www.viniti.ru Всероссийский Институт Научной и Технической Информации
 

База данных PEIS-V больше не обновляется с 1 июня 2018г.

The PEIS-V database is no longer updated from June 1, 2018


Physics Electronic Information Service by VINITI

PEIS-V | Help

   Optics.
      Luminescence.
         Luminescence of solids.
            Luminescence with nonoptical excitation
               Electro-, cathodo- and radioluminescence.
Room-temperature direct band-gap electroluminescence from germanium (111)-fin light-emitting diodes
Tani Kazuki, Saito Shin-ichi, Oda Katsuya, Miura Makoto, Wakayama Yuki, Okumura Tadashi, Mine Toshiyuki, Ido Tatemi
Jpn. J. Appl. Phys., Vol: 56, No: 3 , published: 01 March 2017
A series of new luminescent non-planar 1,8-naphthyridine derivatives giving coloured and close-to-white electroluminescence spectra
Indrė Urbanavičiūtė, Sigita Višniakova, Justina Dirsytė, Giedrius Juška, Bronė Lenkevičiūtė, Ernesta Bužavaitė, Albinas Žilinskas, Kęstutis Arlauskas
J. Lumin., Vol: 181, No: , published: 01 January 2017
Room-temperature electrophosphorescence from an all-organic material
Pavel Anzenbacher, César Pérez-Bolívar, Shin-ya Takizawa, Valentina Brega
J. Lumin., Vol: 180, No: , published: 01 December 2016
Luminescence properties of 100 MeV W8+ ion irradiated GdCa4O(BO3)3:Eu3+ and GdCa4O(BO3)3:Tb3+ phosphors
M. Kalidasan, K. Asokan, R. Dhanasekaran
J. Lumin., Vol: 180, No: , published: 01 December 2016
Cathodoluminescence investigation of Ge-point defects in silica-based optical fibers
I. Reghioua, S. Girard, A. Alessi, D. Di Francesca, L. Martin-Samos, M. Fanetti, N. Richard, M. Raine, M. Valant, A. Boukenter, Y. Ouerdane
J. Lumin., Vol: 179, No: , published: 01 November 2016
Luminescent properties of composite scintillators based on PPO and o-POPOP doped SiO2 xerogel matrices
O. Viagin, A. Masalov, I. Bespalova, O. Zelenskaya, V. Tarasov, V. Seminko, L. Voloshina, Yu. Zorenko, Yu. Malyukin
J. Lumin., Vol: 179, No: , published: 01 November 2016
Comparison of the luminescent properties of Lu3Al5O12:Pr crystals and films under synchrotron radiation excitation
Yu. Zorenko, V. Gorbenko, T. Zorenko, T. Voznyak, S. Nizankovskiy
J. Lumin., Vol: 179, No: , published: 01 November 2016
Radiophotoluminescence and thermally-stimulated luminescence of Ag-doped Li3PO4–Al(PO3)3 glass
Hiroki Tatsumi, Go Okada, Hirokazu Masai, Takayuki Yanagida
J. Lumin., Vol: 179, No: , published: 01 November 2016
Electroluminescence from NiSi2/Si/NiSi2 nanowire heterostructures operated at high electric fields (Phys. Status Solidi A 11∕2016)
Sebastian Glassner, Priyanka Periwal, Thierry Baron, Emmerich Bertagnolli and Alois Lugstein
Phys. Status Solidi A, Vol: 213, No: 11 , published: 01 November 2016
Green Electroluminescence from Charged Phenothiazine Derivative
Kanagaraj Shanmugasundaram, Madayanad Suresh Subeesh, Chozhidakath Damodharan Sunesh, Ramesh Kumar Chitumalla, Joonkyung Jang, and Youngson Choe
J. Phys. Chem. C, Vol: 120, No: 36 , published: 15 September 2016
Recombination luminescence of Cu and/or Ag doped lithium tetraborate single crystals
I. Romet, E. Aleksanyan, M.G. Brik, G. Corradi, A. Kotlov, V. Nagirnyi, K. Polgár
J. Lumin., Vol: 177, No: , published: 01 September 2016
Centers responsible for the TL peaks of willemite mineral estimated by EPR analysis
T.K. Gundu Rao, Nilo F. Cano, Betzabel N. Silva-Carrera, Reinaldo M. Ferreira, Henry S. Javier-Ccallata, Shigueo Watanabe
J. Lumin., Vol: 177, No: , published: 01 September 2016
Low voltage cathode-luminescent properties of Zn co-doped Y2O3:Eu red phosphor
K. Lingadurai, B. Sundarakannan, E.R. Nagarajan, H. Kominami, Y. Nakanishi, M. Kottaisamy
J. Lumin., Vol: 177, No: , published: 01 September 2016
Электролюминесценция и электронно-дырочная подвижность у 6,12-ди(тиен-2-ил)индоло[3,2-b]карбазолов
Дмитриев А.В., Юсупов А.Р., Иргашев Р.А., Казин Н.А., Мальцев Е.И., Лыпенко Д.А., Русинов Г.Л., Ванников А.В., Чарушин В.Н.
Материаловедение, Vol: 2016, No: 9 , published: 01 September 2016
Structural, morphological and electroluminescence studies of Zno:Co nanophosphor
Anju Singh, H. L. Vishwakarma
Appl. Phys. A , Vol: 122, No: 9 , published: 01 September 2016
Импульсная катодолюминесценция керамического композита Al2O3/MgO
Киряков А.Н., Кортов В.С.
Изв. вузов. Физ., Vol: 59, No: 9(2) , published: 01 September 2016
9-Arylvinyl- and 9,10-bis(arylvinyl)-anthracenes with phenyl and naphthyl as aryl moieties: Differential aggregation behaviors and optoelectronic properties
Jing Dong, Wei Liu, Shian Ying, Yongjin Wu, Shanfeng Xue, Wenjun Yang
J. Lumin., Vol: 176, No: , published: 01 August 2016
Emission spectroscopy of solid nitrogen
Proc. 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015),September 20-25, 2015 Tartu, Estonia
Elena Savchenko, Ivan Khyzhniy, Sergey Uyutnov, Mikhail Bludov, Galina Gumenchuk, Vladimir Bondybey
Radiat. Meas., Vol: 2016, No: 90 , published: 01 July 2016
Growth and radioluminescence of metal elements doped LiCaAlF6 single crystals for neutron scintillator
Proc. 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015),September 20-25, 2015 Tartu, Estonia
Chieko Tanaka, Yuui Yokota, Shunsuke Kurosawa, Akihiro Yamaji, Vitezslav Jary, Vladimir Babin, Jan Pejchal, Yuji Ohashi, Kei Kamada, Martin Nikl, Akira Yoshikawa
Radiat. Meas., Vol: 2016, No: 90 , published: 01 July 2016
Real time dose rate measurements with fiber optic probes based on the RL and OSL of beryllium oxide
Proc. 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015),September 20-25, 2015 Tartu, Estonia
T. Teichmann, J. Sponner, Ch. Jakobi, J. Henniger
Radiat. Meas., Vol: 2016, No: 90 , published: 01 July 2016
Study of the luminescent behavior of Spectrolite + Teflon pellets in 90Sr + 90Y beams
Proc. 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015),September 20-25, 2015 Tartu, Estonia
Patrícia L. Antonio, Raquel A.P. Oliveira, Helen J. Khoury, Linda V.E. Caldas
Radiat. Meas., Vol: 2016, No: 90 , published: 01 July 2016
Luminescence properties of the Mg co–doped Ce:SrHfO3 ceramics prepared by the Spark Plasma Sintering Method
Proc. 9th International Conference on Luminescent Detectors and Transformers of Ionizing Radiation (LUMDETR 2015),September 20-25, 2015 Tartu, Estonia
Hiroyuki Chiba, Shunsuke Kurosawa, Koichi Harata, Rikito Murakami, Akihiro Yamaji, Yuji Ohashi, Jan Pejchal, Kei Kamada, Yuui Yokota, Akira Yoshikawa
Radiat. Meas., Vol: 2016, No: 90 , published: 01 July 2016
Molecular modification on bisphenanthroimidazole derivative for deep-blue organic electroluminescent material with ambipolar property and high performance
Wen-Cheng Chen, Yi Yuan, Guang-Fu Wu, Huai-Xin Wei, Jun Ye, Miao Chen, Feng Lu, Qing-Xiao Tong, Fu-Lung Wong, Chun-Sing Lee
Org. Electron., Vol: 2016, No: 28 , published: 01 February 2016
Light emitting field-effect transistors with vertical heterojunctions based on pentacene and tris-(8-hydroxyquinolinato) aluminum
Shaobo Cui, Yufeng Hu, Zhidong Lou, Ran Yi, Yanbing Hou, Feng Teng
Org. Electron., Vol: 2015, No: 22 , published: 01 July 2015
Phosphorescent rhenium emitters based on two electron-withdrawing diamine ligands: Structure, characterization and electroluminescent performance
Mei Rui, Wang Yuhong, Wang Yinting, Zhang Na
J. Lumin., Vol: 153, No: , published: 01 September 2014
Luminescent properties of Mn-doped Y3Al5O12 single crystalline films
Yu. Zorenko, V. Gorbenko, T. Zorenko, B. Kuklinski, M. Grinberg, K. Wiśniewski, P. Bilski
Opt. Mater., Vol: 36, No: 10 , published: 01 August 2014
Novel iridium complexes containing alkylfluorene functionalized picolinic acid ancillary ligand: Synthesis, optophysics and electroluminescence properties
Junting Yu, Yafei Wang, Yu Liu, Xianping Deng, Hua Tan, Zhiyong Zhang, Meixiang Zhu, Weiguo Zhu
J. Organomet. Chem., Vol: 2014, No: 761 , published: 01 July 2014
Luminescent properties of novel K3R(PO4)2:Tb3+ (R=Y and Gd) phosphors for displays and lightings
Si Chen, Yuhua Wang, Jia Zhang, Lei Zhao, Qian Wang, Lili Han
J. Lumin., Vol: 150, No: , published: 01 June 2014
Crystal growth and optical properties of Ce:(La,Gd)2Ge2O7 grown by the floating zone method
Shunsuke Kurosawa, Toetsu Shishido, Takamasa Sugawara, Kunio Yubuta, Pejchal Jan, Akira Suzuki, Yuui Yokota, Yasuhiro Shoji, Kei Kamada, Akira Yoshikawa
J. Cryst. Growth, Vol: 393, No: , published: 01 May 2014
Synthesis and luminescent properties of MgAl2O4:Eu nanopowders
I.V. Beketov, A.I. Medvedev, O.M. Samatov, A.V. Spirina, K.I. Shabanova
J. Alloys Compd., Suppl. 1, Vol: 2014, No: 586 , published: 15 February 2014
Novel ZnII complexes of 2-(2-hydroxyphenyl)benzothiazoles ligands: electroluminescence and application as host materials for phosphorescent organic light-emitting diodes
Renjie Wang, Lijun Deng, Min Fu, Jinling Cheng and Jiuyan Li
J. Mater. Chem. , Vol: 22, No: 44 , published: 23 October 2012
Импульсная фото- и катодолюминесценция кристаллов LiF, активированных оксидом вольфрама
Л. А. Лисицына, В. И. Корепанов, А. А. Абдрахметова, Н. Н. Тимошенко, А. К. Даулетбекова
Оптика и спектроскопия, Vol: 112, No: 2 , published: 01 February 2012
Stable and efficient electroluminescence from a porous silicon-based bipolar device
Tsybeskov L., Duttagupta S.P., Hirschman K.D., Fauchet P.M.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 15 , published: 01 January 2005
Катодолюминесцентные исследования гомоэпитаксиальных слоев ZnSe, выращенных методом парофазной эпитаксии из элементоорганических соединений
Козловский В.И., Коростелин Ю.В., Крысф А.Б. и др.
Кpатк. сообщ. по физ. ФИAН, Vol: 1999, No: 4 , published: 01 January 1999
ZnS:Sm, Cl red thin film electroluminescent devices with ceramic thick film as insulator layer
Chunjin Tang et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 19, No: 10 , 1999
Red electroluminescence europium polymer complex
Dongxu Zhao et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 19, No: 12 , 1999
Electroluminescent property of ceramic thick film device
Chunjiu Tang et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 19, No: 3 , 1999
Dynamical study on the behavior of electroluminescent polymers under applied electric-fields
Fu Rou-Li, Zhao Er-Hai, Sun Xin
J. Infrared and Millimeter Waves = Hongwai Yu Haomibo Xuebao, Vol: 18, No: 3 , 1999
Optical characterization of impact ionization in flip-chip-bonded InP-based high electron mobility transistors
Shigekawa Naoteru, Furuta Tomofumi, Suemitsu Tetsuya, Umeda Yohtaro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 10 , 1999
Light-emitting substituted polyacetylenes
Sun Runguang, Zheng Qianbing, Zhang Xianmin et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4A , 1999
Energy barrier height for electron injection in organic electroluminescent devices with dithienosilole (short note)
Adachi Akira, Ohshita Joji, Kunai Atsutaka, Okita Koichi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4A , 1999
Electroluminescence in undoped GaAs/AlAs superlattice due to avalanche breakdown
Domoto Chiaki, Ohtani Naoki, Kuroyanagi Kazuyoshi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4B , 1999
Periodic boundary quantum chemical study on ZnO ultra-violet laser emitting materials
Oumi Yasunori, Takaba Hiromitsu, Salai Cheettu Ammal S. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 4B , 1999
Evaluation of true power luminous efficiency from experimental luminance values
Tsutsui Tetsuo, Yamamato Kounosuke
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 5A , 1999
An X-ray photoelectron spectroscopy study of elements`chemical states in SrGa[2]S[4]:Ce blue electroluminescent thin films
Izumi Y., Okamoto Sh., Tanaka K., Inoque Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8 , 1999
An X-ray photoelectron spectroscopy study of elements`chemical states in SrGa[2]S[4]:Ce blue electroluminescent thin films
Izumi Y., Okamoto Sh., Tanaka K., Inoue Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8 , 1999
A blue organic light emitting diode
Kijima Yasunori, Asai Nobutoshi, Tamura Shin-ichiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 9A , 1999
Yellow emission from zinc oxide giving an electron spin resonance signal at g=1.96
Ohashi Naoki, Nakata Tomokazu, Sekiguchi Takashi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 2A , 1999
Visible electroluminescence from nanocrystalline silicon embedded in single-crystalline CaF[2]/Si(111) with rapid thermal anneal
Maruyama Takeo, Nakamura Naoto, Watanabe Masahiro
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 38, No: 8B , 1999
Electroluminescence in conjugated polymers
Friend R.H., Gymer R.W., Holmes A.B. et al.
Nature, Vol: 397, No: 6715 , 1999
Vacancy-migration-mediated disordering in CuPt-ordered (Ga,In)P studied by in situ optical spectroscopy in a transmission electron microscope
Ohno Y., Kawai Y., Takeda S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 59, No: 4 , 1999
Observation of the coherence transition into a collective dense Kondo state by resonant inverse photoemission spectroscopy
Kanai K., Terashima T., Eom D. H., Ishikawa M., Shin S.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 14 , 1999
Cathodoluminescent properties of pulsed-laser-deposited Eu-activated Y[2]O[3] epitaxial films
Kumar D., Cho K. G., Chen Zhan, Craciun V., Holloway P. H., Singh Rajiv K.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 19 , 1999
Analysis of the red optical emission in cubic GaN grown by molecular-beam epitaxy
Goldys E. M., Godlewski M., Langer R., Barski A., Bergman P., Monemar B.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 60, No: 8 , 1999
Multifractal of the failure perocess of electroluminescence of organic thin film
Wang Xiao-ping, Zhou Xiang, He Jun et al.
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 10 , 1999
Monte Carlo simulation on electron intervalley transfer process in ZnS-type thin-film electroluminescent devices
Zhao Hui, Wang Yong-sheng, Xu Zheng, Xu Xu-rong
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 3 , 1999
Electroluminescent mechanism in SrS: HoF[3] thin film
Zhao Li-juan, Zhong Guo-zhu, Zhang Guang-yin
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 7 , 1999
Mechanism of electroluminescence from a-Si:H and studies of defect energy distibution in intrinsic layer of a-Si:H solar cells by electroluminescence spectra
Han Da-xing, Wang Wan-lu, Zhang Zhi
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 8 , 1999
Dynamical characteristics of electrolyminescence in zinc sulfide thin film devices doped with erbium
Liu Zhao-hong, Jiang Bing-xi, Chen Mou-zhi, et al.
Acta phys. sin., Vol: 48, No: 9 , 1999
Цветная катодолюминесценция природных алмазов с криволинейной зональностью и округлыми ядрами
Смирнова Е.П., Зезин Р.Б., Сапарин Г.В., Обыден С.К.
Докл. РАН, Vol: 366, No: 1 , 1999
Низковольтная низкотемпературная электролюминесценция тонких пленок CdF[2]-RE
Денисова З.Л., Родионов В.Е., Хомченко В.С.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 66, No: 1 , 1999
Кинетика электролюминесценции в пленочных структурах на основе сульфида цинка, легированного марганцем
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю.
Ж. техн. физ., Vol: 69, No: 5 , 1999
Влияние гранулометрического состава на оптические свойства порошков на основе ZnS
Михайлов М.М., Владимиров В.М., Власов В.А.
Изв. вузов. Физ., Vol: 42, No: 7 , 1999
Светоизлучающие диодные структуры на основе монокристаллического кремния, легированного эрбием и кислородом, работающие при комнатной температуре
Соболев Н.А., Николаев Ю.А., Емельянов А.М. и др.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 63, No: 2 , 1999
Желто-оранжевые электролюминесцентные структуры на основе ZnS:Mn{2+} с регулируемым цветом свечения
Георгобиани А.Н., Грузинцев А.Н., Сююнь Сю, Зидонг Лоу
Неорган. матер., Vol: 35, No: 12 , 1999
Влияние примеси меди на инфракрасное излучение селенида цинка
Морозова Н.К., Картеников И.А., Виноградова О.Р. и др.
Неорган. матер., Vol: 35, No: 7 , 1999
Повышение эффективности i-n-GaN-светодиодов с помощью электрохимического травления
Сидоров В.Г., Дрижук А.Г., Шагалов М.Д. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 25, No: 2 , 1999
Электролюминесценция магнониабата свинца в режиме гетеродинирования возбуждающих полей на частотах звукового диапазона
Крайник Н.Н., Флерова С.А.
Письма в ЖТФ, Vol: 25, No: 22 , 1999
Исследование методом микрокатодолюминесценции ростовых особенностей эпитаксиальных GaN слоев на сапфире
Усиков А.С., Третьяков В.В., Лундин В.В. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 25, No: 7 , 1999
Влияние магнитного поля на пластичность, фото- и электролюминесценцию монокристаллов ZnS
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А. и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 69, No: 1-2 , 1999
Длинноволновое излучение горячих носителей заряда в кремнии
Косяченко Л.А., Мазур М.П.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Фото- и электролюминесценция вблизи 1,3 мкм структур с квантовыми точками на подложках GaAs
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов из гетероструктур InGa/AlGaN/GaN при длительной работе
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 2 , 1999
Люминесцентные и электрические свойства светодиодов InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами
Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 4 , 1999
Влияние ориентации кремниевой подложки на свойства лавинных Si:Er:O-светоизлучающих структур
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Николаев Ю.А. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Механизм эрбиевой электролюминесценции в аморфном гидрогенизированном кремнии
Бреслер М.С., Гусев О.Б., Пак П.Е. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Влияние температуры на спектральный состав пробойной электролюминесценции p-n-структур на основе карбида кремния
Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 33, No: 6 , 1999
Влияние магнитного поля на интенсивность электролюминесценции монокристаллов ZnS
Головин Ю.И., Моргунов Р.Б., Баскаков А.А., Шмурак С.З.
Физ. тверд. тела, Vol: 41, No: 11 , 1999
Electroluminescence from Au/extra thin nanosixe Ge particles embedded silicon oxide film/p-Si and Au/extra thin nanosize Si particles embedded silicon oxide film/p-Si
Bai G.F., Li A.P., Zhang Y.X. et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 1998, No: 1-2 , published: 01 January 1998
Effects of chemical composition of Si oxynitride on electroluminescence from semitransparent Au/extra thin Si oxynitride film/p-Si structures
Qin G.G., Li A.P., Bai G.F. et al.
Phys. Low-Dim.struct., Vol: 1998, No: 1-2 , published: 01 January 1998
Preparation of blue display materials and devices
Zhao W., Tang Ch., Wang L., Liu Z., Jiang X., Zhang Z., Xu Sh.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 18, No: 1 , 1998
The effect of rare earth element dy on the light emission characteristics of MIM junction
Maoxiang Wang et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 18, No: 12 , 1998
Structure and electroluminescence characteristics of organic thin film electroluminescent devices
Li F., Liu X., Gu P., Tang J.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 18, No: 2 , 1998
Optical microcavity effects on electroluminescence of organic thin film electroluminescent devices
Liu Z., Tang Ch., Zhao W., Jiang X., Zhang Z., Xu Sh.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 18, No: 6 , 1998
Interface-induced phenomena in type II antimonide-arsenide heterostructures
Mikhailova M.P., Moiseev K.D., Berezovets Y.A. et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 145, No: 5 , 1998
Room temperature photocurrent spectroscopy of SiGe/Si p-i-n photodiodes grown by selective epitaxy
Vonsovici A., Vescan L., Apetz R., Koster A., Schmidt K.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 45, No: 2 , 1998
The relation between luminous properties and oxygen content in ZnS: TbOF thin-film electroluminescent devices fabricated by radio-frequency magnetron sputtering method
Wang C.W., Liao J.Y., Su Y.-K., Yokoyama M.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 45, No: 4 , 1998
Hydrogenated amorphous silicon deposited by glow discharge of SiH[4] diluted with He: photoluminescence and electroluminescence in the visible region
Luterova K., Knapek P., Stuchl←ik J., Kocka J., Poruba A., Kudrna J., Maly P., Valenta J., Dian J., Honerlage B., Pelant I.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: Pt A , 1998
Temperature-dependent photoluminescence and electroluminescence properties of polysilanes
Kamata N., Aihara S., Ishizaka W., Umeda M., Terunuma D., Yamada K., Furukawa S.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: Pt A , 1998
Photoluminescence and electroluminescence properties of a-Si[1-x]N[x];H based superlattice structures
Summonte C., Rizzoli R., Galloni R. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Electroluminescent properties of a-SiO[x]:H alloys
Knapek P., Luterova K., Pelant I. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Room-temperature electroluminescence of Er-doped hydrogenated amorphous silicon
Gusey O., Bresler M., Kuznetsov A. et al.
J. Non-Cryst. Solids , Vol: 227-2, No: , 1998
Analysis of the luminescence decay following excitaton of polyethylene naphthalate films by an electric field
Teyssedre G., Mary D., Laurent C.
J. Phys. D: Appl. Phys., Vol: 31, No: 3 , 1998
On the correlation between drain and gate currents and light emission in GaAs PHEMTs biased in the impact ionization regime
Cova P., Menozzi R., Pavesi M., Pavesi S., Manfredi M., Fantini F.
J. Phys. D: Appl. Phys., Vol: 31, No: 3 , 1998
Recombination and scintillation processes in YAlO[3]:Ce
Wojtowicz A.J., Glodo J., Lempicki A. et al.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 10, No: 37 , 1998
Electroluminescence from Au/native silicon oxide layer/p{+}.-Si and Au/native silicon oxide layer/n{+}-Si structures under reverse biases
Bai G.F., Wang Y.Q., Ma Z.C. et al.
J. Phys.: Condens. Matter. , Vol: 10, No: 44 , 1998
Negative-resistance effects in light-emitting porous silicon diodes
Ueno K., Koshida N.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Electroluminescence measurement of n{+} self-aligned gate GaAs MESFETs
Niwa H., Ohno Y., Koshimoto Sh., Mizutani T., Yamazaki H., Taniguchi T.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Effect of high current injection on the blue radiative recombination in InGaN single quantum well light emitting diodes
Taguchi T., Kudo H., Yamada Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Vertical quantum confinement effect on optical properties of strain-induced quantum dots self-formed in GaP/InP short-period superlattices
Kim S.-J., Asahi H., Asami K., Takemoto M., Fudeta M., Gonda Sh.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 3В , 1998
Current and temperature dependences of electroluminescence of InGaN-based UV/blue/green light-emitting diodes
Murai Takashi, Yamada Motokazu, Nakamura Shuji
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11B , 1998
Deep level emission in ZnS caused by electron beam irradiation studied by cathodoluminescence measurement system
Mitsui Tadashi, Yamamoto Naoki
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11B , 1998
Improvement of current-voltage characteristics in organic light emitting diodes by application of reversed-bias voltage
Zou Dechun, Yahiro Masayuki, Tsutsui Tetsuo
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 11B , 1998
Photoluminescence and electroluminescence in polymer mixture of poly(alkylphenylacetylene) and poly(diphenylacetylene) derivatives
Hidayat R., Hirohata M., Tada K. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 2A , 1998
Direct evidence that dislocations are non-radiative recombination centers in GaN
Sugahara T., Sato H., Hao M., Naoi Y. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 4A , 1998
Electroluminescence of nanocrystal Si embedded in single-crystal CaF[2]/Si(111)
Watanabe M., Matsunuma T., Maruyama T. et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 37, No: 5B , 1998
Nature of band-A cathodoluminescence in CVD diamond films
Marinelli M., Messina G., Milani E. et al.
Nuovo cim. D, Vol: 20, No: 7-8 , 1998
Electroluminescence from laser-grooved silicon
Yuan J., Haneman D., Li W., Zhang T.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 1 , 1998
Cathodoluminescence spectra of tensile strained ZnSe/Zn[1-x] Mg[x]Se MBE single quantum wells
Mitdank R., Rabe M., Schafer P.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 4 , 1998
Cathodoluminescence microscopy and photoluminescence of defects in ZnTe
Fernandez P., Garcia J.A., Remon A. et al.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 4 , 1998
A model for hot electron light emission from semiconductor heterostructures
Naundorf H., Gupta R., Scholl E.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 6 , 1998
Electroluminescence and nature of lightly spark-processed silicon
Yuan J., Haneman D., Andrienko I. et al.
Semicond. Sci. Technol., Vol: 13, No: 6 , 1998
Кинетика электролюминесценции сульфида цинка
Верещагин И.К.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 65, No: 1 , 1998
Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции ZnS:Cu
Верещагин И.К.
Изв. вузов. Физ., Vol: 41, No: 2 , 1998
Электролюминофоры постоянного тока желто-оранжевого цвета свечения, содержащие золото
Ищенко В.М., Шахмалиева С.Ш., Ищенко Т.В., Синельников Б.М., Комиссарова О.А.
Неорган. матер., Vol: 34, No: 5 , 1998
Улучшение характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур на основе пленок ZnS:Mn после облучения их маломощным лазером
Кононец Я.Ф.
Письма в ЖТФ, Vol: 24, No: 4 , 1998
Механизм анодной электролюминесценции пористого кремния в электролитах
Горячев Д.Н., Беляков Л.В., Полисский Г., Сресели О.М.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 32, No: 5 , 1998
Исследование структуры пленок термического окисла на кремнии методом катодолюминесценции
Заморянская М.В., Соколов В.И.
Физ. тверд. тела, Vol: 40, No: 9 , 1998
Радиотермолюминесценция алкилсульфоксидов
Казаков В.П., Коробейникова В.Н., Рыкова В.В.
Химия высок. энергий, Vol: 32, No: 1 , 1998
Doped organic electroluminescent devices with improved stability
Shi J., Tang C.W.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 70, No: 13 , 1997
High electric field electroluminescence in hydrogenated amorphous silicon carbide alloys
Toyama T., Matsui T., Okamoto H., Hamakawa Y.
Appl. Surf. Sci., Vol: 113-1, No: 2 , 1997
Experimental study of excitation effeciency distribution in low-voltage-driven thin film electroluminescent devices
Zhang J., Ye Y., Gu P., Liu X., Tang J.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 17, No: 1 , 1997
Understanding optical emissions from electrically stressed insulating polymers: electroluminescence in poly(ethylene terephthalate) and poly(ethylene 2,6-naphthalate) films
Mary D., Albertini M., Laurent C.
J. Phys. D: Appl. Phys., Vol: 30, No: 2 , 1997
Effect of alkyl and aromatic substituents on blue electroluminescence in polyacetylene derivatives
Hirohata M., Tada K., Hidayat R., Masuda T., Yoshino K.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 36, No: 3A , 1997
AC EL structures red light emission and their optogalvanic analogue
Atanassova S., Yourukova L., Zhechev D. et al.
Spectrosc. Lett., Vol: 30, No: 6 , 1997
Electroluminescence from poly(phenylene vinylene) in a planar metal-polymer-metal structure
Lemmer U., Vacar D., Moses D., Heeger A.J., Ohnishi T., Noguchi T.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 21 , 1996
Efficient, fast response light-emitting electrochemical cells: Electroluminescent and solid electrolyte polymers with interpenetrating network morphology
Cao Y., Yu G., Heeger A.J., Yang C.Y.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 23 , 1996
Alternating-current light-emitting devices based on conjugated polymers
Wang Y.Z., Gebler D.D., Lin L.B., Blatchford J.W., Jessen S.W., Wang H.L., Epstein A.J.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 68, No: 7 , 1996
Color-variable electroluminescence from multilayer polymer films
Hamaguchi M., Yoshino K.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 69, No: 2 , 1996
Time-resolved electroluminescence from single and bilayer LEDs based upon substituted poly-arylenevinylenes
Tak Y.-H., Vestweber H., Bassler H., Bleyer A., Stockmann R., Horhhold H.-H.
Chem. Phys., Vol: 212, No: 2-3 , 1996
Low-voltage-driven thin film electroluminescent deviced and mechanism
Zhang J., Gu P., Liu X., Tang J.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 16, No: 4 , 1996
Organic electroluminescent devices having derivatives of aluminum-hydroxyquinoline complex as lignt emitting materials
Matsumura M., Akai T.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 35, No: 10 , 1996
Blue electroluminescence of substituted polyacetylenes
Sun R., Masuda T., Kobayashi T.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 35, No: 12B , 1996
Blue-green electroluminescence in copolymer based on poly(1,4-phenylene ethynylene)
Tada K., Onoda M., Hirohata M., Kawai T., Yoshino K.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 35, No: 2B , 1996
The effect of a metal electrode on the electroluminescence of poly(p-phenylenevinylene)
Peng Junbiao, Yu Byung-Yong, Pyun Chong-Hong, Kim Chang-Hong, Kim Keun-Youl, Jin Jung-Il
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 35, No: 3A , 1996
Энергетический анализ тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов
Гурин Н.Т.
Ж. техн. физ., Vol: 66, No: 5 , 1996
Катодолюминофоры на основе оксоортосиликата иттрия, полученные золь-гель-методом
Архипов Д.В., Христов Ц.И., Попович Н.В., Галактионов С.С., Сощин Н.П.
Неорган. матер., Vol: 32, No: 4 , 1996
Импульсная катодолюминесценция алмазов
Михайлов С.Г., Соломонов В.И.
Оптика и спектроскопия, Vol: 80, No: 5 , 1996
Моделирование свечения тонкослойного люминесцентного покрытия
Михайлик В.Б., Пигрух В.В., Пидзырайло Н.С., Яремко З.М.
Оптический журнал, Vol: 1995, No: 5 , published: 01 January 1995
Anomalous electrical and optical properties of polymeric carbons
Chellappa V., Jang B.Z.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 66, No: 15 , 1995
White light emitting SrS:Pr electroluminescent fabricated via atomic layer epitaxy
Kong W., Fogarty J., Solanki R., Tuenge R.T.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 66, No: 4 , 1995
Effects of Mn{2+} distribution in Cu-modified ZnS on the concentration quenching of electroluminescence brightness
Yu I., Senna M.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 66, No: 4 , 1995
Polarized electroluminescence from oriented p-sexiphenyl vacuum-deposited film
Era M., Tsutsui T., Saito Sh.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 67, No: 17 , 1995
Les activateurs de cathodoluminescence dans des chlorapatites preparees par synthese hydrothermale
Blanc Ph., Baumer A., Cesbron F., Ohnenstetter D.
C. r. Acad. sci. Ser. 2.Fasc.a., Vol: 321, No: 12 , 1995
Importance of poly(N-vinylcarbazole) dopant to poly(3-octylthiophene) electroluminescence
Wang G., Yuan Ch., Wu H., et al.
J. Appl. Phys. , Vol: 78, No: 4 , 1995
Rubbing-induced molecular orientation and polarized electroluminescence in conjugated polymer
Hamaguchi M., Yoshino K.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 34, No: 6A , 1995
Preparation of poly(quinoxaline-5.8-diyl) derivatives by using zero-valent nickel complexes, electrical and optical properties and light-emitting diodes
Kanabara T., Inoue T., Sugiyama K., Yamamoto T.
Synth. Met., Vol: 71, No: 1-3 , 1995
Рассеяние тепла в тонкопленочных электролюминесцентных структурах
Самохвалов М.К.
Письма в ЖТФ, Vol: 21, No: 11 , 1995
Cathodoluminescence for ICs and optoelectronics-every picture tells a story
Searle A.
Eur. Semicond, Vol: 16, No: 3 , 1994
Electrochemiluminescence interferometry at microelectrodes
Collinson M.M., Pastore P., Maness K.M., Wightman R.M.
J. Am. Ceram. Soc. , Vol: 116, No: 9 , 1994
Carrier injection characteristics of organic electroluminescent devices
Egusa S., Miura A., Gemma N., Azuma M.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 33, No: 5A , 1994
Blue-light electroluminescence from p-phenylene vinylene-based copolymers
Sokolik I., Yang Z., Karasz F.E., Morton D.C.
J. Appl. Phys. , Vol: 74, No: 5 , 1993
Electroluminescence in ZnS[1-x]Te[x]:CeF[3] thin-film devices prepared in oxygen atmosphere
Sohn S.H., Hamakawa Y.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 32, No: 4B , 1993
Electroluminescence-, conductivity-, and photoconductivity-detected magnetic resonance study of poly(P-phenylenevinylene)-based light emitting diodes
Swansson L.S., Shinar J., Brown A.R., Bradley D.D.C., Friend R.H., Burn P.L., Kraft A., Holmes A.B.
Synth. Met., Vol: 55, No: 1 , 1993
Electroluminescence in poly(3-alkylthienylene)s
Greenham N.C., Brown A.R., Bradley D.D.C., Friend R.H.
Synth. Met., Vol: 57, No: 1 , 1993
Electroluminescence in polymer with abnormally high conductivity
Valeeva I.L., Lachinov A.N.
Synth. Met., Vol: 57, No: 1 , 1993
Dynamic characteristics of electroluminescent diodes utilizing conducting polymers
Ohmori Y., Morishima Ch., Uchida M., Yoshino K.
Synth. Met., Vol: 57, No: 1 , 1993
Катодолюминесцентный композиционный экран на основе цинкосульфидной люминесцентной оптической керамики
Горохова Е.И., Купревич В.В., Васильев П.Я.
Оптический журнал, Vol: 1992, No: 10 , published: 01 January 1992
Efficient visible electroluminescence from highly porous silicon under cathodic bias
Canham L.T., Leong W.Y., Beale M.I.J., Cox T.I., Taylor L.
Appl. Phys. Lett. , Vol: 61, No: 21 , 1992
Impact ionization and light emission in AlGaAs/GaAs HEMT`s
Zanoni E., Manfredi M., Bigliardi S., Paccagnella A., Pisoni P., Tedesco C., Canali C.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 39, No: 8 , 1992
Role of oxygen in electroluminescence of high T[c] Y-Ba-Cu-O superconductors
Pawar S.H., Todkar B.M., Awana V.P.S., Agarwal S.K., Narlikar A.V.
Indian J. Pure and Appl. Phys., Vol: 30, No: 7 , 1992
The constructions and optical characteristics of multi-color or full-color ACTFEL display devices
Li J.W., Su Y.K., Yokoyama M.
J. Electron. Mater., Vol: 21, No: 6 , 1992
Red organic electroluminescence devices
Zhao Weiming, et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 21, No: 1
Influence of trapped and interfacial charges in organic multilayer light-emitting devices
Riess W., Riel H., Beierlein T. et al.
IBM J. Res. and Dev., Vol: 45, No: 1
STM-excited electroluminescence and spectroscopy on organic materials
Alvarado S.F., Rossi L., Muller P. et al.
IBM J. Res. and Dev., Vol: 45, No: 1
Fast modelling of the optical characteristics of electroluminescent pixel structures
Rudiger J., Mias C., Stevens R. et al.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 148, No: 2
Depth-resolved cathodoluminescence of III-V nitride films grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Myoung Jae-Min, Shim Kyu-Hwan, Kim Sangsig
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 2A
Efficient free-exciton recombination emissaion from diamond diole at room temperature
Horiuchi Kenji, Kawamura Aki, Ide Takahiro et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 3B
Thomson-like electron-hole recombination in organic light-emitting diodes
Kalinowski Jan, Cocchi Massimo, Fattori Valeria et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 3B
Electroluminescence of β-FeSi[2] light emitting devices
Lourenco M.A., Butler T.M., Kewell A.K., et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 6A
Cathodoluminescence change of YNbO[4]:Bi phosphor after acid treatment
Shin S.H., Jeon D.Y., Suh K.S., Kim J.M.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 6A
Emission band shift of the cathodoluminescence of Y[2]SiO[5]:Ce phosphor affected by its activator concentration
Shin S.H., Jeon D.Y., Suh K.S.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 7
Green InGaN light-emitting diodes grown on silicon (111) by metalorganic vapor phase epitaxy
Feltin Eric, Dalmasso Stephane, de Mierry Philippe et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 7B
Improved luminous efficiency of organic light-emitting diodes by carrier trapping dopants
Hamada Yuji, Matsusue Noriyuki, Kanno Hiroshi et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 7B
Simple measurement of quantum efficiency in organic electroluminescent devices
Okamoto Shinji, Tanaka Katsu, Izumi Yoshiaka et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 40, No: 7B
Light-emitting diodes as chemical sensors
Ivanisevic A., Yeh J.-Y., Kuech Th.F., et al.
Nature, Vol: 409, No: 6819
Эмиссионные и катодолюминесцентные свойства пленок оксида цинка
Горбик П.П., Дадыкин А.А., Дубровин И.В. и др.
Доп. Нац. АН Украïни, Vol: , No: 1
Оптические свойства и структура электролюминесцирующих пленок SiO[x]:Tb
Бережинский Л.И., Сопинский Н.В., Хомченко В.С.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 68, No: 1
Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю., Шляпин А.В.
Ж. техн. физ., Vol: 71, No: 8
Кинетика электролюминесценции ионов эрбия в туннельных светодиодах на основе монокристаллического кремния с (111) ориентацией поверхности
Соболев Н.А., Емельянов А.М., Якименко А.Н.
Изв. РАН. Сер. физ., Vol: 65, No: 2
Электролюминесценция эрбия в структуре Al/α-Si:H(Er)/p-c-Si/Al
Коньков И.О., Кузнецов А.Н., Пак П.Е. и др.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 13
Определение сечения ударного возбуждения активаторов в люминофоре на основе измерений вольт-яркостных характеристик тонкопленочных электролюминесцентных структур
Самохвалов М.К., Давыдов Р.Р., Хадиуллин Э.И.
Письма в ЖТФ, Vol: 27, No: 8
Терагерцовая инжекционная электролюминесценция в многопериодных квантово-каскадных структурах AlGaAs/GaAs
Зиновьев Н.Н., Андрианов А.В., Некрасов В.Ю. и др.
Письма в ЖЭТФ, Vol: 74, No: 1-2
Исследование цветовых характеристик александрита посредством импульсной катодолюминесценции
Соломонов В.И., Михайлов С.Г., Липчак А.И., Козлов Ю.С.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: , No: 3
Исследование спектров глубоких центров и люминесцентных свойств эпитаксиальных слоев p-GaN, выращенных на различных подложках
Говорков А.В., Поляков А.Я., Смирнов Н.Б. и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: , No: 8
Фото-, електро- та катодолюмiсценцiя порубатого кремнiю
Монастирський Л.С.
Укр. фiз. ж., Vol: 46, No: 1
Спектры и квантовый выход излучения светодиодов с квантовыми ямами на основе гетероструктур из GaN - зависимость от тока и напряжения
Кудряшов В.Е., Мамакин С.С., Туркин А.Н. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 7
Оптическая ширина запрещенной зоны полупроводников Cd[1-x]Mn[x]Te и Zn[1-x]Mn[x]Te
Жуковский П.В., Партыка Я., Венгерэк П. и др.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 35, No: 8
Полосы излучения связанных экситонов в кристаллах ZnSe и смешивание плазмонов и фононов
Вавилов В.С., Клюканов А.А., Сушкевич К.Д. и др.
Физ. тверд. тела, Vol: 43, No: 5
Корототкоживущие центры окраски и люминесценция в облученных импульсными электронными пучками кристаллов LiNbO[3]
Яковлев В.Ю., Кабанова Е.В., Вебер Е., Пауфлер П.
Физ. тверд. тела, Vol: 43, No: 8
Introduction to the physics of organic electroluminescence
Schott M.
C. R. Acad. Sci. Ser. 1, Vol: 1, No: 4
Green thin film electroluminescent devices using ceramic thick film as insulator layer
Tang Chunjiu et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 20, No: 1
Eu{2+}:Sm{3+}:Cr{3+}:YAG monocrystalline phosphor with red emission
Jianbo Cheng et al.
Acta opt. sin=Guangxue xuebao , Vol: 20, No: 8
White-colour electroluminescence from porous-silicon diodes capped with organic conductive adduct
Lara Antipan J., Kathirgamanathan P.
IEE Proc. Optoelectron., Vol: 147, No: 5
Analysis of hot carrier transport in AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMT`s by means of electroluminescence
Meneghesso G., Grave T., Manfredi M. et al.
IEEE Trans. Electron Devices , Vol: 47, No: 1
Electroluminescence from Barrier-type anodic oxide alumina films doped with rae-earth and transition metals by ion-implantation
Maeno Tomokazu, Morisaki Shigeyoshi
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 11
New technique for the thermal resistance measurement of power field effect transistors using cathodoluminescence
Kim Hwa-Mok, Yoon Jin-Sik, Lee Seung-Ho et al.
Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, Vol: 39, No: 11A
Far-infrared emission and Stark-cyclotron resonances in a quantum-cascade structure based on photon-assisted tunneling transition
Blaser Stephane, Rochat Michel, Beck Mattias, Faist Jerome, Oesterle Ursula
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 61, No: 12
Carrier thermalization within a disordered ensemble of self-assembled quantum dots
Patane A., Levin A., Polimeni A., Eaves L., Main P. C., Henini M., Hill G.
Phys. Rev. B: Condens. Matter, Vol: 62, No: 16
Спектры катодолюминесценции твердых растворов Cd[1-x]Zn[x]Te
Морозова Н.К., Каретников И.А., Блинов В.В. и др.
Ж. прикл. спектроскопии, Vol: 67, No: 1
Выращивание монокристаллов и катодолюминесценция соединения Zn[5]In[2]S[8]
Мачуга А.И., Житарь В.Ф., Мунтян С.П., Арама Е.Д.
Неорган. матер., Vol: 36, No: 12
Диагностика дефектов иттрий-алюминиевого граната, легированного неодимом, методом локальной катодолюминесценции
Заморянский М.В., Письменный В.А.
Неорган. матер., Vol: 36, No: 6
Катодолюминесценция кристаллических фаз в керамике на основе системы ZrO[2]-SiO[2]-CeO[2]
Заморянская М.В., Бураков Б.Е.
Неорган. матер., Vol: 36, No: 8
Моделирование временных характеристик яркости тонкопленочных электролюминесцентных структур
Забудский Е.Е., Самохвалов М.К.
Письма в ЖТФ, Vol: 26, No: 1
Исследование распределения излучательных примесно-дефектных центров в кристаллах ZnSe:Al методом локальной спектральной катодолюминесценции
Коротков В.А., Назаров М.В., Соболевская Р.Л. и др.
Поверхность. Рентген., синхротрон. и нейтрон. исслед., Vol: , No: 12
Катодолюминесценция и неупругое рассеяние света в эпитаксиальных пленках Ga[1-x]Al[x]P
Водопьянов Л.К., Козловский В.И., Мельник Н.Н.
Физ. и техн. полупроводников , Vol: 34, No: 4