron., Vol: 43, No: 7 , 1999
Monte Carlo simulation on electron intervalley transfer process in ZnS-type thin-film electroluminescent devices
Zhao Hui, Wang Yong-sheng, Xu Zheng, Xu Xu-rong
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 3 , 1999
Mechanism of electroluminescence from a-Si:H and studies of defect energy distibution in intrinsic layer of a-Si:H solar cells by electroluminescence spectra
Han Da-xing, Wang Wan-lu, Zhang Zhi
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 8 , 1999
Dynamical characteristics of electrolyminescence in zinc sulfide thin film devices doped with erbium
Liu Zhao-hong, Jiang Bing-xi, Chen Mou-zhi, et al.
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 9 , 1999
Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю.
Ж. техн. физ., Vol: 69, No: 5 , 1999
Механизмы возбуждения ионов эрбия в кристаллическом кремнии
Гусев О.Б., Бреслер М.С., Захарченя Б.П. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 63, No: 2 , 1999
Светоизлучающие диодные структуры на основе монокристаллического кремния, легированного эрбием и кислородом, работающие при комнатной температуре
Соболев Н.А., Николаев Ю.А., Емельянов А.М. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 63, No: 2 , 1999
Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры на основе ZnS:Mn{2+} с регулируемым цветом свечения
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сююнь Сю, Зидонг Лоу
Неорган. матер., Vol: 35, No: 12 , 1999
Влияние сапфировой подложки на спектры излучения светодиодов из нитрида галлия
Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Юнович А.Э.
Письма в ЖТФ, Vol: 25, No: 13 , 1999
Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А. и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 69, No: 1-2 , 1999
Оптико-люмiнесцентнi дослiдження гетеpостpуктуp поpуватий кpемнiй -Кpемнieва подкладка
Монастиpський Л.С.
Укр. фiз. ж., Vol: 44, No: 12 , 1999
Сверхизлучение в полупроводниках
Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Graham L.A. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 12 , 1999
Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии
Косяченко Л.А., Мазур М.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Фото- и электролюминесценция вблизи 1,3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGa/AlGaN/GaN при длительной работе
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Центры с глубокими уровнями в карбиде кремния
Лебедев А.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии
Косяченко Л.А., Мазур М.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Фото- и электролюминесценция вблизи 1,3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 4 , 1999
Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия
Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 4 , 1999
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 4 , 1999
Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия
Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 4 , 1999
Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si:Er:O-светоизлучающих структур
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Механизм эрбиевой электролюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Пак П.Е. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Лавинные светодщиодные структуры на основе монокристаллического Si:Ho:O, работающие при комнатной температуре
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 8 , 1999
Эффект вспышечной кинетики электролюминесцнеции в органических полупроводниках, обусловленный ланжевеновской рекомбинацией
Архипов В.И., Никитенко В.Р.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 8 , 1999
Твердые растворы InGaSb на основе InAs, легированные гадолинием, для светодиодов в спектральной области 3÷5 мкм
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 8 , 1999
Лазерная генерация с длиной волны излучения в районе 1,3 мкм в структурах на основе квантовых точек InAs
Ковш А.Р., Жуков А.Е., Малеев Н.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 8 , 1999
Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Шмурак С.З.
Физ. тверд. тела, Vol: 41, No: 11 , 1999
Возбуждение электролюминесценции эрбия в аморфном гидрогенизированном кремнии при термостимулированной туннельной ионизации глубоких центров
Гусев О.Б., Бреслер М.С., Захарченя Б.П. и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 41, No: 2 , 1999
Electroluminescence from Au/extra thin nanosixe Ge particles embedded silicon oxide film/p-Si and Au/extra thin nanosize Si particles embedded silicon oxide film/p-Si
Bai G.F., Li A.P., Zhang Y.X. et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 1998, No: 1-2 , published: 01 January 1998
Effects of chemical composition of Si oxynitride on electroluminescence from semitransparent Au/extra thin Si oxynitride film/p-Si structures
Qin G.G., Li A.P., Bai G.F. et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 1998, No: 1-2 , published: 01 January 1998
Optical microcavity effects on electroluminescence of organic thin film electroluminescent devices
Liu Z., Tang Ch., Zhao W., Jiang X., Zhang Z., Xu Sh.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 18, No: 6 , 1998
InAsSbP/InAs LEDs for the 3.3-5.5 μm spectral range
Matveev B., Zotova N., Karandashov S. et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 145, No: 5 , 1998
Room temperature InPSb/InAs and InPSb/InAs/InAsSb mid-infrared emitting diodes grown by MOVPE
Stein A., Puttjer D., Behres A., Heime K.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 145, No: 5 , 1998
Interface-induced phenomena in type II antimonide-arsenide heterostructures
Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Berezovets Y.A. et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 145, No: 5 , 1998
Light sources for wavelengths > 2 μm grown by MBE on InP using strain relaxed buffer
Krier A., Chubb D., Krier S.E. et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 145, No: 5 , 1998
The relation between luminous properties and oxygen content in ZnS: TbOF thin-film electroluminescent devices fabricated by radio-frequency magnetron sputtering method
Wang C.W., Liao J.Y., Su Y.-K., Yokoyama M.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 45, No: 4 , 1998
Simulation and measurement of multiplication in thin-film electroluminescent devices with doped probe layers
Neyts K., Corlatan D.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 45, No: 4 , 1998
Monitoring hot-carrier degradation in SOI MOSFET`s by hot-carrier luminescence techniques
Selmi L., Pavesi M., Wong H.-S.P., Acovic A., Sangiorgi E.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 45, No: 5 , 1998
Radiation controlled effects of electroluminescence in ZnS mixed CaS and CaS and CaS mixed ZnS phosphors
Dewangan P.K., Bhushan S., Saxena Sunil
Indian J. Pure and Appl. Phys., Vol: 36, No: 6 , 1998
Hydrogenated amorphous silicon deposited by glow discharge of SiH[4] diluted with He: photoluminescence and electroluminescence in the visible region
Luterova K., Knapek P., Stuchl←ik J., Kocka J., Poruba A., Kudrna J., Maly P., Valenta J., Dian J., Honerlage B., Pelant I.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: Pt A , 1998
Temperature-dependent photoluminescence and electroluminescence properties of polysilanes
Kamata N., Aihara S., Ishizaka W., Umeda M., Terunuma D., Yamada K., Furukawa S.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: Pt A , 1998
Photoluminescence and electroluminescence properties of a-Si[1-x]N[x];H based superlattice structures
Summonte C., Rizzoli R., Galloni R. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Amorphous siliconsuboxide light-emitting diodes
Janssen R., Karrer U., Dimova-Malinovska D., Stutzmann M.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Electroluminescent properties of a-SiO[x]:H alloys
Knapek P., Luterova K., Pelant I. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Room-temperature electroluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon
Gusey O., Bresler M., Kuznetsov A. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs PHEMTs biased in the impact ionization regime
Cova P., Menozzi R., Pavesi M., Pavesi S., Manfredi M., Fantini F.
J. Phys. D: Appl. Phys., Vol: 31, No: 3 , 1998
Effects of microcavities on the spontaneous emission of organic light-emitting diodes with ZnO:Al as the anode
Zugang L., Chunjiu T., Weiming Z. et al.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 10, No: 26 , 1998
Electroluminescence from Au/native silicon oxide layer/p{+}.-Si and Au/native silicon oxide layer/n{+}-Si structures under reverse biases
Bai G.F., Wang Y.Q., Ma Z.C. et al.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 10, No: 44 , 1998
Analysis of InGaN high-brightness light-emitting diodes
Lee Song Jae
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11 , 1998
Effect of duty ratio of driving voltage on the forming process in aging of organic electroluminescent device
Liu Xingyuan, Li Wenlian, Yu Jiaqi, Peng Junbiao, Zhao Yu, Sun Gang, Zhao Xu, Yu Yi, Zhong Guozhu
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 12A , 1998
Negative-resistance effects in light-emitting porous silicon diodes
Ueno K., Koshida N.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Electroluminescence measurement of n{+} self-aligned gate GaAs MESFETs
Niwa H., Ohno Y., Koshimoto Sh., Mizutani T., Yamazaki H., Taniguchi T.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Effect of high current injection on the blue radiative recombination in InGaN single quantum well light emitting diodes
Taguchi T., Kudo H., Yamada Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Fabrication of a tris(8-hydroxyquinoline) aluminum (Alq[3])/poly(N-vinylcarbazole) (PVK) superlattice structure and its use for electroluminescent device
Chen B., Liu Sh.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Temperature dependence of hot-electron-induced electroluminescence from hydrogenated amorphous silicon
Toyama T., Matsui T., Okamoto H.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 5A , 1998
Red electroluminescence of Mn-doped CuAlS[2] powder and single crystal
Tanaka K., Kimura Y., Okamoto Sh. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 6A , 1998
Continuous-wave operation at 250 K of InGaN multiple quantum well laser diodes grown on 6H-SiC with vertical conducting structure
Soejima Reiko, Kuramata Akito, Kubota Shin-ichi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 10B , 1998
Current and temperature dependences of electroluminescence of InGaN-based UV/blue/green light-emitting diodes
Murai Takashi, Yamada Motokazu, Nakamura Shuji
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11B , 1998
Improvement of current-voltage characteristics in organic light emitting diodes by application of reversed-bias voltage
Zou Dechun, Yahiro Masayuki, Tsutsui Tetsuo
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11B , 1998
High external quantum efficiency of electroluminescence from photoanodized porous silicon
Nishimura K., Nagao Y., Ikeda N.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3B , 1998
Electroluminescence of nanocrystal Si embedded in single-crystal CaF[2]/Si(111)
Watanabe M., Matsunuma T., Maruyama T. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 5B , 1998
650 nm AlGaInP/GaInP compressively strained multi-quantum well light emitting diodes
Chang Sh.-J., Chang Ch.-Sh.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 6B , 1998
Polymer electroluminescent diodes with ring microcavity structure
Fujii A., Frolov S.V., Vardeny Z.V. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 6B , 1998
Enhanced emission from europium complex utilizing quantum-well structure in organic electroluminescent device
Ohmori Y., Ueta H., Kurosaka Y. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 7A , 1998
Electroluminescence from laser-grooved silicon
Yuan J., Haneman D., Li W., Zhang T.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 1 , 1998
Hot electron effects and degradation of GaAs and InP HEMTs for microwave and millimetre-wave applications
Menozzi R.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 10 , 1998
A model for hot electron light emission from semiconductor heterostructures
Naundorf H., Gupta R., Scholl E.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 6 , 1998
Electroluminescence and nature of lightly spark-processed silicon
Yuan J., Haneman D., Andrienko I. et al.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 6 , 1998
Direct-current and alternating-current electroluminescence of MOS capacitors with Si-implanted SiO[2]
Matsuda T., Honda Y., Ohzone T.
Solid-State Electron., Vol: 42, No: 1 , 1998
Determination of the origin of the series resistance through electroluminescence measurements of GaAs and Al[x]Ga[1-x]As solar cells and leds
Reyna R.F., Marti A., Maroto J.C.
Solid-State Electron., Vol: 42, No: 4 , 1998
Characteristics of ZnS:Mn thin film electroluminescent device using layered BaTiO[3] thin film structures
Song M.H., Lee Y.H., Hahn T.S., Oh M.H., Yoon K.H.
Solid-State Electron., Vol: 42, No: 9 , 1998
Optogalvanic determination of the red emission of AC EL structures containing various chalcogenide films
Zhechev D., Yourukova L., Kolentsov K., Atanassova S.
Докл. Бълг. АН., Vol: 51, No: 11-12 , 1998
Усиление электролюминесценции в аморфных молекулярных полупроводниках, допированных полиметиновыми красителями
Давиденко Н.А., Ищенко А.А.
Докл. АН Украины., Vol: 9, No: 4 , 1998
Кинетика электролюминесценции сульфида цинка
Верещагин И.К.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 65, No: 1 , 1998
Рекомбинационное излучение кристаллов ZnTe с p-n-переходом, сформированным методом лазерного легирования
Иодко В.Н., Грибковский В.П., Беляева А.К., Супрун-Белевич Ю.Р., Кетько Ж.А.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 65, No: 3 , 1998
Пленочные электролюминесцентные структуры на подложках с шероховатыми поверхностями
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 65, No: 5 , 1998
Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции ZnS:Cu
Верещагин И.К.
Изв. вузов. Физ., Vol: 41, No: 2 , 1998
Излучение квантоворазмерных InGaAs-структур
Елисеев П.Г., Акимова И.В.
Квант. электрон., Vol: 25, No: 3 , 1998
Электролюминесценция наноразмерных слоистых структур кремния
Борисенко В.Е., Данилюк А.Л., Холод А.Н.
Микроэлектроника, Vol: 27, No: 4 , 1998
Электролюминофоры постоянного тока желто-оранжевого цвета свечения, содержащие золото
Ищенко В.М., Шахмалиева С.Ш., Ищенко Т.В., Синельников Б.М., Комиссарова О.А.
Неорган. матер., Vol: 34, No: 5 , 1998
Излучательные характеристики мезаполосковых лазеров (l = 3.0 - 3.6 mm) на основедвойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н.
Письма в ЖТФ, Vol: 24, No: 12 , 1998
Электролюминесценция квантово-размерных структур на основе гетеропереходов II типа InAs/GaSb
Моисеев К.Д., Мельцер Б.Я., Соловьев В.А., Иванов С.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Копьев П.С.
Письма в ЖТФ, Vol: 24, No: 12 , 1998
Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS:Mn после облучения их маломощным лазером
Кононец Я.Ф.
Письма в ЖТФ, Vol: 24, No: 4 , 1998
Длинноволновые неохлаждаемые источники излучения λ=5-6μm на основе градиентных слоев InAsSb(P), полученных методом жидкофазной эпитаксии
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 24, No: 6 , 1998
Люмiнесцентнi методи визначення теплофiзичних параметрiв широкозонних напiвпровiдникiв
Цюпа А.М., Степко М.Ф.
Укр. фiз. ж., Vol: 43, No: 10 , 1998
Дивакансии азота - возможная причина желтой полосы в спектрах люминесценции нитрида галлия
Юнович А.Э.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 10 , 1998
Влияние неоднородности пространственного распределения неравновесных носителей на спектры краевого излучения прямозонных полупроводников
Лукашевич П.Г.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 10 , 1998
Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]
Евтихиев В.П., Кудряшов И.В., Котельников Е.Ю. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 12 , 1998
Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 3 , 1998
Влияние ультрафиолетового облучения на люминесценцию и оптические свойства пленок ZnS:Mn
Кононец Я.Ф., Велигура Л.И., Остроухова О.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 5 , 1998
Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния в электролитах
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Полисский Г., Сресели О.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 5 , 1998
О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка
Буланый М.Ф., Полежаев Б.А., Прокофьев Т.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 6 , 1998
Исследование приборных характеристик низкопорогового лазера на квантовых точках,излучающего на 1,9 мкм
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Лунев А.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 7 , 1998
The study of aging mechanism in ZnS:Mn thin-film electroluminescent devices grown by MOCVD
Wang C.W., Sheu T.J., Su Y.K., Yokoyama M.
Appl. Surf. Sci., Vol: 113-1, No: 2 , 1997
Tunneling current and electroluminescence in InGaN: Zn,Si/AlGaN/GaN blue light emitting diodes
Eliseev P.G., Perlin P., Furioli J., Sartori P., Mu J., Osinski M.
J. Electron. Mater., Vol: 26, No: 3 , 1997
Resonant-cavity infrared optoelectronic devices
Pautrat J.L., Hadji E., Bleuse J., Magnea N.
J. Electron. Mater., Vol: 26, No: 6 , 1997
Ce-doped TiO[2] insulators in thin film electroluminescent devices
Prasad K., Bally A.R., Schmid Ph.E., Levy F., Benoit J., Barthou C., Benalloul P.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 36, No: 9A , 1997
Гистерезис вольт-амперных характеристик светоизлучающих структур на пористом кремнии
Лаптев А.Н., Проказников А.В., Рудь Н.А.
Письма в ЖТФ, Vol: 23, No: 11 , 1997
Электролюминесценция и вольт-амперные характеристики структур на основе пористого кремния n-типа
Бучин Э.Ю., Лаптев Н.А., Проказников А.В., Рудб Н.А., Световой В.Б., Чирков А.Н.
Письма в ЖТФ, Vol: 23, No: 11 , 1997
Characterizing and etching blue-light-emitting semiconductor materials
Parsey J.M. (Jr), Goorsky M.S.
JOM: J. Miner., Metals and Mater. Soc., Vol: 48, No: 8 , 1996
Polarization bistability in strained ridge-waveguide InGaAsP/InP lasers: Experiment and theory
Berger G., Muller R., Klehr A., Voss M.
J. Appl. Phys. , Vol: 77, No: 12 , 1995
Novel characteristics of electroluminescent diode with organic superlattice structure utilizing 8-hydroxyquioline aluminum and aromatic diamine
Fujii A., Ohmori Y., Morishima C., Yoshida M., Yoshino K.
Synth. Met., Vol: 71, No: 1-3 , 1995
Temperature and flow modulation doping of manganese in ZnS electroluminescent films by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
Yu J.E., Jones K.S., Holloway P.H., Pathangey B., Bretschneider E., Anderson T.J., Sun S.S., King C.N.
J. Electron. Mater., Vol: 23, No: 3 , 1994
Electronic processes at interfaces involving conducting polymers
Ramos M.M.D., Stoneham A.M., Sutton A.P.
Synth. Met., Vol: 67, No: 1-3 , 1994
A dual color basis tunable color EL device employing ZnS:Tb, F/ZnS:Mn stacked phosphor layers with color filters
Fukao R., Uenae K., Ooiwa T., Hamakawa Y.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 40, No: 1 , 1993
Yellow electroluminescent diodes utilizing poly(2,5-bis(cholestanoxy)-1,4-phenylene vinylene)
Zhang C., Hoger S., Pakbaz K., Wudl F., Heeger A.J.
J. Electron. Mater., Vol: 22, No: 4 , 1993
Электролюминесценция кремниевых микрокомпозитных слоев
Бару В.Г., Терешин С.А., Покалякин В.И., Елинсон М.И., Степанов Г.В., Мостипак А.В., Шевченко О.Ф., Фисюренко Д.А.
Микроэлектроника, Vol: 22, No: 3 , 1993
Кристаллографическая ориентация и примесное свечение стримерных разрядов в монокристаллах ZnS и ZnSe
Грибковский В.П., Гладыщук А.А., Гурский А.Л., Луценко Е.В., Морозова Н.К., Шульга Т.С., Яблонский Г.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 26, No: 11 , 1992
High efficiency organic red electrophosphorescence devices with changing thickness of the emitting layer
Zhang Xiao-Bo, Cao Jin, Wei Fu-Xiang, et al.
Acta phys. sin., Vol: 55, No: 1
Fabrication and emission properties of a n-ZnO/po-GaN heterojunction light-emitting diode
Zhou Xin, Gu Shulin, Zhu Shunming, et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 27, No: 2
Micro-cavity surface emitting Gunn laser
Chung S.-H., Balkan N.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 153, No: 2
Micro-cavity surface emitting Gunn laser
Chung S.-H., Balkan N.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 153, No: 2
Electroluminescence of InAs-GaSb heterodiodes
Hoffman Darin, Hood Andrew, Michel Erick, et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 42, No: 1
Electroluminescence of InAs-GaSb heterodiodes
Hoffman Darin, Hood Andrew, Michel Erick, et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 42, No: 1
Influence of growth temperature and growth rate of p-GaN layers on the characteristics of green light emitting diodes
Lee Wonseok, Limb Jae, Ryou Jae-Hyun, et al.
J. Electron. Mater., Vol: 35, No: 4
Growth of AlGaN alloys exhibiting enhanced luminescence efficiency
Sampath A.V., Garrett G.A., Collins C.J., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 35, No: 4
Investigation of GaN[x]P[1-x]/GaP LED structure optical properties
Peternai L., Kovac J., Jakabovic J., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 35, No: 4
Electronic characterization of new bright-blue-light-emitting poly(9,9-dioctylfluorenyl-2,7-diyl)-end capped with polyhedral oligomeric silsesquioxanes
Fenenko Larysa, Nakanishi Yoichiro, Tokito Shizuo, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 1B
Effect of annealing on low-threshold-current large-wavelength InGaAs quantum well vertical-cavity laser
Chen I-Liang, Hsu Wei-Chou, Kuo Hao-Chung, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 45, No: 2
Nonlithographic random masking and regrowth of GaN microhillocks to improve light-emitting diode efficiency
Lee Chi-Ling, Lee Shih-Chang, Lee Wei
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 45, No: 1-3
Structure-dependent lasing characteristics of tunnel injection GaInAs/AlGaAs single-quantum-well lasers
Ohta Masataka, Furuhata Tatsuya, Iwasaki Takahiro, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 45, No: 4-7.
Structure-dependent lasing characteristics of tunnel injection GaInAs/AlGaAs single-quantum-well lasers
Ohta Masataka, Furuhata Tatsuya, Iwasaki Takahiro, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 45, No: 4-7.
Silicon-based light emitters
Kittler M., Reiche M., Arguirov T., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 203, No: 4
Silicon-based light emitters
Kittler M., Reiche M., Arguirov T., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 203, No: 4
Sapphire-etched vertical-electrode nitride-based semiconductor light-emitting diode (SEVENS LED) fabricated by the wet etching technique
Kim Seong-Jin
Phys. Status Solidi A, Vol: 203, No: 5
Temperature studies on a single InAs/InP QD layer laser emitting at 1.55 μm
Homeyer E., Piron R., Caroff P., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 3
Negative luminescence of InAs/GaSb superlattice photodiodes
Fuchs F., Hoffmann D., Gin A., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 3
Interplay of external and internal field effects on radiative recombination efficiency in InGaN quantum well diodes
Aizawa H., Soejima K., Hori A., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 3
Effect of well width and modulation-doping distributions on spectral characteristics for asymmetric multiple quantum wells
Chen C.Y., Din G.J., Feng David J., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 3
Ultraviolet electroluminescence of ZnO based heterojunction light emitting diode
Jiao S.J., Lu Y.M., Shen D.Z., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 4
Development of high efficient green LEDs of ZnSSe:Te-ZnMgSSe DH structure on p-GaAs and its degradation mechanism
Abe T., Makimoto K., Adachi M., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 3, No: 4
Monte Carlo simulation of the effect of impact ionization in thin-film electroluminescent devices
He Qing-Fang, Xu Zheng, Liu De-Ang, et al.
Acta phys. sin., Vol: 55, No: 4
Monte Carlo simulation of the effect of impact ionization in thin-film electroluminescent devices
He Qing-Fang, Xu Zheng, Liu De-Ang, et al.
Acta phys. sin., Vol: 55, No: 4
Излучательные свойства гетеpостpуктуp InAs/InGaAsN/GaAsN с компенсацией напpяжений в диапазоне 1.3-1,55 μm
Мамутин В.В., Бондаpенко О.В., Егоpов А.Ю., и дp.
Письма в ЖТФ, Vol: 32, No: 5
A broadband long-wavelength superluminescent diode based on graded composition bulk InGaAs
Ding Ying, Wang Wei, Kan Qiang, et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 26, No: 12.
A broadband long-wavelength superluminescent diode based on graded composition bulk InGaAs
Ding Ying, Wang Wei, Kan Qiang, et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 26, No: 12.
Measurements of carrier confinement at β-FeSi[2]-Si heterojunction by electroluminescence
Li Cheng, Suemasu T., Hasegawa F.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 26, No: 2
Electroluminescence of polymer/small-molecules heterostructure doped light-emitting diodes and their emission mechanism
Nie Hai, Zhang Bo, Tang Xianzhong, et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 26, No: 9
Negative luminescence from large-area HgCdTe photodiode arrays with 4.8-6.0-μm cutoff wavelength
Lindle J.R., Bewley W.W., Vurgaftman I., et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 41, No: 2
High brightness ZnS and GaN electroluminescence devices using PZT thick dielectric layers
Munasinghe C., Heikenfeld J., Dorey R., et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 52, No: 2
Ill-nitride UV devices
Asif Khan M., Shatalov M., Maruska H.P., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Digital alloys of AlN/AlGaN for deep UV light emitting diodes
Nikishin Sergey A., Holtz Mark, Temkin Henryk
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
AlGaN Deep-ultraviolet light-emitting diodes
Zhang Jianping, Hu Xuhong, Lunev Alex, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Effect of carrier blocking layers on the emission characteristics of AlGaN-based ultraviolet light emitting diodes
Park Ji-Soo, Fothergill Daryl W., Zhang Xiyao, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Junction temperature in ultraviolet light-emitting diodes
Xi Yangang, Gessmann Thomas, Xi Jingqun, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Electrical and optical properties of n-ZnO/p-SiC heterojunctions
Alivov Ya.I., Johnstone D., Ozgur U., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Fabrication of hybrid n-ZnMgO/n-ZnO/p-AlGaN/p-GaN light-emitting diodes
Yang Hyuck Soo, Han Sang Youn, Heo Y.W., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 10
Injection and transport of high current density over 1000 A/cm{2} in organic light emitting diodes under pulse excitation
Nakanotani Hajima, Oyamada Takahito, Kawamura Yuichiro, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 6A
Optical and electrical characteristics of organic light-emitting diodes with to-dimensional photonic crystals in organic/electrode layers
Fujita Masayuki, Ishihara Kuniaki, Ueno Tetsuya, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 6A
Interface-trap-assisted emission in Si complementary metal-oxide-semiconductor-light-emitting devices
Lee Hsiu-Chih, Lee Shyh-Cheng, Lin Yi-Pen, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 6A
Growth and characterization of Si-based light-emitting diode with β-FeSi[2]-particles/Si multilayered active region by molecular beam epitaxy
Sunohara Tsuyoshi, Li Cheng, Ozawa Yoshinori, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 6A
Nanolaminated Ta[2]O[5]-Al[2]O[3] insulator effect on luminescent and electrical properties of thin-film electroluminescent devices
Kim Yong Shin, Yun Sun Jin
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 7A
Lost hole-blocking property of blue-emitting alq by inserting detached layer
Mori Tatsuo, Itoh Takaaki, Iwama Yuki, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 9A
InAsSbN Quantum well laser diodes operating at 2-μm-wavelength region grown on InP substrates
Kawamura Yuichi, Nakagawa Tomokatsu, Inoue Naohisa
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 44, No: 33-36
Strong excitonic emission from (001)-oriented diamond P-N junction
Makino Toshiharu, Kato Hiromitsu, Ogura Masahiko, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 44, No: 37-41
Light emission from organic single-crystal field-effect transistors
Nakamura Kiyoshi, Ichikawa Musubu, Fushiki Rei, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 44, No: 42-45
Crystallographic and luminescent characteristics of red-emitting Ba[2]ZnS[3]:Mn thin film electroluminescent devices prepared by electron-beam evaporation
Ohmi Koutoku, Hara Katsuhiko, Yamasaki Michihiro, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, Vol: 44, No: 50-52
Milliwatt power blue InGaN/GaN light-emitting diodes on semipolar GaN templates
Chakraborty Arpan, Baker Troy J., Haskell Benjamin A., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 28-32
Current injection laser oscillation in TlInGaAs/GaAs double quantum well diodes with InGaP cladding layers
Fujiwara Atsushi, Mukai Toshikazu, Matsumoto Takeshi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 44, No: 28-32
Role of electron injection in polyfluorene-based light emitting diodes containing PEDOT:PSS
Brewer Paul J., Lane Paul A., Huang Jingsong, deMello Andrew J., Bradley Donal D. C., deMello John C.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 71, No: 20
Electroluminescence-detected magnetic resonance studies of Pt octaethyl porphyrin-based phosphorescent organic light-emitting devices
Li G., Shinar J., Jabbour G. E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 71, No: 23
InGaN multiple quantum well lasers grown by MBE
Heffernan J., Kauer M., Johnson K., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 202, No: 5
Silicon light-emitting diodes based on dislocation-related luminescence
Kveder V., Badylevich M., Schroter W., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 202, No: 5
Highly efficient all-nitride phosphor-converted white light emitting diode
Mueller-Mach Regina, Mueller Gerd, Krames Michael R., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 202, No: 9
Measuring the junction temperature of III-nitride light emitting diodes using electroluminescence shift
Cho Jaehee, Sone Cheolsoo, Park Yongjo, et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 202, No: 9
High output power 365 nm ultraviolet LEDs and white LEDs (invited)
Mukai T., Nagahama S., Yanamoto T., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 11.
Surface control of light-emitting structures based on III-nitrides
Besyulkin A.I., Kartashova A.P., Kolmakov A.G., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 2
Applications of nanocrystalline metal oxide films in monocrystalline silicon light emitting diodes
Malik O., Grimalsky V., Torres-J. A., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 10.
Screening of built-in electric fields in group III-nitride laser diodes observed by means of hydrostatic pressure
Franssen G., Suski T., Perlin P., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 3
Infrared and visible emission from electroluminescent device based on GaN:Er
Wojdak M., Braud A., Doualan J.L., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 3
ZnSe-based laser diodes: new approaches (indited)
Gust Arne, Kruse Carsten, Klude Matthias, et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 2, No: 3
Study of temperature dependent electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells using low temperature scanning near-field optical microscopy
Xu Geng-Zhao, Liang Hu, Bai Yong-Qiang, et al.
Acta phys. sin., Vol: 54, No: 11.
Study on electroluminescence spectra of In[x]Ga[1-x]N/GaN-MQWs materials with high indium contents
Shao Jia-Ping, Hu Hui, Guo Wen-Ping, et al.
Acta phys. sin., Vol: 54, No: 8
Стpуктуpные и люминесцентные свойства нанокомпозитных слоев SiO[x]N[y](Si)
Баpу В.Г., Бэйлис С., Житов В.А., и дp.
Микроэлектроника, Vol: 34, No: 5
Новый метод опpеделения паpаметpов электpолюминесценции в тонкопленочных излучателях на основе ZnS:Mn
Гуpин Н.Т., Сабитов О.Ю.
Письма в ЖТФ, Vol: 31, No: 22
Монитоpинг интесивности люминесценции туннельной МОП-стpуктуpы с пpостpанственно неодноpодной толщиной диэлектpика
Тягинов С.Э., Асли Н., Векслеp М.И., и дp.
Письма в ЖТФ, Vol: 31, No: 8
Гетеpопеpеходы p{+}-Si-n-CdF[2]
Багpаев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляpенко А.М., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 5
Туннельно-pекомбинационные токи и эффективность электpолюминесценции InGaN/GaN светодиодов
Бочкаpева Н.И., Zhirnov E.A., Ефpемов А.А., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 5
О механизме электpолюминесценции в кpемниевых диодах с большой концентpацией дислокаций
Саченко А.В., Кpюченко Ю.В.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 39, No: 9
Optimized layers design for AlGaN/GaN/InGaN symmetrical separate confinement heterojunction multi-quantum well laser diode
Lu Min, Fang Huizhi, Zhang Guoyi
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 25, No: 5
Nitride-based light-emitting diodes with InGaN/GaN SAQD active layers
Ji L.W., Su Y.K., Chang S.J., et al.
IEE Proc. Circuits, Devices and Syst., Vol: 151, No: 5
Investigation of the blueshift in electroluminescence spectra from MOCVD grown InGaAs quantum dots
Lever P., Buda M., Tan H.H., et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 40, No: 10
Temperature sensitivity of the threshold current of long-wavelength InGaAs-GaAs VCSELs with large gain-cavity detuning
Mogg S., XChitica N., Christiansson U., et al.
IEEE J. Quantum Electron. , Vol: 40, No: 5
Room-temperature operation of InP-based InAs quantum dot laser
Kim Jin Soo, Lee Jin Hong, Hong Sung Ui, et al.
IEEE Photon. Technol. Lett., Vol: 16, No: 7
Anomalous Poole-Frenkel mode of current-conduction mechanism in the P-I-N thin-film light-emitting diodes
Chingsungnoen A., Kengkan P., Tantraporn W.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 51, No: 6
Top-emitting OLED using praseodymium oxide coated platinum as hole injectors
Qiu C., Peng H., Chen H., et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 51, No: 7
Electrical and luminescent properties and the spectra of deep centers in GaMnN/InGaN light-emitting diodes
Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 33, No: 3
Mg Fluctuation in p-GaN layers and its effects on InGaN/GaN blue light-emitting diodes dependent on p-GaN growth temperature
Kim C.S., Cho H.K., Yoo M.K., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 33, No: 5
Optical and electrical characterization of (Ga, Mn)/InGaN multiquantum well light-emitting diodes
Buyanova I.A., Izadifard M., Storasta L., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 33, No: 5
Ultrabroadband emission spectrum from a reverse-biased 4H-SiC p-n junction diode (Short Note)
Ono Shuichi, Arai Manabu, Kimura Chikao
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 10
TiN Enhancement of output performance for light-emitting diodes under high injection current
Liu Chien-Chih, Wang Wei-Ting, Houng Mau-Phon, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 2
High performance electroluminescence from nanocrystalline silicon with carbon buffer
Gelloz Bernard, Koshida nobuyoshi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
A solid-state multicolor light-emitting device based on ballistic electron excitation
Nakajima Yoshiki, Uchida Tetsuya, Toyama Hajime, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
Fabrication and characteristics of increased efficiency of layered polymeric electroluminescent diodes
Hino Yuichi, Yamazaki Masayoshi, Kajii Hirotake, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
Enhanced red emission from fluorescent organic light-emitting devices utilizing a phosphorescent sensitizer
Liu Shiyong, Feng Jing, Zhao Yi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
InGaAs/AlGaAs quantum welllaterally-coupled distributed feedback laser(short note)
Das Prodip Kumar, Uemukai Masahiro, Suhara Toshiaki
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 5B
1.3-1.5-μm-wavelength GaAs/InAs superlattice quantum-dot light-emitting diodes grown on InP (411)A substrates
Mori Jun, Nakano Tomonori, Shimada Takashi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 7A
GaN/mirror/Si light-emitting diodes for vertical current injection by laser lift-off and wafer bonding techniques
Wuu Dong-Sing, Hsu Shun-Cheng, Huang Shao-Hua, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 8A
Watt-class high-output-power 365 nm ultraviolet light-emitting diodes
Morita Daisuke, Yamamoto Masashi, Akaishi Kazuyuki, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 9A
Influence of organic quantum-well structure on the electroluminescent characteristics of blue-light-emitting diodes based on anthracene derivative
Wang Liduo, Gao Yudi, Kan Ying, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 1A-1B
Electroluminescence and response characterization of β-FeSi[2]-based light-emitting diodes
Chu Shucheng, Hirohada Toru, Kan Hirofumi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 2A
GaInNAs Intermediate layer for improvement of lasing characteristics of GaInNAs quantum well lasers
Kawaguchi Masao, Miyamoto Tomoyuki, Saitoh Atsushi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4A
350.9 nm UV laser diode grown on low-dislocation-density AlGaN
Iida Kazuyoshi, Kawashima Takeshi, Miyazaki Atsushi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4A
2.43 μm light emission of InGaAsSbN quantum well diodes grown on InP substrates
Kawamura Yuichi, Nakagawa Tomokatsu, Amano Masanobu, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 43, No: 4B
Electroluminescence spikes, turn-off dynamics, and charge traps in organic light-emitting devices
Cheon K. O., Shinar J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 69, No: 20
Below-band-gap electroluminescence related to doping spikes in boron-implanted silicon pn diodes
Sun J. M., Dekorsy T., Skorupa W., Schmidt B., Mucklich A., Helm M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 15
Below-band-gap electroluminescence related to doping spikes in boron-implanted silicon pn diodes
Sun J. M., Dekorsy T., Skorupa W., Schmidt B., Mucklich A., Helm M.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 15
Full organic distributed feedback cavities based on a soluble electroluminescent oligothiophene
Pisignano Dario, Mele Elisa, Persano Luana, Gigli Giuseppe, Visconti Paolo, Cingolani Roberto, Barbarella Giovanna, Favaretto Laura
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 20
Magnetic field effects on organic electrophosphorescence
Kalinowski J., Cocchi M., Virgili D., Fattori V., Marco P. Di
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 20
Full organic distributed feedback cavities based on a soluble electroluminescent oligothiophene
Pisignano Dario, Mele Elisa, Persano Luana, Gigli Giuseppe, Visconti Paolo, Cingolani Roberto, Barbarella Giovanna, Favaretto Laura
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 20
Magnetic field effects on organic electrophosphorescence
Kalinowski J., Cocchi M., Virgili D., Fattori V., Marco P. Di
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 20
Nanoscale organic electroluminescence from tunnel junctions
Guo X.-L., Dong Z.-C., Trifonov A. S., Miki K., Wakayama Y., Fujita D., Kimura K., Yokoyama S., Mashiko S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 23
Nanoscale organic electroluminescence from tunnel junctions
Guo X.-L., Dong Z.-C., Trifonov A. S., Miki K., Wakayama Y., Fujita D., Kimura K., Yokoyama S., Mashiko S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 23
Electroluminescence and photoluminescence excitation study of asymmetric coupled GaAs/Al[x]Ga[1-x]As V-groove quantum wires
Karlsson K. F., Weman H., Dupertuis M.-A., Leifer K., Rudra A., Kapon E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 4
Electroluminescence and photoluminescence excitation study of asymmetric coupled GaAs/Al[x]Ga[1-x]As V-groove quantum wires
Karlsson K. F., Weman H., Dupertuis M.-A., Leifer K., Rudra A., Kapon E.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 4
Hysteretic electroluminescence in organic light-emitting diodes for spin injection
Salis G., Alvarado S. F., Tschudy M., Brunschwiler T., Allenspach R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 8
Hysteretic electroluminescence in organic light-emitting diodes for spin injection
Salis G., Alvarado S. F., Tschudy M., Brunschwiler T., Allenspach R.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 70, No: 8
Novel photodetecxtors based on InGaN/GaN multiple quantum wells
Rivera C., Pau J.L., Naranjo F.B., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 12
Current status of GaN-based multiple quantum well laser diodes
Watanabe H., Umezaki T., Minoura J., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 12
High brightness GaN-based light emitting diodes using ITO/n{+}-InGaN/InGaN superlattice/n{+}-GaN/p-GaN tunneling junction
Suk-Hun Lee, Hyo-Kun Son, Sung-Jae Kim, et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 12
Electroluminescence from deep level transitions in an AlGaN/GaN superlattice
Son J.K., Sakong T., Lee S.N., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 12
Fabrication of GaN nanocrystallites and their application to UV/blue electroluminescent devices
Honda Tohru, Akiyama Miwako, Egawa Shinichi, et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 12
Ion beam fabricated silicon light emitting diodes
Lourenco M.A., Siddiqui M.S.A., Shao G., et al.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 2
Analysis and modeling of organic devices
Roichman Y., Preezant Y., Tessler N.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 6
Analysis of the hot carrier luminescence in Al[x]Ga[1-x]As/GaAs power HFET`s
Manfredi M., Pavesi M.
Phys. Status Solidi A, Vol: 201, No: 7
Carrier injection and light emission in visible and UV nitride LEDs by modeling
Karpov S.Yu., Bulashevich K.A., Zhmakin I.A., et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 241, No: 12
Impurity band in magnesium-doped GaN layers grown by metalorganic chemical vapor deposition
Kang D. S., Cheong M.G., Lee S.-K., et al.
Phys. Status Solidi B, Vol: 241, No: 12
Novel ZnTe-based green light emitters grown on ZnTe substrates
Ueta A., Hommel D.
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 4
Electroluminescence and photoluminescence characteristics in ZnTe LED fabricated by Al thermal diffusion
Tanaka Tooru, Matsuno Yuji, Kume Yusuke, et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 4
II-VI/III-V structures with a heterovalent interface in the active region: New opportunities in band engineering (invited)
Ivanov S.V., Kaygorodov V.A., Sorokin S.V., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 6
Yellow-green emitters based on beryllium-chalcogenides on InP substrates (invited)
Kishino Katsumi, Nomura Ichirou
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 6
InGaN/GaN multi-quantum dot light-emitting diodes
Ji L.W., Su Y.K., Chang S.J.
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 10
GaN-based UV/blue electroluminescent devices deposited on Si at low temperature
Aoki Y., Hama M., Koike A., et al.
Phys. Status Solidi C, Vol: 1, No: 10
Получение поpошковых электpолюминофоpов на основе сульфида цинка в pежиме гоpения
Тухтаев Р.К., Гавpилов А.И., Болдыpев В.В., и дp.
Докл. РАН, Vol: 395, No: 6
Эволюция спектpов электpолюминесценции и акустическая эмиссия эпитаксиальных стpуктуp GaAsP
Велещук В.П., Ляшенко О.В., Мягченко Ю.А., Чупpина Р.Г.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 71, No: 4
Двухпpоходные супеpлюминесцентные диоды с пониженным энеpгопотpеблением на основе многослойной квантовоpазмеpной (GaAl)As-гетеpостpуктуpы
Мамедов Д.С., Маpмалюк А.А., Никитин Д.Б., и дp.
Квант. электрон., Vol: 34, No: 3
Мощные супеpлюминесцентные диоды с неинжектиpуемыми выходными секциями
Лобинцов П.А., Мамедов Д.С., Пpохоpов В.В., и дp.
Квант. электрон., Vol: 34, No: 3
Механизм излучательной pекомбинации в области межзонных пеpеходов в монокpисталлическом кpемнии
Емельянов А.М.
Письма в ЖТФ, Vol: 30, No: 22
Влияние отжига на электpолюминесценцию слоев SiO[2] с избыточным кpемнием
Баpабан А.П., Егоpов Д.В., Петpов Ю.В., Милоглядова Л.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 30, No: 3
Инфpакpасное тушение электpолюминесценции тонкопленочных электpолюминесцентных излучателей на основе ZnS:Mn
Гуpин Н.Т., Рябов Д.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 30, No: 9
Теpагеpцовая электpолюминесценция в условиях пpобоя мелкого акцептоpа в геpмании
Андpианов А.В., Захаpьин А.О., Яссиевич И.Н., и дp.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 79, No: 7-8
Светодиоды на основе InAs с pезонатоpом, сфоpмиpованным анодным контактом и гpаницей pаздела полупpоводник/воздух
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Каpандашев С.А., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 10
Темпеpатуpная зависимость электpолюминесценции ионов Er в туннельных диодах на основе (111)-Si:(Er, O)
Емельянов А.М., Соболев Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 3
Сине-зеленое излучение в полупpоводниковых лазеpах с квантовыми ямами на основе GaAs
Байдусь Н.В., Биpюков А.А., Звонков Б.Н., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 3
О пpедельной квантовой эффективности кpаевой электpолюминесценции в кpемниевых баpьеpных стpуктуpах
Саченко А.В., Гоpбань А.П., Костылев В.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 5
Низкопоpоговые инэекционные лазеpы на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, pаботающие в диапазоне длин волн 1.3 мкм
Одноблюдов В.А., Егоpов А.Ю., Кулагина М.М., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 5
Кинетика электpолюминесценции в эффективном кpемниевом светодиоде с темпеpатуpно-стабильными спектpальными хаpактеpистиками
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 5
Тpансфоpмация коpотковолновой полосы излучения двухзаpядного пpиpодного акцептоpа в длинноволновую в светодиодах на основе GaSb
Гpебенщикова Е.А., Именков А.Н., Жуpтанов Б.Е., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 6
Темпеpатуpные электpолюминесцентные исследования излучательных хаpактеpистик инжекционных лазеpов на основе InGaAsN/GaAs
Каpачинский Л.Я., Гоpдеев Н.Ю., Новиков И.И., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 38, No: 6
Влияние величины тока на электpолюминесценцию дефектов, обусловленных высокотемпеpатуpным постимплантационным отжигом Si:(Er,O)-стpуктуp в хлоpсодеpжащей атмосфеpе
Емельянов А.М., Шек Е.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 46, No: 10
Color tunable electroluminescence from polymer film/inorganic film heterojunction
Jiang Yewen, Tan Haishu, Yao Jianquan, Chen Lichun
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 24, No: 2
A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 μm emitting INAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
Kong Yun-ChuanZhou Da-Yong, Lan Qing, et al.
Chin. Phys., Vol: 12, No: 1
Flip-chip bounded InAsSbP and InGaAs LEDs and detectors for the 3-μm spectral region
Matveev B.A., Aydaraliev M., Zotova N.V., et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 150, No: 4
Negative luminescence from MWIR HgCdTe/Si devices
Lindle J.R., Bewley W.W., Vurgaftman I., et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 150, No: 4
Large-area IR negative luminescent devices
Nash G.R., Gordon N.T., Ashley T., et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 150, No: 4
Edge-emitting electroluminescence polarization investigation of InGaN/GaN light-emitting diodes grown by metal-organic chemical vapor deposition on sapphire (0001)
Florescu D.I., Lee D.S., Ting S.M., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 11
Electroluminescence and lasing properties of highly bi-doped PbTe epitaxial layers grown by temperature difference method under controlled vapor pressure
Tamura Wataru, Yasuda Arata, Suto Ken, et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 2
Electrical-efficiency analysis of GaN-based light-emitting diodes with interdigitated-mesa geometry
Ting Yi-Sheng, Chen Chii-Chang, Sheu Jinn-Kong, et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 5
InGaN/GaN light-emitting diodes with a reflector at thebackside ofsapphire substrates
Hsu Y.P., Chang S.J., Su Y.K., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 5
InGaN/GaN LEDs with a Si-doped InGaN/GaN short-period superlattice tunneling contact layer
Wu L.W., Chang S.J., Su Y.K., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 5
InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodesprepared by temperature ramping
Wen T.C., Chang S.J., Su Y.K., et al.
J. Electron. Mater., Vol: 32, No: 5
Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450 nm
Onuma Takeyoshi, Chichibu Shigefusa F., Aoyama Toyomi, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 12
Room-temperature 1.54 μm light emission from Er,O-codoped GaAs/GaInP light-emitting diodes grown by low-pressure organometallic vapor phase epitaxy
Koizumi A., Fujiwara Y., Inoue K., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4B
High-indium-content InGaN/GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes
Chen C.-H., Chang S.-J., Su Y.-K.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4B
Characteristics of light emissionby ballistic electron excitation in nanocrystalline silicon device formed on a p-type substrate
Nakajima Y., Toyama H., Uchida T., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4B
Organic electroluminescent diode fabricated on indium-tin-oxide-coated polyimide substrate as an electro-optical conversion device for polymeric waveguides
Kajii H., Taneda T., Kaneko M., Ohmori Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4B
Current dependence of in-plane electroluminescence distribution of In[x]Ga[1-x]N/GaN multiple quantum well light emitting diodes
Itoh Hiroshi, Watanabe Satoshi, Goto Masahiro, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 10B
Observation of small temperature variation of longitudinal-mode peak wavelength in TlInGaAs/InP laser diodes
Fujiwara Atsushi, Lee Hew-Jae, Imada Akinori, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 11B
Spin-polarized electron injection theough an Fe/InAs junction
Ohno H., Yoh K., Sueoka K., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 2A
Fabrication of ZnTe light-emitting diodes using Bridgman-Grown substrates
Tanaka T., Kume Y., Nishio M., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4A
Effect of multiple-quantum-well structure on efficiency of organic electrophosphorescent light-emitting devices
Cheng G., Qiu S., Li F., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 4A
Significance of surface properties of CdS nanoparticles
Lin C.-F., Liang E.-Z., Shih S.-M., Su W.-F.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 6A
292 nm AlGaN single-quantum well light emitting diodes grown on transparent AlN base
Hanlon A., Pattison P.M., Kaeding J.F., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 6B
Insulators with high stability for electrolumienscent devices
Lim J.W., Yun S.J.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 6B
A UV light-emitting diode incorporating GaN quantum dots
Tanaka Satoru, Lee Jeong-Sik, Ramvall Peter, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 8A
Ultraviolet light emitting diodes using non-polar α-plane GaN-AlGaN multiple quantum wells
Chen Changqing, Adivarahan Vinod, Yang Jinwei, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 42, No: 9A-9B
Electroluminescence spectra of an STM-tip-induced quantum dot
Croitoru M. D., Gladilin V. N., Fomin V. M., Devreese J. T., Kemerink M., Koenraad P. M., Sauthoff K., Wolter J. H.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 68, No: 19
Breakdown of time-reversal symmetry of photoemission and its inverse in small silicon clusters
Ishii Soh, Ohno Kaoru, Kumar Vijay, Kawazoe Yoshiyuki
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 68, No: 19
Enhancement of singlet exciton formation ratio in electroluminescent conjugated polymers by magnetic doping
Chen Chia-Hsun, Meng Hsin-Fei
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 68, No: 9
Light-Emitting Field-Effect Transistor Based on a Tetracene Thin Film
Hepp Aline, Heil Holger, Wie , Weise , Ahles Marcus, Ro , Schmechel , Seggern Heinz von
Phys. Rev. Lett., Vol: 91, No: 15
Enhanced chromaticity of organic electroluminescence from silicon-based organic microcavity
Xiong Zu-Hong, Shi Hua-Zhong, Fan Yong-Liang, et al.
Acta phys. sin., Vol: 52, No: 5
Электролюминесценция монокристаллов ZnS-Mn
Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 70, No: 3
Электролюминесцентные источники света на основе монокристалла ZnSe:Mn с оптимальными яркостными характеристиками
Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А.
Ж. техн. физ., Vol: 73, No: 2
Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В.
Ж. техн. физ., Vol: 73, No: 4
Квантовый выход и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю.
Ж. техн. физ., Vol: 73, No: 4
Электролюминесцентные структуры на основе кремниевых наночастиц, встроенных в анодный оксид алюминия
Лазарук С.К., Лешок А.А., Борисенко В.Е.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 67, No: 2
Влияние температуры отжига (100)Si:(Er, O)-диодов на электромлюминесценцию в обалсти длин волн 1.0-1.6 мкм при комнатной температуре
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 67, No: 2
Испарение примеси эрбия из кремния в вакууме
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Мешков А.Г.
Неорган. матер., Vol: 39, No: 2
Особенности электролюминесценции кристаллов ZnS:Mn{2+}
Буланый М.Ф., Коваленко А.В., Полежаев Б.А.
Неорган. матер., Vol: 39, No: 3
Особенности кристаллической структуры и люминесценции ZnS:Mn{2+}
Буланый М.Ф., Клименко В.И., Коваленко А.В., Полежаев Б.А.
Неорган. матер., Vol: 39, No: 5
О резонансной передаче энергии в кристаллах ZnS:Mn при фото- и электролюминесценции
Буланый М.Ф., Горбань А.Н., Коваленко А.В., Полежаев Б.А.
Оптика и спектроскопия, Vol: 94, No: 3
Спонтанная и стимулированная электролюминесценция в GaSe при низких температурах
Абуталыбов Г.И., Рагимова Н.А., Джафарова С.З.
Оптика и спектроскопия, Vol: 95, No: 1
Длинноволновая лазерная генерация в структурах на основе квантовых ям InGaAs(N) на подложках GaAs
Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 29, No: 10
Влияние фотовозбуждения на электрические характеристики тонкопленочных электролюминесыентных излучателей на основе ZnS:Mn
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 29, No: 4
Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров на основе вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации
Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Карачинский Л.Я., и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 1
Электpолюминесценция в полуметаллическом канале на одиночной pазъединенной гетеpогpанице II типа
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., и дp.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 10
Эффективный кремниевый светодоид с температурно-стабильными спектральными характеристиками
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 6
Органические материалы для фотовольтаических и светоизлучающих устройств
Юрре Т.А., Рудая Л.И., Климова Н.В., Шаманин В.В.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 7
Свойства светодиодов, изготовленных на основе структур InAsSbP/InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 37, No: 8
Electroluminescence from Si/SiO[2] films deposited on p-Si substrates
Ma Shu-Yi, Xiao Yong, Chen Hu
Chin. Phys., Vol: 11, No: 9
Electroluminescence of poly(phenylenevinylene)s containing triphenylamine moieties in the main chain
Pu Y.-J., Soma M., Nishide H., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 1
Analysis of electroluminescence mechanisms in N,N`-disphenyl-N,N`-bis(3-methylphenyl)-1,1`-disphenyl-4,4`-diamine/hydroxyquinoline aluminum bilayer organic light-emitting diode by bipolar hopping conduction
Imaizumi K., Kaneko K., Mori T., Mixutani T.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 1
Physical properties of SiO[2]-doped Si films and electroluminescence in metal/SiO[2]-doped Si/p-Si diodes
Osaka Y., Kohno K., Mizuno H., Koshida N.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 12
Improving the light out-coupling properties of inorganic thin-film electroluminescent devices
Izumi Y., Okamoto S., Takizawa K., Tanaka K.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 3A
Electroluminescence in AlGaN/GaN high electron mobility transistors under high bias voltage
Nakao T., Ohno Y., Akita M., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 4A
Intense ultraviolet electroluminescence properties of the high-power InGaN-based light-emitting diodes fabricated on patterned sapphire substrates
Kudo H., Murakami K., Zheng R., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 4B
Red-to-yellow electroluminescence from CdSe microcrystal-doped indium tin oxide thin films
Nasu H., Matsuzaki Y., Goto H., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 5A
Electroluminescence of In[0.53]Ga[0.47]As/GaAs[0.5]Sb[0.5] type-II multiple quantum well light-emitting diode grown on (111)B InP by molecular beam epitaxy
Kawamura Y., Higashino T., Fujimoto M., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 7A
Photoluminescence from high Γ-electron subbands and intersubband electroluminescence using X-Γ carrier injection in a simple GaAs/AlAs superlattice
Domoto C., Nishimura T., Ohtani N., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 8
Fabrication of high-output-power AlGaN/GaN-based UV-light-emitting diodee using a Ga droplet layer
Lee Young-Bae, Wang Tao, Liu Yu-Huai, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 10B
Room-temperature 1.56 μm electroluminescence of highly oriented γ-FeSi[2]/Si single heterojunction prepared by magnetron-supttering deposition
Chu S., Hirohada T., Nakajima K., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 41, No: 11A.
Experimental study of hot-electron inelastic scattering rate in p-type InGaAs
Sicault D., Teissier R., Pardo F., Pelouard J.-L., Mollot F.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 12
Time-gated electroluminescence spectroscopy of polymer light-emitting diodes as a probe of carrier dynamics and trapping
Lupton J. M., Klein J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 19
Vertical transport and electroluminescence in InAs/GaSb/InAs structures: GaSb thickness and hydrostatic pressure studies
Roberts M., Chung Y. C., Lyapin S., Mason N. J., Nicholas R. J., Klipstein P. C.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 23
Spin-polarized Zener tunneling in (Ga,Mn)As
Johnston-Halperin E., Lofgreen D., Kawakami R. K., Young D. K., Coldren L., Gossard A. C., Awschalom D. D.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 4
Influence of confined phonon modes on the thermal behavior of AlAs/GaAs quantum cascade structures
Becker C., Sirtori C., Page H., Robertson A., Ortiz V., Marcadet X.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 65, No: 8
Localized and quantum-well state excitons in AlInGaN laser-diode structure
Chuo Chang-Cheng, Chen Guan-Ting, Lin Ming-I, Lee Chia-Ming, Chyi Jen-Inn
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 66, No: 16
Intrinsic Room-Temperature Electrophosphorescence from a pi-Conjugated Polymer
Lupton J. M., Pogantsch A., Piok T., List E. J. W., Patil S., Scherf U.
Phys. Rev. Lett., Vol: 89, No: 16
Transport and recombination of charge carriers in organic electroluminescent devices
Li Hong-Jian, Peng Jing-Cui, Xu Xie-Mei et al.
Acta phys. sin., Vol: 51, No: 2
Возбуждение электролюминесценции вращающимся электрическим полем
Кокин С.М., Елисеева Е.Г.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 69, No: 1
Структура, свойства и механизм электролюминесценции пленок ZnS:Cu, полученных химическим методом
Хомченко В.С., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н., и др.
Ж. техн. физ., Vol: 72, No: 8
Физические явления в лавинных светодиодах на основе пористого кремния
Лазарук С.К., Жагиро П.В., Лешок А.А. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 66, No: 2
Изменение спектра электролюминесценции тонкопленочных излучателей на основе ZnS:Mn в зависимости от уровня возбуждения
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю.
Письма в ЖТФ, Vol: 28, No: 15
Электролюминесценция структур Si-SiO[2]-Si[3]N[4]
Барабан А.П., Егоров Д.В., Аскинази А.Ю., Милоглядова Л.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 28, No: 23
Двухволновое излучение в структуре GaInPAsSb/InAs с разъединенным изотипным гетеропереходом и p-n-переходом в подложке
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 28, No: 23
Исследование p{-}-3C-SiC/n{+}-6H-SiC гетероструктур с модулированным легированием
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Савкина Н.С., и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 28, No: 23
Определение параметров активаторов в люминофорах тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов
Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р.
Письма в ЖТФ, Vol: 28, No: 24
Випромiрювання свiтла термiчно генерованою електронно-дiрковою плазмою в польовому KHI-транзисторi
Добровольский В.М., Iщук Л.В., Нiнiдзе Г.К. и др.
Укр. фiз. ж., Vol: 47, No: 5
Электролюминесценция пористого кремния при катодном восстановлении персульфат-ионов: степень обратимости эффекта тьюнинга
Сарен А.А., Кузнецов С.Н., Пикулев В.Б., и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 36, No: 10
Электролюминесценция эрбия в p-i-n-структурах на основе аморфного гидрогенизированного кремния
Теруков Е.И., Гусев О.Б., Коньков О.И., и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 36, No: 11
Природа краевого пика электролюминесцыенции в режиме пробоя Si:(Er,O)-диодов
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 36, No: 4
GSMBE-grown 1.8-2.0 micron waveband InGaAs/InGaAsP strained quantum well lasers
Bai Jin-song, Fang Zu-jie, Zhang Yun-mei et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 22, No: 1
Effects of doping Al into SiO[2] on electroluminescence from Au-nanometer (SiO[2]/Si/SiO[2])/p-Si structure
Wang Sun-tao, Chen Yuan, Zhang Go-rei et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 22, No: 2
Photoluminescence and electroluminescence from scored Si-rich SiO[2] film/p-Si structure
Sun Y., Cui X., Zhang B., et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 22, No: 5
Influence of trapped and interfacial charges in organic multilayer light-emitting devices
Riess W., Riel H., Beierlein T. et al.
IBM J. Res. and Dev., Vol: 45, No: 1
STM-excited electroluminescence and spectroscopy on organic materials
Alvarado S.F., Rossi L., Muller P. et al.
IBM J. Res. and Dev., Vol: 45, No: 1
Singlet excitation energy transfer in tetracene-doped anthracene in the film organic semiconductor
Prasad B., Mishra P.K.
Indian J. Pure and Appl. Phys., Vol: 39, No: 5
Low operating voltage and high efficiency organic multilayer electroluminescent devices with p-type doped hole injection layer
Huang Jingsong, Pfeiffer Martin, Blochwitz Jan et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 11
Mechanism of blue-shift on Mn{2+} luminescence in ZnMgS:Mn for electroluminescent thin films
Ichino Kunio, Misasa Hiroaki, Kitagawa Masahiko et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 3A
Thomson-like electron-hole recombination in organic light-emitting diodes
Kalinowski Jan, Cocchi Massimo, Fattori Valeria et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 3B
GaAsP pn diode on Si substrate grown by metalorganic molecular beam epitaxy for visible light-emitting devices
Yoshimoto M., Itoh M., Saraie J., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 6A
Electroluminescence of β-FeSi[2] light emitting devices
Lourenco M.A., Butler T.M., Kewell A.K., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 6A
Photoluminescence and electroluminescence characteristics of new disubstituted polyacetylenes
Ting C.H., Hsu C.S.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 9A
A spin esaki diode
Kohda Makoto, Ohno Yuzo, Takamura Koji, et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 12A
Fabrication and optoelectronic properties of a transparent ZnO homostructural light-emitting diode
Guo X.-L., Choi J.-H., Tabata H., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 3A
High output power InGaN ultraviolet light-emitting diodes fabricated on patterned substrates using metalorganic vapor phase epitaxy
Tadatomo K., Okagawa H., Ohuchi Y., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 6B
Monolithic white light emitting diodes based on InGaN/GaN multiple-quantum wells
Damilano Benjamin, Grandjean Nicolas, Pernot Cyril et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 9A
Quaternary AlInGaN multiple quantum wells for ulraviolet light emitting diodec
Zhang Jian Ping, Adivarahan Vinod, Wang Hong Mei et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 9A
An efficient room-temperature silicon-based light-emitting diode
Ng wai Lek, Lourenco M.A., Gwilliam R.M., et al.
Nature, Vol: 410, No: 6825
Spin-dependent exciton formation in π-conjugated compounds
Wilson J.S., Dhoot A.S., Seeley A.J.A.B., et al.
Nature, Vol: 413, No: 6858
Spin-dependent recombination and electroluminescence quantum yield in conjugated polymers
Hong Tzay-Ming, Meng Hsin-Fei
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 63, No: 7
Influence of pressure on the optical properties of In[x]Ga[1-x]N epilayers and quantum structures
Perlin P., Gorczyca I., Suski T., Wisniewski P., Lepkowski S., Christensen N. E., Svane A., Hansen M., DenBaars S. P., Damilano B., Grandjean N., Massies J.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 11
Efficiency of radiative emission from thin films of a light-emitting conjugated polymer
Wasey J. A. E., Safonov A., Samuel I. D. W., Barnes W. L.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 64, No: 20
Room-Temperature Spin Injection from Fe into GaAs
Zhu H. J., Ramsteiner M., Kostial H., Wassermeier M., Schonherr H.-P., Ploog K. H.
Phys. Rev. Lett., Vol: 87, No: 1
Spatial distribution of electron energy in thin film electroluminscent devices
Chao-yong Deng, Hui Zhao, Yong-sheng Wang
Acta phys. sin., Vol: 50, No: 7
Распределение центров голубого и зеленого свечения в барьерных областях зерен цинксульфидных электролюминофоров
Кокин С.М., Миков С.Н., Пузов И.П.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 68, No: 6
Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю.
Ж. техн. физ., Vol: 71, No: 3
Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В.
Ж. техн. физ., Vol: 71, No: 8
Кинетика электролюминесценции ионов эрбия в туннельных светодиодах на основе монокристаллического кремния с (111) ориентацией поверхности
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Якименко А.Н.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 65, No: 2
Электролюминесценция кирсталлов ZnS:Mn в постоянном электрическом поле
Буланый М.Ф., Ковалева Е.В., Полежаев Б.А.
Неорган. матер., Vol: 37, No: 2
Электролюминесценция эрбия в структуре Al/α-Si:H(Er)/p-c-Si/Al
Коньков И.О., Кузнецов А.Н., Пак П.Е. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 13
Электролюминесценция в диапазоне 1.55-1.6 μm диодных структур с квантовыми точками на GaAs
Жуков А.Е., Воловик Б.В., Михрин С.С. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 17
Формирование вольт-яркостной характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Шляпин А.В., Сабитов О.Ю.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 22
Кинетика мгновенной яркости свечения тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 4
Определение сечения ударного возбуждения активаторов в люминофоре на основе измерений вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур
Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р., Хадиуллин Э.И.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 8
Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
Зиновьев Н.Н., Андрианов А.В., Некрасов В.Ю. и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 74, No: 1-2
Свет из гетеропереходов
Юнович А.Э.
Природа (Россия), Vol: , No: 6
Фото-, електро- та катодолюмiсценцiя порубатого кремнiю
Монастирський Л.С.
Укр. фiз. ж., Vol: 46, No: 1
Рекомбiнацiйнi процеси в електролюмiнесцентних структурах метал - GaN<Zn>
Сльотов М.М.
Укр. фiз. ж., Vol: 46, No: 12
Влияние температуры отжига на электролюминесценцию ионов эрбия в Si:(Er,O)-диодах: диоды с ориентацией подложки
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 10
Влияние легирования азотом на электрофизические свойства и эрбиевую электролюминесценцию пленок a-Si:H(Er)
Коньков О.И., Теруков Е.И., Границына Л.С.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 10
Прямые оптические переходы в излучательной рекомбинации в твердых растворах InGa[x]As (0≤x≤0.16)
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 12
Отрицательная люминесценция в диодах на основе p-InAsSbP/n-InAs
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 3
Характеризация электролюминесцентных структур на основе арсенида галлия, ионно-легированного иттербием и кислородом
Палмер Д., Дравин В.А., Коннов В.М. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 3
Электролюминесценция светодиодов на основе твердых растворов InGaAs (λ=3,3-4,3 мкм) в интервале температур 20-180°C (продолжение)
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 5
Тонка структура краевой ультрафиолетовой люминесценции активированных в плазме азота пленок GaN:Mg и электролюминесцентные гетероструктуры ZnO-GaN:Mg на их основе
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Воробьев М.О. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 6
Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN - зависимость от тока и напряжения
Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 7
Structural studies of InGaAsP/InP-based lasers
Kallstenius Th.
Acta univ. upsal. Compr. Summ. Uppsala Diss. Fac. Sci. and Technol., Vol: , No: 508
Electroluminescence from silicon based porous β-SiC film and its mechanism
Wu Xiao-hua, Bao Xi-mao, Li Ning-sheng et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 21, No: 2
InGaN/AlGaN DH green LED
Lu Da-cheng, Han Pei-de, Xu Ping et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 21, No: 4
InGaN/GaN Single quantum well structures green light-emitting diodes
Wang Xiao-hui, Liu Xiang-lin, Lu Da-cheng, et al.
Bandaoti xuebao = Chin. J. Semicond., Vol: 21, No: 7
Introduction to the physics of organic electroluminescence
Schott M.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
A theoretical insight into the solid-state optical properties of luminescent materials: the supermolecular approach
Cornil J., Beljonne D., Dos Santos D.A., et al.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
Ion beam assisted deposition of organic molecules: a physical way to realize OLED structures
Moliton A., Antony R., Troadec D., Ratier B.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
Synthesis of conjugated polymers for application in light-emitting diodes (PLEDs)
Martin R.E., Geneste F., Holmes A.B.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
Application of organic electroluminescent materials in visualisation
Le Barny P., Dentan V., Facoetti H., et al.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
Photo- and electro-luminesctnce from hydrogenated amorphous silicon carbide films prepared by using organic carbon source
Xu Jun, Ma Tian-fu, Li Wei et al.
Chin. Phys., Vol: 9, No: 6
Green thin film electroluminescent devices using ceramic thick film as insulator layer
Tang Chunjiu et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 20, No: 1
Room temperature InAs/InAs[1-x]Sb[x] single quantum well light emitting diodes with barriers for improved carrier confinement
Heber J.D., Gevaux D., Li X., Phillips C.C.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 147, No: 6
White-colour electroluminescence from porous-silicon diodes capped with organic conductive adduct
Lara Antipan J., Kathirgamanathan P.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 147, No: 5
Analysis of hot carrier transport in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT`s by means of electroluminescence
Meneghesso G., Grave T., Manfredi M. et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 47, No: 1
Electrical modeling of interface roughness in thin film electroluminescent devices
Neyts K., De Visschere P., Soenen B., Stuyven G.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 47, No: 2
EL characteristics of a TFEL/TFT stacked structure display device deriven by a HV-Si TFT circuit
Unagami T.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 47, No: 9
Study of some organic polymeric materials for electrical and optoelectrical sevices
Sharma G.D., Saxena Dhiraj, Sangodkar S.G., Roy M.S.
Ind. J. Eng. and Mater. Sci, Vol: 7, No: 5-6
Improvement of the visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in CaF[2] on Si(111) substrate prepared by rapid thermal annealing
Maruyama Takeo, Nakamura Naoto, Watanabe Masahiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 4B
Spatially resolved imaging of the spectral emission characteristic of an InGaN/GaN-multi quantum well-light=emitting diode by scanning electroluminescence microscopy
Fischer Peter, Christen Jurgen, Zacharias Margit et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 4B
Room temperature 1.6 μm electroluminescence from a Si-based light emitting diode with β-FeSi[2] active region
Suemasu Takashi, Negishi Yoichiro, Takakura Ken`ichiro, Hasegawa Fumio
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 10B
Room-temperature electroluminescence from metal-oxide-silicon-tunneling diodes on (110) substrates
Liu Chee-Wee, Lee Min-Hung, Chang Shu-Tong et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 10B
Far-infrared emission and Stark-cyclotron resonances in a quantum-cascade structure based on photon-assisted tunneling transition
Blaser Stephane, Rochat Michel, Beck Mattias, Faist Jerome, Oesterle Ursula
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 12
Carrier thermalization within a disordered ensemble of self-assembled quantum dots
Patane A., Levin A., Polimeni A., Eaves L., Main P. C., Henini M., Hill G.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 16
Tuning quantum dot properties by activated phase separation of an InGa(Al)As alloy grown on InAs stressors
Maximov M. V., Tsatsul`nikov A. F., Volovik B. V., Sizov D. S., Shernyakov Yu. M., Kaiander I. N., Zhukov A. E., Kovsh A. R., Mikhrin S. S., Ustinov V. M., Alferov Zh. I., Heitz R., Shchukin V. A., Ledentsov N. N., Bimberg D., Musikhin Yu. G., Neumann W.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 24
Solitary current-density patterns in thin ZnS:Mn films
Zuccaro S., Niedernostheide F.-J., Kukuk B., Strych M., Purwins H.-G.
Phys. Rev. E: Stat. Nonlinear Soft Matter Phys., Vol: 62, No: 1
GaN/SiC heterojucntion bipolar transistors
Torvik J.T., Pankove J.I., Zeghbroeck B.V.
Solid-State Electron., Vol: 44, No: 7
Electrical and optical characteristics of the GaN light-emitting diodes with multiple-pair bufler layer
Yang C.-C., Wu M.-C., Chuo C.-C. et al.
Solid-State Electron., Vol: 44, No: 8
Electroluminescence frolm Au/(SiO[2]/Si/SiO[2]) nanoscale double-barrier/n{+}-Si structure
Sun Yong-ke, Heng Cheng-lin, Wang Sun-tao, et al.
Acta phys. sin., Vol: 49, No: 7
Analytical band simulation of electric transport in ZnS thin film electroluminescent devices
Zhao Hui, He Da-wei, Wang Yong-sheng, Xu Xu-rong
Acta phys. sin., Vol: 49, No: 9
Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-структурах на карбиде кремния
Генкин А.М., Генкина В.К., Гермаш Л.П.
Ж. техн. физ., Vol: 70, No: 4
Электролюминесценция ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния
Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В., Трошихин А.Г.
Ж. техн. физ., Vol: 70, No: 8
Светоизлучающие структуры монокристаллического кремния, легированного эрбием, гольмием и иттербием: структурные, электрические и оптические свойства
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Кютт Р.Н. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 64, No: 2
Резонансное возбуждение ионов эрбия в электролюминесцентных структурах на основе кристаллического кремния
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Пак П.Е., Яссииевич И.Н.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 64, No: 2
Оптически активные центры в кремнии, легированном эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Андреев Б.А., Андреев А.Ю., Гапонова Д.М. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 64, No: 2
Электролюминесценция ионов эрбия при пробое p-n-перехода и свойства светоизлучающих структур Si:Er:O
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 64, No: 2
Устойчивая предпробойная лавинная электролюминесценция микроструктур различного рельефа
Грузинцев А.Н.
Микроэлектроника, Vol: 29, No: 3
Механизм гистерезиса на вольт-яркостной характеристике светоизлучающих МДПДМ-структур на основе ZnS/Mn
Аливов Я.И., Грузинцев А.Н.
Микроэлектроника, Vol: 29, No: 3
Фотоэлектролюминесценция кристаллов ZnS:Mn
Буланый М.Ф., Гулевский Ю.А., Полежаев Б.А.
Неорган. матер., Vol: 36, No: 10
Люминесценция ZnSe:N с p-n-переходом
Георгобиани А.Н., Аминов У.А., Дравин В.А., Илюхина З.П.
Неорган. матер., Vol: 36, No: 2
Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур
Забудский Е.Е., Самохвалов М.К.
Письма в ЖТФ, Vol: 26, No: 1
Емкостной метод исследования центров захвата порошковых люминофоров
Бибанина Е.М., Горюнов В.А., Денисов Б.Н., Никишин Е.В.
Письма в ЖТФ, Vol: 26, No: 11
Гетероструктурные эффекты в карбонизированном пористом кремний
Костишко Б.М., Атажанов Ш.Р., Пузов И.П. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 26, No: 5
Влияние воздуха на характеристики центров захвата и рекомбинации облученного ионами нитрида бора
Кабышев А.В., Конусов Ф.В., Лопатин В.В.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: , No: 5
Состав поверхностного слоя электролюминофоров постоянного поля
Синельников Б.М., Кривошеева Л.Н., Звеков В.Ю. и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: , No: 6
Люминесцирующие пленки ZnS:Cu, полученные химическим методом
Свечников С.В., Завьялова Л.В., Рощина Н.Н. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 10
Фотоответ и электролюминесценция структур кремний-пористый кремний-химически осажденный металл
Беляков Л.В., Горячев Д.Н., Сресели О.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 11
Длинноволновые светодиоды (λ=3,4-3,9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb/InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 12
Фотолюминесцентные и электролюминесцентные свойства спонтанно формирующихся периодических InGaAsP-структур
Вавилова Л.С., Капитонов В.А., Лившиц Д.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 3
Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (λ=3,0≃3,6 мкм)
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 4
Влияния одноосной деформации на электрофизические характеристики 6H-SiC p-n-структур
Лебедев А.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 5
Гетероструктуры с несколькими слоями InAs/InGaAs-квантовых точек для источников оптического излучения диапазона длин волн 1,3 мкм
Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 5
Вольт-амерные характеристики электролюминесцентных структур Me/α-Si:HEr/c-Si, изготовленных магнетронным распылением
Иванов П.А., Коньков О.И., Теруков Е.И.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 5
Туннельные светодиоды на основе Si:(Er,O) с малыми временами нарастания электролюминесценции ионов Er{3+} в режиме пробоя
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Тришенков М.А., Хакуашев П.Е.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 8
Влияние дохы имплантации ионов эрбия на характеристики (111) Si:Er:O-светодиодных структур, работающих в режиме пробоя p-n-перехода
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 9
Свойства люминесценции эрбия в объемных кристаллах карбида кремния
Бабунц Р.А., Ветров В.А., Ильин И.В. и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 42, No: 5
Electroluminescence from a n-ZnO nanorod/p-CuAlO2 heterojunction light-emitting diode
B. Ling, X.W. Sun, J.L. Zhao, S.T. Tan, Z.L. Dong, Y. Yang, H.Y. Yu, K.C. Qi
Physica E, Vol: 41, No: 4